跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(18.97.9.172) 您好!臺灣時間:2025/02/18 03:44
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

: 
twitterline
研究生:許育賓
研究生(外文):Yu-Pin Hsu
論文名稱:以有機金屬化學氣相磊晶法在藍寶石和矽基板上成長氮化物發光二極體元件
論文名稱(外文):The Growth and Fabrication of Nitride-based Semiconductor Light Emitting Diode on Sapphire and Si substrate by MOCVD
指導教授:張守進張守進引用關係
指導教授(外文):Shoou-Jinn Chang
學位類別:博士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:微電子工程研究所碩博士班
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:95
語文別:英文
論文頁數:135
中文關鍵詞:氮化物矽基板藍寶石
外文關鍵詞:GaN-basedSapphireSi substrate
相關次數:
  • 被引用被引用:4
  • 點閱點閱:469
  • 評分評分:
  • 下載下載:136
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
本論文探討以有機金屬化學氣相磊晶法在藍寶石和矽基板上成長氮化物,並利用氮化物研製藍光發光二極體。關於在研製氮化物藍光發光二極體方面,我們在藍寶石基板底部鍍上DBR和鋁金屬將背面的反射光反射回來,藉此提高其輸出功率。另外,我們亦利用乾蝕刻方式在藍寶石基板上蝕刻出條狀的圖案,再利用有機金屬氣相磊晶系統在已蝕刻的藍寶石基板上成長藍光發光二極體,我們亦可增加其輸出功率。除此之外,我們亦成功成長出幾種表面粗糙的技術,包含降低成長p-型氮化物溫度及利用矽在p-型氮化物做表面處理方式,之後再成長p-型氮化物,達到表面粗化的目的,進而降低光被全反射的機率,最後的結果也可提升發光功率。在最後,我們以有機金屬化學氣相磊晶法在矽基板上成功成長出發光二極體,在緩衝層部分,我們利用Al-pretreatment的方式在矽基板上做wetting層,以利於後面氮化物的成長。除此之外,我們利用低溫的氮化鋁層和圖案式的長法來減低應力的發生機率,避免裂痕的產生。因此我們利用上述幾個方式來開發出藍光發光二極體在矽基板上。
In this dissertation, the growth and fabrication of blue GaN-based multiple quantum well light emitting diodes on sapphire and Si (111) substrate have been studied by metalorganic chemical vapor phase deposition (MOCVD) technique. About the fabrication of blue GaN-based light emitting diodes, DBR and Al reflector were coated on bottom side of sapphire to reflected back the light which to improve the output power. On the other way, the strip masks on the sapphire substrate were patterned by dry etching technique and then blue light emitting diodes were grown on the pattern substrate to improve the output power by using the MOCVD system. In addition, several different rough surface techniques were successfully performed, including reducing the temperature of p-type GaN-based and using Si-treatment on the p-type GaN-based to achieve the p-type rough surface. It was found that the total output power would be improved with rough surface, which can reduce the probability of total reflection light. Finally, the GaN-based light emitting diodes were grown on the Si substrate by using the MOCVD system. In order to easily grow GaN-based layer on Si substrate, the Al pre-treatment as a wetting layer was performed on Si substrate. Besides, the low temperature AlN layer and patterned mask were performed to reducing the stress due to thermal mismatch. Therefore, the blue light emitting diodes were grown on the Si substrate.
Abstract
(in Chinese) …………………………………………………………………… i

Abstract
(in English) …………………………………………………………………… ii

Acknowledge
…………………………………………………………………… iv

Contents …………………………………………………………………… v

Table Captions …………………………………………………………………… vii

Figure Captions …………………………………………………………………… ix



CHAPTER 1 Introduction
1.1 Background …………………………………………………………… 1

CHAPTER 2 Metalorganic Chemical Vapor Deposition System
2.1 Introduction ……………………………………………………… 11
2.2 MOCVD Reactor ……………………………………………………… 14
2.3 In-Situ Technological Monitoring During III-Nitrides Growth … 16

CHAPTER 3 InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with a High Reflector at the backside of Sapphire Substrates
3.1 Introduction ……………………………………………………… 27
3.2 InGaN/GaN light emitting diodes with high reflector on the bottom of sapphire ………………………………………………………………………… 29

CHAPTER 4 Nitride-Based Light Emitting Diodes with patterned sapphire substrate
4.1 Introduction ………………………………………………………………… 40
4.2 Inductively Coupled Plasma Etching of Sapphire Substrate……… 41
4.3 Nitride-Based Light Emitting Diodes with patterned sapphire substrate………………………………………………………………………… 44

