|
1. N. A. Hill, J. Phys. Chem. B 104, 6694 (2000). 2. N. A. Hill, A. Filippetti, J. Magn. and Mag. Mater. 242-245, 976 (2002) 3. R. Seshadri and N. A. Hill, Chem. Mater. 13, 2892 (2001) 4. N. Hur, S. Park, P. A. Sharma, J. S. Ahn, S. Guha, and S-W. Cheong, Nature (London) 429, 392 (2004) 5. T. Kimura, T. Goto, H. Schintani, K. Ishizaka. T. Arima, and Y. Tokura, Nature (London) 426, 55 (2003) 6. M. Fiebig, Th. Lottermoser, D. Frohlich, A. V. Golsev, and R. V. Pisarev, Nature (London) 419, 819 (2002) 7. J. Wang, J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig, and R. Ramesh, Science 299, 1719 (2003). 8. G. A. Smolenskii and I. E. Chupis, Sov. Phys. Usp. 25, 475 (1982) 9. S. V. Kiselev, R. P. Ozerov, and G. S. Zhadanov, Sov. Phys. 7, 742 (1963) 10. N. N. Krainik et al., Sov. Phys. 8, 654 (1966) 11. I. G. Ismailzade, Soviet Sov. Phys. 11, 747 (1967) 12. C. Michel er al., Solid state comm. 7, 701 (1969) 13. J. R. Teague, R. G.erson, and W. J. James, Solid State Comm. 122, 1073 (1970). 14. S. Y. Yang, F. Zavaliche, L. Mohaddes-Ardabili, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, Y. J. Lee, Y. H. Chu, M. P. Cruz, Q. Zhan, T. Zhao, R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 87, 102903 (2005). 15. F. Bai, J. Wang, M. Wuttig, J. Li, N. Wang, A. P. Pyatakov, A. K. Zvezdin, L. E. Cross, and D. Viehland, Appl. Phys. Lett. 86, 032511 (2005). 16. J. Wang, H. Zheng, Z. Ma, S. Prasertchoung, M. Wuttig, R. Droopad, J. Yu, K. Eisenbeiser, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 85, 2574 (2004). 17. J. Li, J. Wang, M. Wuttig, R. Ramesh, H. Zheng, N. Wang, B. Ruette, A. P. Pyatakov, A. K. Zvezdin, and D. Viehland, Appl. Phys. Lett. 84, 5261 (2004). 18. M. M. Kumar, V. R. Palker, K. Srinivas, and S. V. Suryanarayana, Appl. Phys. Lett. 76, 2764 (2000). 19. V. R. Palker, J. John, and R. Pinto, Appl. Phys. Lett. 80, 1628 (2002). 20. V. R. Palker, K. G. Kumara, and S. K. Malik, Appl. Phys. Lett. 84, 2856 (2004). 21. V. R. Palker, D. C. Kundaliya, S. K. Malik, and S. Bhattacharya, Phys. Rev. B 69, 212102 (2004) 22. K. Y. Yun, M. Noda, and M. Okuyama, Appl. Phys. Lett. 83, 3981 (2003). 23. K. Y. Yun, M. Noda, M. Okuyama, H. Saeki, H. Tabata and K. Saito, J. Appl. Phys. 96, 3399 (2004). 24. K. Y. Yun, D. Ricinschi, T. Kanashima, M. Noda, and M. Okuyama, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L647 (2004). 25. K. Y. Yun, M. Noda, and M. Okuyama, J. Korean Phys. Soc. 42, S1153 (2003). 26. S. Lakovlev, C. H. Solterbeck, M. Kuhnke, and M. Es-Souni, J. Appl. Phys. 97, 094901 (2005). 27. H. Uchida, R. Ueno, H. Nakaki, H. Funakubo, and S. Koda, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L561 (2005). 