|
Chapter 1 [1] Y.-F. Wu, B.P. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S.P. Denbaars, and U.K. Mishra,Appl. Phys. Lett. 69, 1438 (1996). [2] R. Juza and H. Hahn, Zeitschr. Anorgan. Allgem. Chem., 234, 282 (1994) [3] H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett., 15, 367(1969) [4] J. Pankove, E. Miller, D. Richmann, and J. Berkeyhesiser, J. Lumin. 4, 63 (1971) [5] H. Amano, I. Akasaki, T. Kozowa, K. Hiramatsu, N. Sawak, K. Ikeda, and Y. Ishii, J. Luminescence 40-41, 121 (1998) [6] S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258 (1992) [7] D.L. Barton, M. Osinski, C.J. Helms, N.H. Berg, B.S. Phillips, SPIE-Int. Soc. Opt.Eng 2694, 64 (1996). [8] A.T. Ping, Q. Chen, J.W. Yang, M.A. Khan, I. Adesida, IEEE Electron Device Letters 19, 54 (1998). [9] H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986) [10] T. Detchprohm, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth, 128, 384 (1993). [11] J. E. Jaffe and A. C. Hess, Phys. Rev. B, 48, 7903 (1993). [12] T. Egawa, B. Zhang, N. Nishikawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, J. Appl. Phys. 91, 528 (2002). [13] A. Dadgar., A. Strittmatter, J. Bläsing, M. Poschenrieder, O. Contreras, P. Veit, T. Riemann, Phys. Stat. Sol. (c), No. 6, 1583 (2003). [14] Chung-Lin Wu, Jhih-Chun Wang, Meng-Hsuan Chan, Tom T. Chen, and Shangjr Gwo, Appl. Phys. Lett. 83, 4530 (2003). [15] Bernard Gil, “ Group III nitride Semiconductor Compounds”, p 33 (Clarendon Press, Oxford, 1998). [16] S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Graford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995). [17] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl Phys. Lett. 72, 211 (1998). [18] P. Kozodoy, J.P. Ibbetson, H. Marchand, P.T. Fini, S. Keller, J.S. Speck, S.P.Denbaars, and U.K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998). [19] J.T. Torvik, J.I. Pankove, E. Iliopoulos, H.M. Ng, and T.D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 72, 244 (1998). [20] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, K Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 2014 (1998). [21] S. Nakamura, G. Fasol. The Blue Laser Diode, Springer, Berlin, (1997). [22] T.Wang, H. Saeki, J. Bai, T. Shirahama, M. Lachab, S. Sakai, P. Eliseev, Appl. Phys. Lett. 76, 1737 (2000). [23] Mee-Yi Ryu, Young Jun Yu, Phil Won Yu, Eun-Joo Shin, Joo In Lee, Sung Kyu Yu, J. Korean Phys. Soc. 37, 989 (2000). [24] T. Wang, J. Bai, S. Sakai, J. Crystal Growth, 224, 5 (2001). [25] J. C. Harris, H. Brisset, Takao Someya, Yasuhiko Arakawa, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 2613 (1999). [26] S. Keller, B. P. Keller, D. Kapolnek, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, I. K. Shmagin, R. M. Kolbas, S. Krishnankutty, J. Crystal Growth 170, 349 (1997). [27] E. L. Piner, M. K. Behbehani, N. A. Ei-Masry, F. G. McIntosh, J. C. Roberts, K. S. Boutros and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett., 70, 461 (1997). [28] H. Amano M. Kito, K. Hiramatsu, and I Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2112 (1989). [29] H. Amano, M. Kito, K. Hriamatsu, and I Akasaki, Inst. Phys. Conf. Ser. 106, 725 (1989). [30] S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31,L139 (1992). [31] S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31,L1258 (1992). [32] S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994). [33] M. Schauler, C. Kirchner, M. Mayer, A. Pelzmann, F. Eberhard, M. Kamp, P. Unger, and K. J. Ebeling, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2. 44 (1997). [34] H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umeazki, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997). [35] K. V. Vassilevski, M. G. Rastegaeva, A. I. Babanin, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 38 (1996). [36] D. J. King, L. Zhang, J. C. Ramer, S. D. Hersee, and L. F. Lester, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 421 (1997). [37] L. F. Lester, D. J. King, L. Zhang, J. C. Ramer, S. D. Hersee, and J. C. Zolper, Proc. Electrochem. Soc. 97-1, 171 (1997). [38] T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, and M. Koike, Appl. Phys. Lett, 69, 3537 (1996). [39] T. Kim, J. Kim, S. Chae, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 427 (1997). [40] J. T. Trexler, S. J. Pearton, P. H. Holloway, H. G. Mier, K. R. Evans, and R. F. Karlicek, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1091 (1997). [41] L. L. Smith, M. D. Bremser, E. P. Carlson, T. W, Weeks, Jr., T. Huang, M. J. Kim, R. W. Carpenter, and R. F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 861 (1996). [42] J. T. Trexler, S. J. Miller, P. H. Holloway, and M. A. Khan, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 819 (1996). [43] T. Kim, M. C. Yoo, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1061 (1997).