CHAPTER 5 Surface Roughness Morphology of p-GaN on InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes
5.1 Introduction ………………………………………………………………… 60
5.2 Lower temperature p-GaN Layer on InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes ………………………………………………………………… 61
5.3 Lower temperature p-AlInGaN Layer on InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes ………………………………………………………………… 65
5.4 The growth of p-GaN with Si treatment on InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes ……………………………………………………… 69

CHAPTER 6 High Brightness and Crack-free InGaN/GaN Light Emitting Diode On Si (111)
6.1 Introduction ………………………………………………………………… 99
6.2 The growth of buffer layer on Si (111) substrate ……………… 100
6.3 Growth and fabrication of GaN based LED on Si (111) substrate 102

CHAPTER 7 Conclusions …………………………………………………………… 128
Chapter 1
[1] Y.-F. Wu, B.P. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S.P. Denbaars, and U.K. Mishra,Appl. Phys. Lett. 69, 1438 (1996).
[2] R. Juza and H. Hahn, Zeitschr. Anorgan. Allgem. Chem., 234, 282 (1994)
[3] H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett., 15, 367(1969)
[4] J. Pankove, E. Miller, D. Richmann, and J. Berkeyhesiser, J. Lumin. 4, 63 (1971)
[5] H. Amano, I. Akasaki, T. Kozowa, K. Hiramatsu, N. Sawak, K. Ikeda, and Y. Ishii, J. Luminescence 40-41, 121 (1998)
[6] S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258 (1992)
[7] D.L. Barton, M. Osinski, C.J. Helms, N.H. Berg, B.S. Phillips, SPIE-Int. Soc. Opt.Eng 2694, 64 (1996).
[8] A.T. Ping, Q. Chen, J.W. Yang, M.A. Khan, I. Adesida, IEEE Electron Device
Letters 19, 54 (1998).
[9] H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986)
[10] T. Detchprohm, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth, 128, 384 (1993).
[11] J. E. Jaffe and A. C. Hess, Phys. Rev. B, 48, 7903 (1993).
[12] T. Egawa, B. Zhang, N. Nishikawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, J. Appl. Phys. 91, 528 (2002).
[13] A. Dadgar., A. Strittmatter, J. Bläsing, M. Poschenrieder, O. Contreras, P. Veit, T. Riemann, Phys. Stat. Sol. (c), No. 6, 1583 (2003).
[14] Chung-Lin Wu, Jhih-Chun Wang, Meng-Hsuan Chan, Tom T. Chen, and Shangjr Gwo, Appl. Phys. Lett. 83, 4530 (2003).
[15] Bernard Gil, “ Group III nitride Semiconductor Compounds”, p 33 (Clarendon Press, Oxford, 1998).
[16] S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Graford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995).
[17] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H.
Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl Phys. Lett. 72, 211 (1998).
[18] P. Kozodoy, J.P. Ibbetson, H. Marchand, P.T. Fini, S. Keller, J.S. Speck, S.P.Denbaars, and U.K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998).
[19] J.T. Torvik, J.I. Pankove, E. Iliopoulos, H.M. Ng, and T.D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 72, 244 (1998).
[20] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H.
Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, K Chocho, Appl. Phys.
Lett. 72, 2014 (1998).
[21] S. Nakamura, G. Fasol. The Blue Laser Diode, Springer, Berlin, (1997).
[22] T.Wang, H. Saeki, J. Bai, T. Shirahama, M. Lachab, S. Sakai, P. Eliseev, Appl. Phys. Lett. 76, 1737 (2000).
[23] Mee-Yi Ryu, Young Jun Yu, Phil Won Yu, Eun-Joo Shin, Joo In Lee, Sung Kyu Yu, J. Korean Phys. Soc. 37, 989 (2000).
[24] T. Wang, J. Bai, S. Sakai, J. Crystal Growth, 224, 5 (2001).
[25] J. C. Harris, H. Brisset, Takao Someya, Yasuhiko Arakawa, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 2613 (1999).
[26] S. Keller, B. P. Keller, D. Kapolnek, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, I. K. Shmagin, R. M. Kolbas, S. Krishnankutty, J. Crystal Growth 170, 349 (1997).
[27] E. L. Piner, M. K. Behbehani, N. A. Ei-Masry, F. G. McIntosh, J. C. Roberts, K. S. Boutros and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett., 70, 461 (1997).
[28] H. Amano M. Kito, K. Hiramatsu, and I Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2112 (1989).
[29] H. Amano, M. Kito, K. Hriamatsu, and I Akasaki, Inst. Phys. Conf. Ser. 106, 725 (1989).
[30] S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31,L139 (1992).
[31] S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31,L1258 (1992).
[32] S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
[33] M. Schauler, C. Kirchner, M. Mayer, A. Pelzmann, F. Eberhard, M. Kamp, P. Unger, and K. J. Ebeling, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2. 44 (1997).
[34] H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umeazki, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997).
[35] K. V. Vassilevski, M. G. Rastegaeva, A. I. Babanin, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 38 (1996).
[36] D. J. King, L. Zhang, J. C. Ramer, S. D. Hersee, and L. F. Lester, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 421 (1997).
[37] L. F. Lester, D. J. King, L. Zhang, J. C. Ramer, S. D. Hersee, and J. C. Zolper, Proc. Electrochem. Soc. 97-1, 171 (1997).
[38] T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, and M. Koike, Appl. Phys. Lett, 69, 3537 (1996).
[39] T. Kim, J. Kim, S. Chae, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 427 (1997).
[40] J. T. Trexler, S. J. Pearton, P. H. Holloway, H. G. Mier, K. R. Evans, and R. F. Karlicek, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1091 (1997).
[41] L. L. Smith, M. D. Bremser, E. P. Carlson, T. W, Weeks, Jr., T. Huang, M. J. Kim, R. W. Carpenter, and R. F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 861 (1996).
[42] J. T. Trexler, S. J. Miller, P. H. Holloway, and M. A. Khan, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 819 (1996).
[43] T. Kim, M. C. Yoo, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1061 (1997).