28. Y. P. Wang, L. Zhou, M. F. Zhang, X. Y. Chen, J. M. Liu, and Z. G. Liu, Appl. Phys. Lett. 84, 1731 (2004). 29. Y. H. Lee, J. M. Wu, Y. C. Chen, Y. H. Lu, H. N. Lin, Electrochem. Solid State Lett. 10, F43 (2005). 30. Y. H. Lee, C. S. Liang, and J. M. Wu, Electrochem. Solid State Lett. 11, F55 (2005). 31. Y. H. Lee, J. M. Wu, Y. L. Chueh, and L. J. Chou, Appl. Phys. Lett. 87, 059542 (2005). 32. X. Qi, J. Dho, R. Tomov, M.G. Blamire, and J. L. MacManus-Driscoll, Appl. Phys. Lett. 86, 062903 (2005). 33. X. Qi, M. Wei, Y. Lin, Q. Jia, D. Zhi, J. Dho, M.G. Blamire, and J. L. MacManus-Driscoll, Appl. Phys. Lett. 86, 071913 (2005). 34. T. Fujii, S. Jinzenji, Y. Asahara, A. Kajima, and T. Shinjo, J. Appl. Phys. 64, 5434 (1988). 35. A. Kajima, T. Kaneda, H. Ito, T. Fujii, I. Okamoto, J. Appl. Phys. 70, 3760 (1991). 36. B. U. M. Rao, G. Srinicasan, J. Appl. Phys. 70, 6317 (1991). 37. M. M. Kumar, S. Srinath, G. S. Kumar, and S. V. Suryanarayana, J. Magn. Magn. Mater. 188, 203 (1998). 38. M. M. Kumar, A. Srinivas, G. S. Kumar, and S. V. Suryanarayana, J. Phys.: Condens. Matter. 11, 8131 (1999). 39. K. Ueda, H. Tabata, and T. Kawai, Appl. Phys. Lett. 75, 555 (1999) 40. T. Kanai, S. I. Ohkoshi, A. Nakajima, T. Watanabe, and K. Hashimoto, Adv. Mater. 13, 487 (2001). 41. M. M. Kumar, A. Srinivas, and S. V. Suryanarayana, J. Appl. Phys. 87, 855 (2000). 42. T. Kanai, S. I. Ohkoshi, and K. Hashimoto, J. Phys. Chem. Solids 64, 391 (2003). 43. Y. P. Wang, L. Zhou, M. F. Zhang, X. Y. Chen, J. M. Liu, and Z. G. Liu, Appl. Phys. Lett. 84, 1731 (2004). 44. D. Lee, M. G. Kim, S. Ryu, H. M. Jang, S. G. Lee, Appl. Phys. Lett. 86, 222903 (2005). 45. W. Eerenstein, F. D. Morrison, J. Dho, M. G. Blamire, J. F. Scott, and N. D. Mathur, Science 307, 1203a (2005). 46. C. Ederer, N. A. Spaldin, Phys. Rev. B 71, 060401 (2005) 47. C. Ederer, N. A. Spaldin, Phys. Rev. B 71, 224103 (2005) 48. I. Sosnowska, T. Peterlin-Neumaier and E. Steichele, J. Phys. C: solid State Phys., 15, 4835 (1982) 49. I. Sosnowska, M. Loewenhaupt, W. I. F. Davie and R. M. Ibberson, Physica B, 180&181, 117 (1992) 50. I. Sosnowska, W. Schafer, W. Kockelmann, K. H. Andersen, and I. O. Troyanchuk, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 74, S1040 (2002). 51. A. V. Zalesskii, A. A. Frolov, T. A. khimich, and A. A. Bush, Phys. Solid State 45, 141 (2003). 52. A. A. Gippius, D. F. Khozeev, E. N. Morozova, and A. V. Zalessky, phys. Stat. sol. (a) 196, 221, (2003) 53. B. Jaffe, W. R. Cook, and H. Jaffe, Piezoelectric ceramics, Academic Press, New York, 1971, P.50. 54. J. F. Nye, Physical Properties of Crystals, Clarendon Press, Oxford, (1990). 55. R.E. Newnham, Structure-Property Reactions, Springer Verlag, New York, (1975) 56. B. Ruette, MS thesis, Virginia Tech (2003). 