Chapter 2 [1] S. Nakamura, T. Muksi, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994). [2] H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett., 15, 367 (1969). [3] H. M. Manasevit, F. Erdmann and W. Simpson, J. Electrochem. Soc., 118, 1864 (1971). [4] S. P. DenBaar, B. Y. Maa, P. D. Dapkus and H. C. Lee, J. Cryst. Growth. 77, 188 (1986). [5] S. Nakamura, Y. Harada, M. Seno, Appl. Phys. Lett., 58, 2021 (1991). [6] S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., 30, 1348 (1991). [7] H. Amano, I. Akasak, K. Hiramatsu and N. Koide, Thin Solid Film, 163, 415 (1988). [8] S. L. Wright, T. N. Jackson, and R. F. Marks, J. Vac. Sci. & Technol. B8, 288 (1990).
Chapter 3 [1] Y K. Su, S. J. Chang, C. H. Ko, J. F. Chen, W. H. Lan, W. J. Lin, Y. T. Cherng and J. Webb, IEEE Tran. Electron. Dev., 49, 1361, (2002) [2] S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron., 8, 744, (2002). [3] T. C. Wen, S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, W. C. Lai C. H. Kuo, C. H. Chen, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Tran. Electron. Dev., 49, 1093, (2002). [4] C. H. Kuo, S. J. Chang, Y K. Su, J. F. Chen, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett., 23, 240, (2002). [5] C. S. Chang, Y. K. Su, P. T. Chang, Y. R. Wu, K. H. Huang, and T. P Chen, IEEE Photonics Technol. Lett. 9,182 (1997) [6] T Honda, T. Sakaguchi, F. Koyama, K. Iga, K. Yanashima, K. Inoue, H. Munekata, and H. Kukimoto, J. Appl. Phys., 78, 4784, (1995). [7] W. C. Lai, S. J. Chang, M. Yokoyama, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., 13, 559, (2001). [8] Y. K. Su, S. J. Chang, C. H. Chen, J. F. Chen, G. C. Chi. J. K. Sheu, W. C. Lai and J. M. Tsai, IEEE Sensors Journal, 2, 366 (2002). [9] J. K. Sheu, M. L. Lee, C. J. Tun, C. J. Kao, L. S. Yeh, S. J. Chang and G. C. Chi, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron., 8, 767, (2002). [10] C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Kuo and Y. C. Lin, IEEE Photo. Technol. Lett., 14, 908, (2002). [11] L. W. Wu, S. J. Chang, T. C. Wen, Y. K. Su, W. C. Lai, C. H. Kuo, C. H. Chen and J. K. Sheu, IEEE J. Quantum. Electron., 38, 446, (2002). [12] J. K. Sheu, C. J. Pan, G. C. Chi, C. H. Kuo, L. W. Wu, C. H. Chen, S. J. Chang and Y. K. Su, IEEE Photon. Technol. Lett., 14, 450, (2002). [13] S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron., 8, 278, (2002). [14] C. H. Chen, Y. K. Su, S. J. Chang, G. C. Chi, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE Electron. Dev. Lett., 23, 130, (2002). [15] J. K. Sheu, J. M. Tsai, S. C. Shei, W. C. Lai, T. C. Wen, C. H. Kou, Y. K. Su, S. J. Chang and G. C. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett., 22, 460, (2001). [16] C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., 13, 848, (2001)