Chapter 2
[1] S. Nakamura, T. Muksi, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
[2] H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett., 15, 367 (1969).
[3] H. M. Manasevit, F. Erdmann and W. Simpson, J. Electrochem. Soc., 118, 1864 (1971).
[4] S. P. DenBaar, B. Y. Maa, P. D. Dapkus and H. C. Lee, J. Cryst. Growth. 77, 188 (1986).
[5] S. Nakamura, Y. Harada, M. Seno, Appl. Phys. Lett., 58, 2021 (1991).
[6] S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., 30, 1348 (1991).
[7] H. Amano, I. Akasak, K. Hiramatsu and N. Koide, Thin Solid Film, 163, 415 (1988).
[8] S. L. Wright, T. N. Jackson, and R. F. Marks, J. Vac. Sci. & Technol. B8, 288 (1990).

Chapter 3
[1] Y K. Su, S. J. Chang, C. H. Ko, J. F. Chen, W. H. Lan, W. J. Lin, Y. T. Cherng and J. Webb, IEEE Tran. Electron. Dev., 49, 1361, (2002)
[2] S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron., 8, 744, (2002).
[3] T. C. Wen, S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, W. C. Lai C. H. Kuo, C. H. Chen, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Tran. Electron. Dev., 49, 1093, (2002).
[4] C. H. Kuo, S. J. Chang, Y K. Su, J. F. Chen, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett., 23, 240, (2002).
[5] C. S. Chang, Y. K. Su, P. T. Chang, Y. R. Wu, K. H. Huang, and T. P Chen, IEEE Photonics Technol. Lett. 9,182 (1997)
[6] T Honda, T. Sakaguchi, F. Koyama, K. Iga, K. Yanashima, K. Inoue, H. Munekata, and H. Kukimoto, J. Appl. Phys., 78, 4784, (1995).
[7] W. C. Lai, S. J. Chang, M. Yokoyama, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., 13, 559, (2001).
[8] Y. K. Su, S. J. Chang, C. H. Chen, J. F. Chen, G. C. Chi. J. K. Sheu, W. C. Lai and J. M. Tsai, IEEE Sensors Journal, 2, 366 (2002).
[9] J. K. Sheu, M. L. Lee, C. J. Tun, C. J. Kao, L. S. Yeh, S. J. Chang and G. C. Chi, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron., 8, 767, (2002).
[10] C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Kuo and Y. C. Lin, IEEE Photo. Technol. Lett., 14, 908, (2002).
[11] L. W. Wu, S. J. Chang, T. C. Wen, Y. K. Su, W. C. Lai, C. H. Kuo, C. H. Chen and J. K. Sheu, IEEE J. Quantum. Electron., 38, 446, (2002).
[12] J. K. Sheu, C. J. Pan, G. C. Chi, C. H. Kuo, L. W. Wu, C. H. Chen, S. J. Chang and Y. K. Su, IEEE Photon. Technol. Lett., 14, 450, (2002).
[13] S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron., 8, 278, (2002).
[14] C. H. Chen, Y. K. Su, S. J. Chang, G. C. Chi, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE Electron. Dev. Lett., 23, 130, (2002).
[15] J. K. Sheu, J. M. Tsai, S. C. Shei, W. C. Lai, T. C. Wen, C. H. Kou, Y. K. Su, S. J. Chang and G. C. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett., 22, 460, (2001).
[16] C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., 13, 848, (2001)