57. M. E. Lines and A. M. Glass, Principles and Applications of Ferroelectric and Related Materials, Clarendon Press, Oxford (1997). 58. Laureen H. Parker and A. F. Tasch, “Ferroelectric materials For 64Mb and 256Mb DRAMs,” IEEE CIRCUIT DEVICES, p.17-26, January 1990 59. J. C. Burfoot and G. W. Taylor, Polar Dielectrics and Their Applications, Berkley: Univ. of Calif. Press, (1979). 60. J. M. Herbert, Ceramic Dielectrics and Capacitors, New York: Gordon and Breach, (1985). 61. J. T. Evans and R. Womack, “A Experimental 512-bit Nonvolatile Memory with Ferroelectric Storage Cell,“ IEEE J. Solid State. Circuits, 23, 1171 (1988) 62. G.. A. Somolenskii, V. A. Isupov, and A. I. Agranovskaya, Soviet Phys. Solid State, 1, 149, (1959) 63. E. C. Subbarao, “The System Sodium Fluoride-Alumina Investigated by Quenching Methods,” J. Am. Cream. Soc. 45, 166 (1962) 64. Kazuchi Amanuma, Takashi Hase, and Yoichi Miyasaka, “ Preparation and ferroelectric properties of the SrBi2Ta2O9 thin films,” Appl. Phys. Lett., 66, 221 (1995) 65. Yasuhiro Shinada et al., “Retention Characteristics of a ferroelectric memory based on SrBi2Ta2O9,” Jpn. J. Appl. Phys., 36, 5912, (1997) 66. H. N. Al-Shareef et al., “Voltage offsets and imprint mechanism in SrBi2Ta2O9 thin films,” J. Appl. Phys., 80, 4573, (1996) 67. W. L. Warren et al., “Driving force behind voltage shifts in ferroelectric materials,” Appl. Phys. Lett., 68, 1681, (1996) 68. J. B. Goodenough. Magnetism and the chemical bond. Interscience Publishers, New York, 1963. 69. W. H. Meiklejohn, C. P. Bean, Phys. Rev. 102, 1413 (1956) 70. W. H. Meiklejohn, C. P. Bean, Phys. Rev. 105, 904 (1957). 71. R. E. Cohen, Nature, 358, 136. (1992). 72. Y. Kuroiwa, Phys. Rev. Lett., 87, 217601, (2001) 73. A. Filippetti, and N. A. Hill, Phys. Rev. B 65, 195120 (2002) 74. J. V. D. Boomgaard, A. M. J. G. Van Run, and J. Van Suchtelen, Ferroelectrics 14, 727 (1976). 75. J. V. D. Boomgaard, A. M. J. G. Van Run, and J. Van Suchtelen, Ferroelectrics 10, 295 (1976). 76. J. Van Suchtelen, Philips Res. Rep. 27, 28 (1972). 77. C. W. Nan, L. Liu, N. Cai, J. Zhai, Y. Ye, and Y. H. Lin, Appl. Phys. Lett., 81, 3831, (2002) 78. G. Srinivasan, E. T. Rasmussen, and R. Hayes, Phys. Rev. B 67, 014418 (2003) 79. C. W. Nan, N. Cai, L. Liu, J. Zhai, Y. Ye, and Y. Lin, J. Appl. Phys., 94, 5930, (2003). 80. N. Cai, J. Zhai, C. W. Nan, Y. Lin, and Z. Shi, Phys. Rev. B 68, 224103 (2003) 81. P. Murugavel, D. Saurel, W. Prellier, Ch. Simon, and B. Raveau, Appl. Phys. Lett., 85, 4424, (2004) 82. B. T. Cong, N. N. Dinh, D. V. Hien, N. L. Tuyen, Physica B 327, 370, (2003). 