Chapter 4 [1] S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1678 (1994). [2] S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron. 8, 744, (2002). [3] I. Akasaki and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 5393, (1997) [4] C. H. Kuo, S. J. Chang, Y K. Su, J. F. Chen, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett. 23, 240, (2002). [5] W. C. Lai, S. J. Chang, M. Yokoyama, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett. 13, 559, (2001) [6] S. D. Lester, M. J. Ludowise, K. P. Killeen, B. H. Perez, J. N. Miller, and S. J. Rosner, J. Cryst. Growth 189, 786, (1998). [7] H. Kudo, K. Murakami, R. Zheng, Y. Yamada, T. Taguchi, K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada and K. Kata, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 2484, (2002) [8] I. Kidoguchi, A. lshibashi, G. Sugahara and Y. Ban, Appl. Phys. Lett. 76, 3768, (2000). [9] T. Mukai, K. Takekawa and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L839, (1998) [10] A. M. Rokowski, P. Q. Miraglia, E. A. Prele, S. Einfeldt and R. F. Davis, J. Crystal Growth 241, 141, (2002) [11] K. Tadatomo, H. Okagawa, T. Tsunekawa, T. Jyouichi, Y. Imada, M. Kato, H. Kudo and T. Taguchi, Phys. Stat. Sol. (a) 188, 121, (2001). [12] S. J. Chang, Y. C. Lin, Y. K. Su, C. S. Chang, T. C. Wen, S. C. Shei, J. C. Ke, C. W. Kuo, S. C. Chen and C. H. Liu, Solid State Electron. 47, 1539, (2003) [13] C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Kuo and Y. C. Lin, IEEE Photo. Technol. Lett. 14, 908, (2002). [14] L. W. Wu, S. J. Chang, T. C. Wen, Y. K. Su, W. C. Lai, C. H. Kuo, C. H. Chen and J. K. Sheu, IEEE J. Quantum. Electron. 38, 446, (2002). [15] Y. C. Lin, S. J. Chang, Y. K. Su, T. Y. Tsai, C. S. Chang, S. C. Shei, S. J. Hsu, C. H. Liu, U. H. Liaw, S. C. Chen and B. R. Huang, IEEE Photon. Technol. Lett. 14, 1668, (2002). [16] S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron. 8, 278, (2002). [17] S. J. Chang, C. H. Chen, Y. K. Su, J. K. Sheu, W. C. Lai, J. M. Tsai, C. H. Liu and S. C. Chen, IEEE Electron. Dev. Lett. 24, 129, (2003). [18] Y. Z. Chiou, S. J. Chang, Y. K. Su, C. K. Wang, T. K. Lin and B. R. Huang, IEEE Tran. Electron. Dev. 50, 1748, (2003). [19] L. W. Wu, S. J. Chang, Y. K. Su, R. W. Chuang, T. C. Wen, C. H. Kuo, W. C. Lai, C. S. Chang, J. M. Tsai and J. K. Sheu, IEEE Tran. Electron. Dev. 50, 1766, (2003). [20] S. J. Chang, M. L. Lee, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. K. Su, C. S. Chang, C. J. Kao, G. C. Chi and J. M. Tsai, IEEE Electron. Dev. Lett. 24, 212, (2003)
Chapter 5 [1] S. Nakamura, and G. Fasol, The Blue Laser Diode, Springer, Berlin, 1997. [2] S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part2, 34, L797, (1995). [3] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamade, H. Kiyoko and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., 35, L74, (1996). [4] C. H. Kuo, S. J. Chang, Y K. Su, J. F. Chen, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett., 23, No. 5, 240, (2002). [5] W. C. Lai, S. J. Chang, M. Yokoyama, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., 13, 559, (2001). [6] S. D. Lester, M. J. Ludowise, K. P. Killeen, B. H. Perez, J. N. Miller and S. J. Rosner, J. Cryst. Growth, 189, 786, (1998). [7] Y. Z. Chiou, Y. K. Su, S. J. Chang, J. F. Chen, C. S. Chang, S. H. Liu, I. C. Lin