Chapter 4
[1] S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1678 (1994).
[2] S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron. 8, 744, (2002).
[3] I. Akasaki and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 5393, (1997)
[4] C. H. Kuo, S. J. Chang, Y K. Su, J. F. Chen, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett. 23, 240, (2002).
[5] W. C. Lai, S. J. Chang, M. Yokoyama, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett. 13, 559, (2001)
[6] S. D. Lester, M. J. Ludowise, K. P. Killeen, B. H. Perez, J. N. Miller, and S. J. Rosner, J. Cryst. Growth 189, 786, (1998).
[7] H. Kudo, K. Murakami, R. Zheng, Y. Yamada, T. Taguchi, K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada and K. Kata, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 2484, (2002)
[8] I. Kidoguchi, A. lshibashi, G. Sugahara and Y. Ban, Appl. Phys. Lett. 76, 3768, (2000).
[9] T. Mukai, K. Takekawa and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L839, (1998)
[10] A. M. Rokowski, P. Q. Miraglia, E. A. Prele, S. Einfeldt and R. F. Davis, J. Crystal Growth 241, 141, (2002)
[11] K. Tadatomo, H. Okagawa, T. Tsunekawa, T. Jyouichi, Y. Imada, M. Kato, H. Kudo and T. Taguchi, Phys. Stat. Sol. (a) 188, 121, (2001).
[12] S. J. Chang, Y. C. Lin, Y. K. Su, C. S. Chang, T. C. Wen, S. C. Shei, J. C. Ke, C. W. Kuo, S. C. Chen and C. H. Liu, Solid State Electron. 47, 1539, (2003)
[13] C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Kuo and Y. C. Lin, IEEE Photo. Technol. Lett. 14, 908, (2002).
[14] L. W. Wu, S. J. Chang, T. C. Wen, Y. K. Su, W. C. Lai, C. H. Kuo, C. H. Chen and J. K. Sheu, IEEE J. Quantum. Electron. 38, 446, (2002).
[15] Y. C. Lin, S. J. Chang, Y. K. Su, T. Y. Tsai, C. S. Chang, S. C. Shei, S. J. Hsu, C. H. Liu, U. H. Liaw, S. C. Chen and B. R. Huang, IEEE Photon. Technol. Lett. 14, 1668, (2002).
[16] S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron. 8, 278, (2002).
[17] S. J. Chang, C. H. Chen, Y. K. Su, J. K. Sheu, W. C. Lai, J. M. Tsai, C. H. Liu and S. C. Chen, IEEE Electron. Dev. Lett. 24, 129, (2003).
[18] Y. Z. Chiou, S. J. Chang, Y. K. Su, C. K. Wang, T. K. Lin and B. R. Huang, IEEE Tran. Electron. Dev. 50, 1748, (2003).
[19] L. W. Wu, S. J. Chang, Y. K. Su, R. W. Chuang, T. C. Wen, C. H. Kuo, W. C. Lai, C. S. Chang, J. M. Tsai and J. K. Sheu, IEEE Tran. Electron. Dev. 50, 1766, (2003).
[20] S. J. Chang, M. L. Lee, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. K. Su, C. S. Chang, C. J. Kao, G. C. Chi and J. M. Tsai, IEEE Electron. Dev. Lett. 24, 212, (2003)