83. H. Zheng et al., Science 303, 661, (2004) 84. K. S. Chang et al., Appl. Phys. Lett., 84, 3091, (2004) 85. A.M.J.G. van Run, D.R. Terrell, and J.H. Scholing, J. Mater. Sci. 9, 1710, (1974) 86. G. Harshe, J.P. Dougherty, and R.E. Newnham, Int. J. Appl. Electromagn. Mater. 4, 145, (1993) 87. D. N. Astrov et al., Sov. Phys. SETP 13, 729, (1961) 88. B. Ruette, S. Zvyagin, A. P. Pyatakov, A. Bush, J. F. Li, V. I. Belotelov, A. K. Zvezdin, and D. Viehland, Phys. Rev. B 69, 064114 (2004) 89. M. I. Morozov, N. A. Lomanova, and V. V. Gusarov, Russ. J. Gen. Chem. 73, 1772, (2003) 90. A. K. Pradhan et al., J. Appl. Lett. 97, 093903, (2005) 91. J. S. Kim, C. H. Yang, S. G.. Yoon, W. Y. Choi, and H. G. Kim, Appl. Surf. Science 140, 150 (1999) 92. K. Asami, T. Osaka, T. Tamanobe, I. Koiwa, Surf. Interface Anal., 30, 391 (2000) 93. Y. H. Lee and J. M. Wu, J. Crystal Growth 263, 436, (2004)
94. J. F. Moulder, W. F. Stickle, P. E. Sobol, K. D. Bomben, J. Chastain (Eds.), Handbook of X-ray photoelectron Spectroscopy, Perkin-Elmer Corporation, Minnesota, 1992. 95. M. Yashima, D. Ishimura, Chem. Phys. Lett. 378, 395, (2003) 96. B. Nagaraj, S. Aggarwal, and R. Ramesh, J. Appl. Phys. 90, 375 (2001) 97. C. C. Yang, M.S. Chen, T.J. Hong, C.M. Wu, J. M. Wu, and T.B. Wu, Appl. Phys. Lett. 66, 2643 (1995) 98. M. S. Chen, T.B. Wu, and J. M. Wu, Appl. Phys. Lett. 68, 1430 (1996) 99. A. Srivastava, D. Kumar, and R. K. Singh, Electrochem. Solid State Lett. 2, 294 (1999) 100. Y. R. Luo and J. M. Wu, Appl. Phys. Lett. 79, 3669 (2001) 101. C. S. Liang, J. M. Wu, and M. C. Chang, Appl. Phys. Lett. 81, 3624 (2002) 102. C. S. Liang, L. J. Lin, and J. M. Wu, Electrochem. Solid State Lett. 8, F29 (2005) 103. C. S. Liang, and J. M. Wu, Appl. Phys. Lett. 87, 022906 (2005) 104. S. Yokoyama, T. Ozeki, T. Oikawa, and H. Funakubo, Integr. Ferroelectr. 59, 1429 (2003) 105. S. J. Pennycook and P. D. Nellist, Impact of Electron Microscopy on Materials Research (Kluwer Academic, Dordrecht, 1999), p. 161. 106. S. J. Pennycook and D. E. Jesson, Phys. Rev. Lett. 64, 938 (1990) 107. P. D. Nellist and S. J. Pennycook, Ultramicroscopy 78, 111 (1999). 108. S. Y. Chen, and C. L. Sun, J. Appl. Phys. 90, 2970 (2001) 109. J. K. Yang, W. S. Kim, and H. H. Park, Appl. Surf. Science 169-170, 544 (2001) 110. J. K. Lee, C. H. Kim, H. S. Suh, and K. S. Hong, Appl. Phys. Lett. 80, 3593 (2002). 111. Y. Y. Yao, C. H. Song, P. Bao, D. Su, X. M. Liu, J. S. Zhu, and Y. N. Wang, J. Appl. Phys. 95, 3126 (2004). 112. Y. Zhong, G.. Hu, and T. A. Tang, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 7424 (2003). 113. M. Alexe, and A. Gruverman, Nanoscale Characterization of Ferroelectric Materials (Springer, Berlin, 2004) 114. H. Ishiwara, M. Okuyama, and Y. Arimoto, Ferroelectric Random Access Memory: Fundamentals and Applications, (Springer, Berlin, 2004), Vol. 93. 