跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(3.236.110.106) 您好!臺灣時間:2021/07/27 19:24
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:黃彥傑
研究生(外文):Yen Chieh Huang
論文名稱:磷化鋁銦鎵發光二極體熱流與接面溫度研究
論文名稱(外文):Heat flow and Junction Temperature study in AlGaInP Light Emitting Diode
指導教授:陳乃權
指導教授(外文):N. C. Chen
學位類別:碩士
校院名稱:長庚大學
系所名稱:電子工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2007
畢業學年度:95
語文別:中文
論文頁數:55
中文關鍵詞:發光二極體接面溫度熱流方程式
外文關鍵詞:LEDjunction temperatureheat flow
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:124
  • 評分評分:
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
在本研究中使用兩種比較廣泛的方法來量測接面溫度,分為是順向偏壓法(Forward-voltage method)和波長位移法(peak wavelength shift method)。這兩種方法可以找出接面溫度升高的關係,但是可能因為元件的不同有較大的差異。為了改善量測接面溫度的方法,本論文導入傅立葉熱傳導的方程式,並且假設一個邊界條件代入,得到溫度隨時間擴散的關係解。這個解擁有熱流方程式的關係,對於在發光二極體中熱的動態行為能清楚的描述其機制。
我們同樣使用順向偏法量測磷化鋁鎵銦發光二極體的操作電壓,不同的地方是透過自組的電路板設計,給予定電流作高低轉換。在達到熱穩定的情況下,量測不同定電流下,所得到的暫態操作電壓差,運用變溫所得到電壓和溫度的線性關係,求得上升的溫度。實驗結果發現,磷化鋁鎵銦發光二極體的熱傳導係數和文獻上砷化鎵基板熱傳導係數僅有16%的差異,證明大多數的熱阻來自於p-n接面與基板,符合我們邊界條件的假設。而在此處所得到的接面溫度與波長位移法所得的溫度也僅2K的差異,同樣是量測接面溫度的極佳方法。
There are two widely methods to measure junction temperature. They are diode forward-voltage method and emission peak wavelength. These two ways can find out why temperature goes up, but it may produce difference in other device. This study uses Fourier’s Law to improve measuring junction temperature. We assume a boundary condition into differential function and get a solution of diffusions in temperature. The solution can clearly describe dynamic behavior in LED. We use forward-voltage method to measure operating voltage of LED. In our circuit, we give the LED device different current by changing it from high to low or low to high. At the result, we obtain the thermal conductivity of GaAs and it is only 16% less that in the literature. The result also proves the heat in LED coming from p-n junction and substrate. The temperature is almost the same as peak wavelength.
第一章 序論 1
第二章 研究理論 4
2-1 實驗理論 4
2-2 Fourier’s Law of Thermal conduction 6
2-3 二極體發光原理 8
第三章 實驗樣品與製備量測系統 12
3-1元件結構 12
3-2實驗儀器簡介 12
3-3實驗電路架構 15
第四章 量測結果分析與討論 18
4-1 I-V量測 18
4-1.1 Pulse I-V與變溫量測 18
4-1.2 Pulse I-V 變溫量測比較 22
4-2波長偏移法 24
4-2.1 變溫光譜 24
4-2.2 變電流光譜量測 26
4-3 暫態量測法 43
第五章 結論 53
[1] H.J. Round, Electrical World 49, 309 (1907).
[2] C.P. Kuo, R.M. Fletcher, T.D. Osentowski, M.C. Lardizabal, M.G. Craford, and V.M. Robbins,Appl. Phys. Lett. 57, 2937 (1990).
[3] H. Sugawara, M. Ishikawa and G. Hatakoshi, Appl. Phys. Lett.(1991).
[4] R.M. Fletcher, C.P. Kao, T.D. Osentowski, K.H. Huang, M.G. Graford,and V.M. Robbins, J. Electron. Mater. 20, 1125 (1991)
[5]H. Sugawara, K. Itaya, H. Nozaki, and G. Hatakoshi, Appl. Phys. Lett. 61, 1775 (1992).
[6] Y. Xi and E.F. Schubert, Appl. Phys. Lett. 85, 2163 (2004).
[7] E. Hong and N. Narendran, Proc. SPIE 5187, 93 (2004).
[8] S. Chhajed, Y. Xi, Y.-L. Li, T. Gessmann, and E.F. Schubert, J. Appl. Phys. 97, 054506 (2005).
[9]Y. Xi and E. F. Schubert,Appl. Phys. Lett., Vol.85, No. 12(2004)
[10]B. A. Danilchenko, T.Paszkiewicz and S. Wolski, Appl. Phys. Lett. 89,061901-1(2006)
[11]J. C. Wang, R. F. Wood, and P. P. Pronko, Appl. Phys. Lett. 33(1978)
[12]P. Baeri, S. U. Campisano, G. Foti, and E. Rimini, Appl. Phys. Lett.33(1978)
[13]Akira Onuki, Hong Hao and Richard A. Ferrel, Physical Review A(1990)
[14] N. C. Chen, Y. N. Wang, C. Y. Tseng, and Y. K. Yang, Appl. Phys. Lett. 89 101114(2006)
[15] N. C. Chen, Y. K. Yang, Y. N. Wang, and Y. C. Huang, Appl. Phys. Lett. 90,181104(2007)
[16]Donald A. Neamen, ”Semiconductor Physics and Devices ” 3rd
[17]E. Fred Schubert, “Light-Emitting Diodes”
[18]史光國,”現代半導體發光及雷射二極體材料技術”,全華科技
[19]長庚大學光電工程研究所碩士論文,作者:楊延鍇,指導教授:陳乃權,”磷化鋁鎵銦發光二極體接面溫度研究”,2005年6月
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top