Chapter 5
[1] S. Nakamura, and G. Fasol, The Blue Laser Diode, Springer, Berlin, 1997.
[2] S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part2, 34, L797, (1995).
[3] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamade, H. Kiyoko and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., 35, L74, (1996).
[4] C. H. Kuo, S. J. Chang, Y K. Su, J. F. Chen, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett., 23, No. 5, 240, (2002).
[5] W. C. Lai, S. J. Chang, M. Yokoyama, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., 13, 559, (2001).
[6] S. D. Lester, M. J. Ludowise, K. P. Killeen, B. H. Perez, J. N. Miller and S. J. Rosner, J. Cryst. Growth, 189, 786, (1998).
[7] Y. Z. Chiou, Y. K. Su, S. J. Chang, J. F. Chen, C. S. Chang, S. H. Liu, I. C. Lin and C. H. Chen, Jpn. J. Appl. Phys., 41, 3643, (2002).
[8] J. K. Sheu, C. J. Pan, G. C. Chi, C. H. Kuo, L. W. Wu, C. H. Chen, S. J. Chang and Y. K. Su, IEEE Photon. Technol. Lett., 14, 450, (2002).
[9] S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE J. Selected topics in Quan. Electron., 8, 278, (2002).
[10] C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE J. Selected topics in Quan. Electron., 8, 284, (2002).
[11] C. H. Chen, Y. K. Su, S. J. Chang, G. C. Chi, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE Electron. Dev. Lett., 23, 130, (2002).
[12] C. H. Ko, S. J. Chang, Y. K. Su, W. H. Lan, J. F. Chen, T. M. Kuan, Y. C. Huang, C. I. Chiang, J. Webb and W. J. Lin, Jpn. J. Appl. Phys. Lett., 41, L226, (2002).
[13] J. K. Sheu, C. J. Tun, M. S. Tsai, C. C. Lee, G. C. Chi, S. J. Chang and Y. K. Su, J. Appl. Phys., 91, 1845, (2002).
[14]C. H. Kuo, S. J. Chang, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi, Jpn. J. Appl. Phys. Lett., 41, L112, (2002).
[15] C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., 13, 848, (2001).
[16] W. C. Lai, S. J. Chang, M. Yokoyama, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 13, 559, (2001).
[17] Y. K. Su, Y. Z. Chiou, F. S. Juang, S. J. Chang and J. K. Sheu, Jpn. J. Appl. Phys., 40, 2996, (2001).
[18] C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. K. Sheu and I. C. Lin, Jpn. J. Appl. Phys., 40, 2762, (2001).
[19] S. J. Chang, Y. K. Su, T. L. Tsai, C. Y. Chang, C. L. Chiang, C. S. Chang, T. P. Chen and K. H. Huang, Appl. Phys. Lett., 78, 312, (2001).
[20] K. S. Ramaiah, Y. K. Su, S. J. Chang, F. S. Juang and C. H. Chen, J. Crystal Growth, 220, 405, (2000).
[21] W. C. Lai, M. Yokoyama, S. J. Chang, J. D. Guo, C. H. Sheu, T. Y. Chen, W. C. Tsai, J. S. Tsang, S. H. Chang and S. M. Sze, Jpn. J. Appl. Phys. Lett., 39, L1138, (2000).
[22] C. H. Kuo, S. J. Chang, Y K. Su, J. F. Chen, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett. 23, 240, (2003).
[23] C. H. Kuo, S. J. Chang, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 41, L112, (2002).
[24] S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron. 8 ,744, (2002).
[25] S. Sakai, .T.Wang, Y. Morishima and Y. Naoi. J. Crystal Growth, 221, 334, (2000).
[26] I. Halidou, Z. Benzarti, T. Boufaden, B. El Jani, S. Juillaguet and M. Ramonda, Materials Science and Engineering, 110, 251, (2004).
[27] S. E. Park, S. M. Lim, C. R. Lee, C. S. Kim and B. O, J. Cryst. Growth, 249, 487, (2003).
[28] C. H. Kuo, S. J. Change, Y. K. Su, C. K. Wang, L. W. Wu. J. K. Sheu, T.C. Wen, J. M. Tsai, W. C. Lai and C. C. Lin, Solid State Electron., 47, 2019, (2003).
[29] P. Vennegues, B. Beaumont, S. Haffouz, M. Vaille, P. Gibart, J. Cryst. Growth, 187, 167, (1998).
[30] S. Haffouz, H. Lahreche, P. Vennegues, P. De Mierry, B. Beaumont, F. Ommnes, and P. Gibart. Appl. Phys. Letter. 73, 1278, (1998).
[31] S. Haffouz, P. R. Hageman, V. Kirilyuk, L. Macht, J. L. Weyher, P. K. Larsen, Materials Science and Engineering, B97, 9, (2003).