115. A. Gruverman, O. Auciello, H. Tokumoto, Ann. Rev. Mater. Sci. 28, 101. (1998) 116. A. Gruverman, A. Kholkin, A. Kingon, H. Tokumoto, Appl. Phys. Lett. 78, 2751, (2001) 117. H.-N. Lin, S.-H. Chen, S.-T. Ho, P.-R. Chen, I.-N. Lin, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 916, (2003) 118. L. M. Eng, H.-J. Guentherodt, G. Rosenman, A. Skliar, M. Oron, M. Katz, and D. Eger, J. Appl. Phys. 83, 5973 (1998). 119. S. Hong, J. Woo, H. Shin, J. U. Jeon, Y. E. Pak, E. L. Colla, N. Setter, E. Kim, and K. No, J. Appl. Phys. 89, 1377 (2001). 120. A. Roelofs, U. Boettger, R. Waser, F. Schlaphof, S. Trogisch, and L. M. Eng, Appl. Phys. Lett. 77, 3444 (2000). 121. B. J. Rodriguez, A. Gruverman, A. I. Kingon, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 95, 1958 (2004). 122. S. Hong, B. Escabart, E. L. Colla, and N. Setter, Appl. Phys. Lett. 84, 2382 (2004). 123. S. V. Kalinin and D. A. Bonnell, Phys. Rev. B 65, 125408 (2002). 124. T. Tybell, P. Paruch, T. Giamarchi, and J.-M. Triscone, Phys. Rev. Lett. 89, 97601-1 (2002). 125. C. S. Ganpule, V. Nagarajan, H. Li, A. S. Ogale, D. E. Steinhaueur, S. A. Aggarwal, E. Williams, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 77, 292 (2000). 126. C. S. Ganpule, A. L. Roytburd, V. Nagarajan, B. K. Hill, S. B. Ogale, E. D. Williams, R. Ramesh, and J. F. Scott, Phys. Rev. B 65, 014101-7 (2001). 127. C. S. Ganpule, V. Nagarajan, S. P. Alpay, A. Royturd, and R. Ramesh, J. Appl. Phys. 91, 1477 (2002). 128. A. Roelofs, N. A. Pertsev, R. Waser, F. Schlaphof, L. M. Eng, C. Ganpule, V. Nagarajan, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 80, 1424 (2002). 129. D. S. Fu, K. Suzuki, K. Kato, and H. Kuzuki, Appl. Phys. Lett. 82, 2130 (2003). 130. J. A. Christman, J. R. R. Woolcott, A. I. Kingon, and R. J. Nemanich, Appl. Phys. Lett. 73, 3851-53 (1998). 131. C. S. Ganpule, A. Stanishevsky, Q. Su, S. Aggarwal, J. Melngailis, E. Williams, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 75, 409 (1999). 132. V. Nagarajan, A. Roytburd, A. Stanishevsky, S. Prasertchoung, T. Zhao, L. Chen, J. Melngailis, O. Auciello, and R. Ramesh, Nat. Mater. 2, 43 (2003). 133. V. Nagarajan, A. Stanishevsky, T. Zhao, L. Chen, J. Melngailis, A. R. Royturd, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 81, 4215 (2002). 134. C. Harnagea, M. Alexe, D. Hesse, and A. Pignolet, Appl. Phys. Lett. 83, 338 (2003). 135. E. L. Colla, I. Stolichnov, P. E. Bradley, and N. Setter, Appl. Phys. Lett. 82, 1604 (2003). 136. I. Stolichnov, E. Colla, A. Tagantsev, S. S. N. Bharadwaja, S. Hong, N. Setter, J. S. Cross, and M. Tsukada, Appl. Phys. Lett. 80, 4804 (2002). 137. T. Tybell, C. H. Ahn, and J.