臺灣博碩士論文加值系統

摘 要

我們使用光電子譜技術（Photoemission Spectroscopy，PES）研究在30 K溫度下，CF3I分子吸附在Si（111）-7×7的表面上。其中有兩個主要研究方向，一個是以30 eV入射光子激發游離CF3I吸附分子之光電子的價帶光電子譜圖，另一個是以740 eV入射光子激發游離CF3I吸附分子之F(1s)光電子的蕊層光電子譜圖。
從價帶光電子譜圖研究發現CF3I分子起初是以分子性物理吸附於Si（111）-7×7的表面上，並且持續的光子曝露量下具有很大的光解截面。從F(1s)蕊層光電子譜圖研究發現束縛能右移，並產生矽氟化物SiF。束縛能右移的過程中，觀察分析出了CF3(a)及CF2(a)的兩個解離態。

We repeat the investigation of CF3I molecules adsorbed on Si(111)-7×7 surface at 30K by using photoemission spectroscopy (PES). Two PES techniques we used the ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS) was employed for the study of valence levels of adsorbed CF3I molecules using photon energy of 30 eV. The X-ray is photoelectron spectroscopy (XPS) was employed for the study of F(1s) core level of adsorbed CF3I molecules using photon energy of 740 eV.
The valence-level PES spectra show that CF3I molecules physisorb on Si(111)-7×7 surface initially, and depict a large photolysis cross section for further photon irradiation. A binding energy shift to right and indicate the surface product is SiF. The F(1s) core-level PES spectra show that during the binding energy shift, the spectra reveal the production of CF3(a) and CF2(a).

目 錄

摘要………………………………………………………………………Ι
Abstract……………………………………………………………………ΙΙ
誌謝………………………………………………………………………ΙΙΙ
目錄………………………………………………………………………ΙV
圖目錄……………………………………………………………………VΙ
第一章 緒論………………………………………………………………1
第二章 光電子譜技術之基本原理………………………………………7
2-1 簡介……………………………………………………………………7
2-2 光電子譜技術(PES) ……………………………………………………9
2-3 PES之分類、特性及應用……………………………………………12
第三章 同步輻射…………………………………………………………22
3-1 簡介……………………………………………………………………22
3-2 同步輻射設備…………………………………………………………24
3-3 同步輻射特性…………………………………………………………27
3-4 同步輻射的研究與應用………………………………………………29
第四章 實驗簡介…………………………………………………………36
4-1 實驗系統………………………………………………………………36
4-2 實驗方法………………………………………………………………39
第五章 結果與討論………………………………………………………51
5-1 實驗……………………………………………………………………51
5-2 光電子能譜……………………………………………………………51
5-2-1價帶光電子能譜……………………………………………………52
5-2-2 F(1s)蕊層光電子能譜………………………………………………54
第六章 總結………………………………………………………………71
參考文獻…………………………………………………………………72

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