and C. H. Chen, Jpn. J. Appl. Phys., 41, 3643, (2002). [8] J. K. Sheu, C. J. Pan, G. C. Chi, C. H. Kuo, L. W. Wu, C. H. Chen, S. J. Chang and Y. K. Su, IEEE Photon. Technol. Lett., 14, 450, (2002). [9] S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE J. Selected topics in Quan. Electron., 8, 278, (2002). [10] C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE J. Selected topics in Quan. Electron., 8, 284, (2002). [11] C. H. Chen, Y. K. Su, S. J. Chang, G. C. Chi, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE Electron. Dev. Lett., 23, 130, (2002). [12] C. H. Ko, S. J. Chang, Y. K. Su, W. H. Lan, J. F. Chen, T. M. Kuan, Y. C. Huang, C. I. Chiang, J. Webb and W. J. Lin, Jpn. J. Appl. Phys. Lett., 41, L226, (2002). [13] J. K. Sheu, C. J. Tun, M. S. Tsai, C. C. Lee, G. C. Chi, S. J. Chang and Y. K. Su, J. Appl. Phys., 91, 1845, (2002). [14]C. H. Kuo, S. J. Chang, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi, Jpn. J. Appl. Phys. Lett., 41, L112, (2002). [15] C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., 13, 848, (2001). [16] W. C. Lai, S. J. Chang, M. Yokoyama, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 13, 559, (2001). [17] Y. K. Su, Y. Z. Chiou, F. S. Juang, S. J. Chang and J. K. Sheu, Jpn. J. Appl. Phys., 40, 2996, (2001). [18] C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. K. Sheu and I. C. Lin, Jpn. J. Appl. Phys., 40, 2762, (2001). [19] S. J. Chang, Y. K. Su, T. L. Tsai, C. Y. Chang, C. L. Chiang, C. S. Chang, T. P. Chen and K. H. Huang, Appl. Phys. Lett., 78, 312, (2001). [20] K. S. Ramaiah, Y. K. Su, S. J. Chang, F. S. Juang and C. H. Chen, J. Crystal Growth, 220, 405, (2000). [21] W. C. Lai, M. Yokoyama, S. J. Chang, J. D. Guo, C. H. Sheu, T. Y. Chen, W. C. Tsai, J. S. Tsang, S. H. Chang and S. M. Sze, Jpn. J. Appl. Phys. Lett., 39, L1138, (2000). [22] C. H. Kuo, S. J. Chang, Y K. Su, J. F. Chen, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett. 23, 240, (2003). [23] C. H. Kuo, S. J. Chang, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 41, L112, (2002). [24] S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron. 8 ,744, (2002). [25] S. Sakai, .T.Wang, Y. Morishima and Y. Naoi. J. Crystal Growth, 221, 334, (2000). [26] I. Halidou, Z. Benzarti, T. Boufaden, B. El Jani, S. Juillaguet and M. Ramonda, Materials Science and Engineering, 110, 251, (2004). [27] S. E. Park, S. M. Lim, C. R. Lee, C. S. Kim and B. O, J. Cryst. Growth, 249, 487, (2003). [28] C. H. Kuo, S. J. Change, Y. K. Su, C. K. Wang, L. W. Wu. J. K. Sheu, T.C. Wen, J. M. Tsai, W. C. Lai and C. C. Lin, Solid State Electron., 47, 2019, (2003). [29] P. Vennegues, B. Beaumont, S. Haffouz, M. Vaille, P. Gibart, J. Cryst. Growth, 187, 167, (1998). [30] S. Haffouz, H. Lahreche, P. Vennegues, P. De Mierry, B. Beaumont, F. Ommnes, and P. Gibart. Appl. Phys. Letter. 73, 1278, (1998). [31] S. Haffouz, P. R. Hageman, V. Kirilyuk, L. Macht, J. L. Weyher, P. K. Larsen, Materials Science and Engineering, B97, 9, (2003).
