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研究生:謝繼祥
論文名稱:合成具腈基取代之多並苯衍生物及此類化合物在場效電晶體之應用
論文名稱(外文):Synthesis of cyano substituted acene derivatives and their application in field effect transistor
指導教授:林質修陳建添陳建添引用關係
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣師範大學
系所名稱:化學系
學門:自然科學學門
學類:化學學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2007
畢業學年度:95
語文別:中文
論文頁數:170
中文關鍵詞:多並苯腈基場效電晶體
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本篇論文之目標為使用具有腈基取代之多並苯為負型半導體材料於製成有機場效電晶體。藉由加長反應及鈀金屬催化下之腈基取代反應以獲得具有適當多並苯化合物,探討光學與電學性質,並依據其晶體結構資訊做理論計算,對此類化合物之載子移動率作一研究,後進行元件製作,並改進製程期望能獲得良好之半導體元件。
Abstract

The main goal of this dissertation is to construct organic field effect transistors based on cyanoacene derivatives as the N-type semiconductors. The appropriate acene compounds are synthesized via a new homoelongation reaction and palladium catalyzed cyanation reactions. The photophysical and electrochemical properties of these materials are investigated. The solid state packing of selected compounds are determined by X-ray crystallography. Based on the crystal structure, the charge mobilities within these new materials are estimated by theoretical calculation. Various techniques are also employed to optimize the performance of these compounds in devices.
章節目錄
中文摘要 ………………………………………………………………I
英文摘要 ………………………………………………………………II
章節目錄 ………………………………………………………………IV
圖表目錄 ………………………………………………………………VI
第一章 緒論 …………………………………………………………1
1-1 前言 …………………………………………………………1
1-2 半導體材料簡介 ………………………………………………3
1-3 有機場效電晶體簡介……………………………………………5
1-3.1 正型有機場效電晶體材料簡介 …………………………..11
1-3.2 負型有機場效電晶體材料簡介 …………………………..14
1-4 多並苯類化合物合成方式回顧 ……………………………18
第二章 結果與討論 ………………………………………………31
2-1 研究動機 ……………………………………………………31
2-2 合成設計………………………………………………………31
2-3 合成……………………………………………………………38
2-4 具腈基之多並苯光學電學性質探討…………………………49
2-4.1 化合物光物理性質探討 …………………………………49
2-4.2 電化學性質 ………………………………………………55
2-5 理論計算與晶體結構 …………………………………………58
2-6 元件製作 …………………………………………………65
2-7 結論 …………………………………………………………79
第三章 實驗部分 …………………………………………………80
3-1 測試儀器 ……………………………………………………80
3-2 實驗步驟 ……………………………………………………83
參考文獻 ……………………………………………………………102
圖譜附錄 ……………………………………………………………104
化合物之1H NMR 光譜
化合物之13C NMR 光譜
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