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(18.206.76.226) 您好！臺灣時間：2021/07/30 23:21

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 本論文使用不同長度之錫銀銅銲錫薄膜結構的邊緣移動技術來計算錫銀銅銲錫薄膜受電致遷移之參數，試片結構經圖案化後銅/鈦結構，經由迴銲和拋光形成Blech結構，之後利用focus ions beam（FIB）切割成不同長度，後續再利用掃瞄式電子顯微鏡與原子力顯微鏡觀察不同長度之錫銀銅銲錫薄膜Blech結構在通電前後的之變化，經計算可得到該電流密度下與溫度下之門檻長度。這些數值代表錫銀銅銲錫在該電流密度與溫度下不會經由電遷移效應之破壞的最短長度。
 Critical length of lead-free solder has not been measure because it is very difficult to prepare short solder stripe. In this study, By employing focus ion beam, solder stripes of various lengths, including 5, 10, 15, 20, 30, 100, and 200 μm, can be fabricated.Length dependent electromigration behavior was observed, which implies that there may be back stress under current stressing. We can determine the critical length under testing condition under 2~4×104 A/cm2 at 100-150℃, the critical product is 20~30 A/cm and critical length is 10~15 μm
 第1章 序論 ………………………………………………11.1 電子封裝概要 …………………………………………11.2電遷移對微結構的影響 …………………………………41.3為什麼要使用錫銀銅銲錫 ………………………………51.4 錫銀銅銲錫之電遷移臨界長度 ………………………7第2章 電遷移理論 ……………………………………………82-1電遷移之概述 ……………………………………………82-2電遷移之驅動力 …………………………………………112-3電遷移之背向應力 ………………………………………16第3章 實驗 ……………………………………………………173-1 Blech試片的製備 …………………………………………173-2 電遷移測試條件 ……………………………………………213-3 電遷移3D-modeling…………………………………………263-4 分析技術 ……………………………………………………27第4章 結果與討論 ………………………………………………284-1 試片微結構與溫度量測 …………………………………284-2 SnAg3.8Cu0.7銲錫之Critical product量測 ……………354-3 SnAg3.8Cu0.7銲錫薄膜之電流密度模擬 …………………404-4 SnAg3.8Cu0.7銲錫薄膜電遷移微結構分析 ………………514-5 critical product之討論 …………………………………57
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