-M. Triscone, Appl. Phys. Lett. 75, 856 (1999). 138. T. Tybell, C. H. Ahn, and J.-M. Triscone, Appl. Phys. Lett. 72, 1454 (1998). 139. S. V. Kalinin, A. Gruverman, and D. Bonnell, Appl. Phys. Lett. 85, 795 (2004). 140. J. A. Christman, S. H. Kim, H. Miwa, J. P. Maria, B. J. Rodriguez, A. I. Kingon, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 87, 8031 (2000). 141. V. Nagarajan, S. Aggarwal, A. Gruverman, R. Ramesh, and R. Waser, Appl. Phys. Lett. 86, 262910 (2005). 142. D. Dimos, W. L. Warren, M. B. Sinclair, B. A. Tuttle, and R. W. Schwartz, J. Appl. Phys. 76, 4305 (1994). 143. W. L. Warren, D. Dimos, B. A. Tuttle, R. D. Nasby, and G. E. Pike, Appl. Phys. Lett. 65, 1018 (1994). 144. W. L. Warren, D. Dimos, G. E. Pike, B. A. Tuttle, M. V. Raymond, R. Ramesh, and J. T. E. Jr., Appl. Phys. Lett. 67, 866 (1995). 145. S. H. Kim, D. S. Lee, C. S. Hwang, D. J. Kim and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. 77, 3036 (2000). 146. I. Kim, Y. Avrahami, H. L. Tuller, Y. B. Park, M. J. Dicken, and H. A. Atwater, Appl. Phys. Lett. 86, 192907 (2005). 147. B. J. Rodriguez, A. Gruverman, A. I. Kingon, R. J. Nemanich, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 80, 4166 (2002). 148. Y. H. Lee, J. M. Wu, and C. H. Lai, Appl. Phys. Lett. (submitted) 149. B.B.V. Aken, T.T.M. Palstra, A. Filiooetti, and N. A. Spaldin, nature mater. 3, 164 (2004). 150. C. Ederer, and N. A. Spaldin, nature mater. 3, 849 (2004). 151. D.V. Efremov, J.V.D. Brink, and D.I. Khomskii, nature mater. 3, 853 (2004). 152. T. Lottermoser, T. Lonkai, U. Amann, D. Hohlwein, J. Ihringer, and M. Fiebig, Nature (London) 430, 541 (2004) 153. M.K. Ok et al., Inorg. Mater. 40, 1978 (2001) 154. R.E. Cohen, and H. Krakauer, Ferroelectrics 136, 65 (1992) 155. R.E. Cohen, Nature (London) 358, 136 (1992) 156. M. Atansov, and D. Reinen, J. Phys.Chem. A 105, 5450 (5002) 157. U.V. Waghmare, and N. A. Spaldin, Phys. Rev. B 67, 125111 (2003). 158. Y. Kuroiwa et al., Phys. Rev. Lett. 87, 217601 (2001). 159. G.O. Jones, and P.A. Thomas, Acta Crystallogr. B 58, 168 (2003). 160. A. Zalesskii, A. Zvezdin, A. Frolov, and A. Bush, JETP Lett. 71, 465 (2000). 161. A. V. Zalesskii, A. A. Frolov, T. A. Khimich, A. A. Bush, V. S. Pokatilov, and A. K. Zvezdin, Europhys. Lett. 50, 547 (2000). 162. I. Sosnowska and A. Zvezdin, J. Magn. Magn. Mater. 140-144, 167 (1995). 163. Yu. F. Popov, A. Zvezdin, G. Vorob’ev, A. Kadomtseva, V. Murashev, and D. Rakov, JETP Lett. 57, 69 (1993). 164. A. Kadomtseva, Yu. Popov, G. Vorob’ev, and A. Zvezdin, Physica B 211, 327 (1995). 165. Yu. F. Popov, A. Kadomteseva, S. Krotov, D. Belov, G. Vorob’ev, P. Makhov, and A. Zvezdin, Low Temp. Phys. 27, 478 (001). 