|
第六章 參考文獻 [1] K. Hiruma et al., J. Appl. Phys.,77 (2), 447 (1995) [2] Y. Li, G. W. Meng, L. D. Zhang, F. Phillipp, Appl. Phys. Lett. 76, 2011 (2000) [3] J. Hu et al., Acc. Chem. Res., 32, 435 (1999) [4] Z. L. Wang, MaterialsToday June (2004) [5] P. Yang et al., Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002). [6] M. T. Browne, P. Charalambous and V. A. Kudryashov, Microelectron Eng. 13, 221(1999) [7] T.W. Odom et al., Talanta 67, 507 (2005). [8] 林鶴南、李龍正、劉克迅,科儀新知 第十七卷三期,12 (1995). [9] H. N. Lin, S. H. Chen, S. T. Ho, P. R. Chen, and I. N. Lin, J. Vac. Sci.Technol. B 21, 916 (2003). [10] S. T. Ho, Y. H. Chang, and H. N. Lin, J. Appl. Phys. 96, 3562 (2004). [11] H. N. Lin, Y. H. Chiou, B. M. Chen, H.-P. D. Shieh, and C. R. Chang, J. Appl. Phys. 83, 4997 (1998). [12] R. Buzio, C. Boragno, and U. Valbusa, Wear 254, 981 (2003). [13] Z. Wei, C. Wang, and C. Bai, Langmuir 17, 3945 (2001). [14] Y. Y. Wei, and G. Eres, Nanotechnology 11, 61 (2000) [15] M. A. McCord and R. F. W. Pease, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 293 (1988) [16] Q. Li, J. Zheng, and Z. Liu, Langmuir 19, 166 (2003). [17] J.-H. Hsu, H.-W. Lai, H.-N. Lin, C.-C. Chuang, and J.-H. Huang, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2599 (2003). [18] R. Magno and B. R. Bennett, Appl. Phys. Lett. 70, 1855 (1997). [19] L. L. Sohn and R. L. Willett, Appl. Phys. Lett. 67, 1552 (1995) [20] E. Dubois and J.-L. Bubbendorff, Solid-State Electron. 43, 1085 (1999). [21] H. Kuramochi, F. P. Murano, J. A. Dagata and H. Yokoyama, Nanotechnology 15, 297(2004) [22] L. L. Sohn and R. L. Willett, Appl. Phys. Lett. 67,1552(1995) [23] J. L. Elechiguerra, J. A. Manriquez and M. J. Yacaman, Appl. Phys. A 79, 461 (2004) [24] J. H. Hsu, C. Y. Lin, and H. N. Lin, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2768 (2004). [25] M. T. Browne, P. Charalambous and V. A. Kudryashov, Microelectron Eng. 13, 221(1999) [26] P. Yu, Z. K. Tang, G. K. L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, J. Cryst. Growth 184/185, 601 (1998). [27] H. Cao, J. Y. Xu, D. Z. Zhang, S.-H. Chang, S. T. Ho, E. W. Seeling, X. Liu, and R. P. H. Chang, Phys. Rev. Lett. 84, 5584 (2000). [28] D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao,S. Koyama, M. Y. Shen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 70, 2230 (1997).
[29] J. C. Johnson, H. Yan, P. Yang, and R. J. Saykally,J. Phys. Chem. B, 107, 8816 (2003) [30] P. X. Gao, Z. L. Wang et al. , Science 309,1700 (2005) [31] W. I. Park and G. C. Yi, Adv. Mater. 16, 87 (2004) [32] W. D. Yu, X. M. Li, Appl. Phys. A 79,453-456 (2004) [33] K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tallant, J. A. Voigt, and B. E. Gnade, Appl. Phys. Lett. 79, 7983 (1996). [34] W. I. Park, D. H. Kim, S. W. Jung, Appl. Phys. Lett. 80, 4232 (2002) [35] M. H. Huang, Peidong Yang et al., Science 292, 1897 (2001) [36] Z. Zhu, T. L. Chen et al., Chem. Mater. 17, 4227 (2005) [37] Z. R. Dai, Z. W. Pan, and Z. L. Wang, Adv. Funct. Mater. 13, 9 (2003). [38] R. S. Wagner, W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964) [39] K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tallant, J. A. Voigt, and B. E. Gnade, Appl. Phys. Lett. 79, 7983 (1996)
|