Chapter 6
[1] S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode, Springer, Berlin, 1997.
[2] S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part2, 34, L797, (1995).
[3] H. Ishikawa, K. Yamanoto, T. Egawa, T. Soga, T. Jimbo, M. Umcno, J. Crystal Growth, 189/190, 178, (1998).
[4] A. Strittmatter, A. Krost, M. Straβburg, Appl. Phys. Lett. 74, 1242, (1999).
[5] J. W. Yang, C. J. Sun, Q. Chen, M. Z. Anwar, M. Asif Khan, S. A. Nikishin, G. A. Seryogin, Appl. Phys. Lett. 69, 3566, (1996).
[6] A. Watanabe, T. Takeuchi, K. Hirosawa, J. Crystal Growth 128, 391, (1993).
[7]C. I. Park, J. H. Kang, K. C. Kim, E. K. Suh, K. Y. Lim, K. S. Nahm, J. Crystal Growth 224, 190, (2001).
[8] M. H. Kim, Y. G. Do, H. C. Kang, D. Y. Noh and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 79, 2713, (2001).
[9] E. Feltin, B. Beaumont, M. Laügt, P. de Mierry, P. Vennegues, H. Lahreche, M. Leroux and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 79, 3230, (2001)
[10] A. Reiher, J. Blasing, A. Dadgar, A. Diez and A. Krost, J. Cryst. Growth 248, 563, (2003).
[11] H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, S. Nitta, C. Wetzel and I. Akasaki, Phys, Stat. Sol. (b) 216, 683, (1998).
[12] A. Dadgar, J. Blasing, A. Diez, A. Alam, M. Heuken, A. Krost, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L1183, (2000).
[13] G. Q. Hu, X. Kong, L. Wang, Y. Q. Wang, X. F. Duan, Y. Lu, X. L. Liu, J. Cryst. Growth, 256, 416, (2003).
[14] Min-Ho, Young-Churl Bang, Nae-Man Park, Chel-Jong Choi, Tae-Yeon Seong, Seong-Ju Park, Appl. Phys. Lett., 78, 2858, (2001).
[15] S. Tanaka, Y. Kawanguchi, N. Sawaki, Appl. Phys. Lett., 76, 2701, (2000).
[16] K. Y. Zang, S. J. Chua, L. S. Wang, C. V. Thompson, Phys. Status Solidi (c) , 7, 2067, (2003).
[17] S. A. Nikishin, V. G. Antipov, S. Francoeur, N. N. Faleev, G. A. Seryogin, V. A. Elyukhin, H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 75, 484, (1999).
[18] s. A. Nikishin, N. N. Faleev, V. G. Antipov, S. Francoeur, L. Grave de Paralta, G. A. Seryogin, H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 75, 2073, (1999).
[19] P. Chen, R. Zhang, Z. M. Zhao, D. J. Xi, B. Shen, Z. Z. Chen, Y. G. Zhou, S. Y. Xie, W. F. Lu, Y. D. Zheng, J. Cryst. Growth, 225, 150, (2001).
[20] K. Y. Zang, L. S. Wang, S. J. Chua, C. V. Thompson, J. Cryst. Growth, 268, 515 (2004).
[21] S. J. Chang, C. H. Chen, P. C. Chang, Y. K. Su, P. C. Chen, Y. D. Jhou, H. Hung, C. M. Wang and B. R. Huang, IEEE Tran. Electron. Dev. 50, 2567, (2003).
[22] S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron. 8, 278, (2002).
[23] S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron. 8, 744, (2002).
[24] S. J. Chang, W. S. Chen, Y. C. Lin, C. S. Chang, T. K. Ko, Y. P. Hsu, C. F. Shen, J. M. Tsai and S. C. Shei, IEEE Tran. Adv. Packaging 29, 403, (2006)
[25] Y. K. Su, S. J. Chang, S. C. Wei, S. M. Chen and W. L. Li, IEEE Tran. Dev. Mater. Reliability, 5, 277, (2005)
[26] T. Egawa, B. Zhang and H. Ishikawa, IEEE Electron Dev. Lett. 26, 169, (2005).
連結至畢業學校之論文網頁點我開啟連結
註: 此連結為研究生畢業學校所提供,不一定有電子全文可供下載,若連結有誤,請點選上方之〝勘誤回報〞功能,我們會盡快修正,謝謝!
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top