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研究生:徐錦彥
論文名稱:電漿去除配向膜製程研究
論文名稱(外文):The study of polyimide removal by plasma
指導教授:林義成林義成引用關係
學位類別:碩士
校院名稱:國立彰化師範大學
系所名稱:機電工程學系
學門:工程學門
學類:機械工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2007
畢業學年度:95
語文別:中文
論文頁數:61
中文關鍵詞:電容耦合式電漿配向膜剝離速率
外文關鍵詞:Capacitively coupledPolyimideStripping rate
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本研究採用電容耦合式電漿系統,以電漿清洗取代一般濕式清洗作為實驗的方法,利用電漿清洗的原理在有配向膜的玻璃基板上進行去除的實驗,因此本研究採取田口實驗法探討電漿清洗的參數,主要針對製程參數、射頻功率、氣體流量、和處理時間等的參數進行調變,經由田口實驗計劃中得知電漿功率及處理時間對去除配向膜的變化影響最大,氣體流量影響最小,在相同條件下,剝離速率和RF功率成正比,RF功率愈高,所去除膜厚愈多。
This research applies capacitively coupled plasma sysem . With plasma
clean to replace the generally wet cleaning the experiment of methed﹒ Making use of the plasma cleaning of the principle is having already polyimide with the glass﹐so this research adopts the parameter that the Taguchi method study plasma to clean﹐mainly aiming at the manufacturing process parameter﹐RF power﹐gas flow﹐with the transaction time with the parameter carries on the modulate ﹐checks through the Taguchi method to know the RF powe and the transaction time in the plan biggest to the variety influence that cleans to go together with polyimide﹐the gas flow influence is minimum﹐under the same condition﹐the stripping rate and the RF power become the direct proportion﹒As the RF power is higher﹐the film cleaned is thicker﹒
摘要 I
謝誌 III
目次 IV
表次 VII
圖次 VIII

第一章 緒論 1
1-1 研究背景與動機 1
1-2 研究目的 1
1-3 名詞解釋 3

第二章 理論分析與文獻探討 5
2-1 配向膜 5
2-1-1 聚亞醯胺 5
2-1-2 聚亞醯胺之特性 6
2-1-3 配向技術 7
2-1-4 配向膜去除的目的 7
2-2 電漿 8
2-2-1電漿的成份 9
2-2-2 電漿的產生 10
2-2-3 電漿磁場 12
2-3電漿中的碰撞 12
2-3-1離子化 12
2-3-2 激發-鬆弛 14
2-3-3分解 15
2-4 電漿的參數 16
2-4-1 功率 16
2-4-2 壓力 16
2-4-3 溫度 18
2-4-4 氣體流量 19
2-5 電漿清洗去除原理 19
2-6 電阻量測 23
2-6-1 四點探針量測法 23
2-6-2 片電阻 23
2-7 田口式品質工程原理及說明 24

第三章 研究方法 26
3-1 實驗流程 26
3-2 電漿系統 28
3-3 材料與試片準備 32
3-4 試片量測分析 33
3-5 電性量測 34
3-6 田口品質工程實驗 34
3-6-1 建立因子水準 34
3-6-2 直交表與S/N比 34
3-6-3 回應表 38

第四章 結果與討論 39
4-1 剝離速率 39
4-1-1 RF功率對剝離速率的影響 39
4-1-2 基板溫度對剝離速率的影響 39
4-1-3 流量對剝離速率的影響 42
4-1-4 ITO之片電阻變化分析 42
4-2 田口實驗分析 45
4-2-1 直交表分析 45
4-2-2 因子分類累積類別資料分析 46
4-2-3 因子分類累積類別機率資料分析 48
4-2-4 各個因子S/N 48
4-2-5 各個影響因子效果分析 55
4-3 最佳化確認 55

第五章 結論與未來研究 57
5-1 結論 57
5-2 未來研究方向 58
參考文獻 59

表次
表1 ITO阻抗規格表 32
表2 PI成份表 32
表3 電漿去除配向膜製程參數的因子 35
表4 L4直交表及因子配置 36
表5 L4直交表之實驗參數配置 37
表6 分類資料 46
表7 分類累積類別資料 48
表8 分類累積類別機率資料 49
表9 最佳參數水準之確認實驗 55
表10 累積類別預測機率 55

圖次
圖1 電漿產生程序 9
圖2 電容耦合型電漿源 10
圖3 電子碰撞前後的離子化碰撞 13
圖4 激發碰撞前後示意圖 14
圖5 鬆弛示意圖 15
圖6 MFP碰撞示意圖 17
圖7 電漿清洗示意圖 21
圖9四點探針儀器之結構 24
圖10 電漿系統概念圖 26
圖11 電漿系統動作示意圖 31
圖12 膜厚量測位置圖 33
圖13 室溫下RF功率與剝離速率的關係圖 39
圖14 RF功率10kw 基板溫度與剝離速率的關係圖 40
圖15 RF功率10kw流量與剝離速率的關係圖 42
圖16 RF 15kw 溫度和電阻的關係 43
圖17 電漿功率因子效果繪圖 50
圖18 O2流量因子效果繪圖 51
圖19 處理時間因子效果繪圖 52
圖20控制因子對S/N回應圖 53
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