166. R. Blinc and A. P. Levanyuk, Incommensurate Phases in Dielectrics North-Holland, New York, (1986). 167. T. Lorenz, B. Buchner, P. H. M. van Loosdrecht, F. Shonfield, G. Chouteau, A. Revcolevschi, and G. Chalenne, Phys. Rev. Lett.81, 148 (1998). 168. R. Blinc, U. Micac, T. Apih, J. Dolinsek, J. Seliger, J. Slak, S. Zumer, L. Guibe, and D. Ailion, Phys. Rev. Lett. 88, 015701 (2002). 169. B. Topic, U. Haeberlen, and R. Blinc, Phys. Rev. B 42, 7790 (1990). 170. R. Blinc, P. Prelovsek, and R. Kind, Phys. Rev. B 27, 5404 (1983). 171. T. Aphih, U. Mikac, J. Dolinsek, J. Seliger, and R. Blinc, Phys. Rev. B 61, 1003 (2000). 172. T. Aphih, U. Mikac, J. Seliger, J. Dolinsek, and R. Blinc, Phys. Rev. Lett. 80, 2225 (1998). 173. C.Y. Yau, R. Palan, K. Tran, and R.C. Buchanan, Appl. Phys. Lett. 86, 032907 (2005). 174. Y. Ding, J.S. Liu, H.X. Qin, J.S. Zhu, and Y.N. Wang, Appl. Phys. Lett. 78, 4175 (2001). 175. M.S. Tomar, R.R. Melgarejo, A. Hidalgo, S.B. Mazumder, and R.S. Katiyar, Appl. Phys. Lett. 83, 341 (2003). 176. Z.G. Zhang, D.P. Chu, B.M. Mcgregor, P. Migliorato, K. Ohashi, K. Hasegawa, and T. Shimoda, Appl. Phys. Lett. 83, 2892 (2003). 177. E. Traversa, S. Matsushuma, G. Okada, Y. Sadaoka, Y. Sakai, K. Watanabe, Sens. Actuator B-Chem. 24-25, 661 (1995). 178. N.N. Toan, S. Saukko, V. Lantto, Phys. B 327, 279 (2003). 179. D. Kuscer, M. Hrovat, J. Holc, S. Bernik, D. Kolar, J. Pow. Souc. 61, 161 (1996). 180. R. Dogra, A.C. Junqueira, R.N. Saxena, A.W. Carbonari, J.M. Filho, M. Moralles, Phys. Rev. B 63, 224104 (2001). 181. A. Scholl, J. Stohr, J. Luning, J.W. Seo, J. Fompeyrine, H. Siegwart, J.P. Locquet, F. Nolting, S. Anders, E.E. Fullerton, M.R. Scheinfein, H.A. Padmore, Science 287, 1014 (2000). 182. J. Nogues, I. K. Schuller, J. Magn. Magn.Mater. 192, 229 (1999). 183. Y. Yamada, T. Kusumori, H. Muto, Appl. Phys. Lett. 80, 1409 (2002). 184. D.S. Deng, X.F. Jin, Phys. Rev. B. 65, 172402 (2002). 185. Q. X. Guo, A. Okada, H. Kidera, T. Tanaka, M. Nishio, H. Ogawa, J. Crystal Growth 237-239, 1079 (2002). 186. S. Zhu, C. H. Su, S.L. Lehoczky, P. Peters, M.A. George, J. Crystal Growth 211, 106 (2000). 187. X. Wang, S. Olafsson, P. Sandstrom, U. Helmersson, Thin Solid Films 360, 181 (2000). 188. N. Wakiya, T. Azuma, K. Shinozaki, N. Mizutani, Thin Solid Films 410, 114 (2002). 189. X. Guo, Z. Chen, D. Cui, Y. Zhou, H.Z. Huang, H.X. Zhang, F. Liu, K. Ibrahim, H. Qian, J. Crystal Growth 219, 404 (2000). 190. A.J. Signorelli, R.G. Hayes, Phys. Rev. B. 8, 81 (1973). 191. D.F. Mullica, C.K.C. Lok, H.O. Perkins, Phys. Rev. B. 31, 4039 (1985). 192. S.J. Oh, G.H. Kim, G.A. Sawatzky, HT. Jonkman, Phys. Rev. B. 37, 6145 (1988). 193. R. A. Rao, Q. Gan, C. B. Eom, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 474, 327 (1997).
|