臺灣博碩士論文加值系統

　　我們以新竹同步輻射中心之Wide Range SGM光束線輸出光源能量為240 eV的光子照射在吸附於Si(111)-7×7表面上的CF3Cl分子。我們使用能量為240 eV的入射光子，目的是要激發表面吸附物CF3Cl分子之Cl(2p)蕊層(core-level)電子。針對注入量分別為0.3×1015分子／平方公分(～0.75 monolayer)，以及0.8×1015分子／平方公分(～2 monolayer)的情形，量測隨著光子曝露量的增加，光電子能譜的變化情形，來研究表面的光物理與光化學。從量測的一系列光電子能譜中，我們發現不論是次單層或兩層的之CF3Cl分子吸附的Si基材表面，在剛開始照光時，吸附在Si基材表面之CF3Cl分子會光解離(photolysis)，而產生新的化學態SiCl。產生SiCl的機制是入射光子激發CF3Cl分子導致C－Cl斷鍵。所產生的Cl+離子，將因C-Cl鍵結方向指向Si表面而會和Si表面反應形成SiCl。

　　此外，我們利用信號擬合軟體(Peakfit)，對於兩個主要的化學態CF3Cl及SiCl之變化進行信號擬合。而得知CF3Cl分子於光解離過程之光解離截面(photolysis cross section)。

　　In order to study the soft x-ray-induced reactions of CF3Cl adsorbed on a Si(111)-7×7 surface at 30 K, a photon beam of 240-eV was used as a soft x-ray light source for inducing the reactions and also as a probe for studying the chemical states of the chlorine-containing surface species (adsorbed CF3Cl molecules and the produced surface species) in the photoelectron spectroscopy. Sequential Cl(2p) PES spectra were measured as a function of photon exposure at two adsorbate coverages (the first dose =0.3×1015 molecules/cm2, the second dose =0.8×1015 molecules/cm2). For the first and second CF3Cl-dosed surfaces, the sequential Cl(2p) PES spectra show the variation of shapes with photon exposure and indicate the formation of surface SiCl species.

　　On the other hand, it is interesting to estimate the photolysis cross section of the adsorbed CF3Cl irradiated by 240-eV photons from the sequential Cl(2p) PES spectra.

摘要………………………………………………..................…I
Abstract…………………………………...……………...…....II
誌謝…………………………………………………………...III
目錄…………………………………………………………...IV
表目錄..……………………………………………….………VI
圖目錄…………………………………………………..……VII

第一章 前言…………………………………………………...1

第二章 光電子譜(PES)技術之基本原理………………….….3
2.1 簡介…………………………………………………..3
2.2 光電子譜技術（PES）………………………………3
2.3 光電子譜技術（PES）之分頪、特性及應用……………………………………………………………4

第三章 同步輻射光………………………………………….10
3.1同步輻射光簡介………………………………..…...10
3.2 同步輻射光的特性…………………………………12
3.3 同步輻射光的研究與應用…………………………13

第四章 實驗簡介…………………………………………….16
4.1 實驗系統……………………………………………16
1. 同步輻射光……………………………………..16
2. 實驗站…………………………………………..16
4.2 實驗方法………….……………………………….19
1. 超高真空環境的產生…………………….…….19
2. 樣品的處理…………………………………...20

第五章 結果與討論………………………………………….25
5.1 次單層之Cl(2p)蕊層光電子能譜…………………26
5.2 次單層CF3Cl分子吸附於Si(111)-7×7表面之光解離
截面………………………………………………...28
5.3 CF3Cl與SiCl之譜峰寬度差異……………………...31
5.4 兩個分子層之光電子譜及光解離截面探討……....32

第六章 總結………………………………………………….45

參考文獻……………………………………………………...47

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