Chapter 6 [1] S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode, Springer, Berlin, 1997. [2] S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part2, 34, L797, (1995). [3] H. Ishikawa, K. Yamanoto, T. Egawa, T. Soga, T. Jimbo, M. Umcno, J. Crystal Growth, 189/190, 178, (1998). [4] A. Strittmatter, A. Krost, M. Straβburg, Appl. Phys. Lett. 74, 1242, (1999). [5] J. W. Yang, C. J. Sun, Q. Chen, M. Z. Anwar, M. Asif Khan, S. A. Nikishin, G. A. Seryogin, Appl. Phys. Lett. 69, 3566, (1996). [6] A. Watanabe, T. Takeuchi, K. Hirosawa, J. Crystal Growth 128, 391, (1993). [7]C. I. Park, J. H. Kang, K. C. Kim, E. K. Suh, K. Y. Lim, K. S. Nahm, J. Crystal Growth 224, 190, (2001). [8] M. H. Kim, Y. G. Do, H. C. Kang, D. Y. Noh and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 79, 2713, (2001). [9] E. Feltin, B. Beaumont, M. Laügt, P. de Mierry, P. Vennegues, H. Lahreche, M. Leroux and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 79, 3230, (2001) [10] A. Reiher, J. Blasing, A. Dadgar, A. Diez and A. Krost, J. Cryst. Growth 248, 563, (2003). [11] H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, S. Nitta, C. Wetzel and I. Akasaki, Phys, Stat. Sol. (b) 216, 683, (1998). [12] A. Dadgar, J. Blasing, A. Diez, A. Alam, M. Heuken, A. Krost, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L1183, (2000). [13] G. Q. Hu, X. Kong, L. Wang, Y. Q. Wang, X. F. Duan, Y. Lu, X. L. Liu, J. Cryst. Growth, 256, 416, (2003). [14] Min-Ho, Young-Churl Bang, Nae-Man Park, Chel-Jong Choi, Tae-Yeon Seong, Seong-Ju Park, Appl. Phys. Lett., 78, 2858, (2001). [15] S. Tanaka, Y. Kawanguchi, N. Sawaki, Appl. Phys. Lett., 76, 2701, (2000). [16] K. Y. Zang, S. J. Chua, L. S. Wang, C. V. Thompson, Phys. Status Solidi (c) , 7, 2067, (2003). [17] S. A. Nikishin, V. G. Antipov, S. Francoeur, N. N. Faleev, G. A. Seryogin, V. A. Elyukhin, H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 75, 484, (1999). [18] s. A. Nikishin, N. N. Faleev, V. G. Antipov, S. Francoeur, L. Grave de Paralta, G. A. Seryogin, H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 75, 2073, (1999). [19] P. Chen, R. Zhang, Z. M. Zhao, D. J. Xi, B. Shen, Z. Z. Chen, Y. G. Zhou, S. Y. Xie, W. F. Lu, Y. D. Zheng, J. Cryst. Growth, 225, 150, (2001). [20] K. Y. Zang, L. S. Wang, S. J. Chua, C. V. Thompson, J. Cryst. Growth, 268, 515 (2004). [21] S. J. Chang, C. H. Chen, P. C. Chang, Y. K. Su, P. C. Chen, Y. D. Jhou, H. Hung, C. M. Wang and B. R. Huang, IEEE Tran. Electron. Dev. 50, 2567, (2003). [22] S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron. 8, 278, (2002). [23] S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron. 8, 744, (2002). [24] S. J. Chang, W. S. Chen, Y. C. Lin, C. S. Chang, T. K. Ko, Y. P. Hsu, C. F. Shen, J. M. Tsai and S. C. Shei, IEEE Tran. Adv. Packaging 29, 403, (2006) [25] Y. K. Su, S. J. Chang, S. C. Wei, S. M. Chen and W. L. Li, IEEE Tran. Dev. Mater. Reliability, 5, 277, (2005) [26] T. Egawa, B. Zhang and H. Ishikawa, IEEE Electron Dev. Lett. 26, 169, (2005).
|