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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:陳泳志
研究生(外文):Yung-Chih Chen
論文名稱:深次微米金氧半場效應電晶體高頻模型之建立
論文名稱(外文):RF Model Establishment of sub-micron MOSFET
指導教授:邱顯欽
指導教授(外文):Hsien-Chin Chiu
學位類別:碩士
校院名稱:長庚大學
系所名稱:半導體產業研發碩士專班
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2007
畢業學年度:95
語文別:中文
論文頁數:48
中文關鍵詞:萃取寄生參數高頻模型
外文關鍵詞:high-frequencymodellow noiseamplifier
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摘要
提出一個利用南亞科技公司製程所製造出的金氧半場效應電晶體
之高頻模型,此模型在直流和高頻的模擬結果上和元件有很好的一致
性。這模型是以U.C. Berekeley 的BSIM3v3 模型為基礎,並萃取元件的
外部寄生參數和損耗基板參數來修正模型的準確性。另外,我們在量測
和模擬的元件直流I-V 曲線, S 參數和功率特性値都作了比較。而從此
元件的直流、高頻和功率特性的量測和模擬值皆有很好的ㄧ致性 ,可以
證明了此元件的準確度。
在第四章中,低雜訊放大器是使用前述所提到的南亞科技公司所提
供的元件而建立的高頻模型來當成主動元件,設計的中心頻率在5.2GHz
可運用在WLAN 802.11a 上。因為金氧半場效應電晶體的特性適合用來
設計低雜訊放大器電路。
ABSTRACT
A high-freqency model for MOSFET by Nanya Technology Corporation
is presented which achieves a good agreement with the device DC and
microwave performance. This model is based on the BSIM3v3 model by
U.C. Berekeley, and extracted extrinsic parameters and lossy substrate parameters. The measured and model-predicted device DC I-V curves, S-parameters, and power performance have been compared. Good
correspondences between measurement and simulation DC、microwave and
power performance, which confirm the validity of this model.
In chapter 4, a low noise amplifier was demonstrated by MOSFET of
Nanya Technology Corporation as the core of the design, targeting a center frequency of 5.2 GHz apply to WLAN 802.11a system.
目錄
指導教授推薦書
口試委員會審定書
授權書………………………………………………………………… iii
簽署人須知………………………………………………………………iv
誌謝………………………………………………………………………v
中文摘要…………………………………………………………………vi
英文摘要…………………………………………………………………vii
第一章緒論………………………………………………………………1
§1.1研究動機……………………………………………………………1
§1.2論文架構…………………………………………………………....2
第二章金氧半場效電晶體量測分析……………………………………4
§2.1簡介…………………………………………………………………4
§2.2直流量測結果………………………………………………………4
§2.3高頻量測結果……………………………………………………... 7
§2.4功率與雜訊量測結果………………………………………….......11
§2.5結語…………………………………………………………….......15
第三章金氧半場效電晶體高頻模型之建立…………………………...16
§3.1簡介………………………………………………………………...16
§3.2高頻小訊號模型之建立…………………………………………...16
viii
§3.3外部寄生元件參數的決定………………………………………....24
§3.4搊耗基板參數的萃取方法………………………………………....25
§3.5萃取結果……………………………………………………………28
§3.6結語…………………………………………………………………32
第四章5.2GHz低雜訊放大器設計………………………………………33
§4.1簡介………………………………………………………………..33
§4.2電路穩定性考量……………………………………………………34
§4.3阻抗匹配……………………………………………………………37
§4.4低雜訊放大器電路設計模擬………………………………………38
§4.5結語………………………………………………………………..44
第五章結論……………………………………………………………..45
參考文獻…………………………………………………………………..47
參考文獻
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