跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(18.97.14.82) 您好!臺灣時間:2025/01/17 05:37
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:郭弘憲
研究生(外文):Hung-Hsien Kuo
論文名稱:化學機械研磨墊使用壽命分析之研究
論文名稱(外文):Study on the chemical mechanical polishing (CMP) pad life time extension
指導教授:江海邦
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣海洋大學
系所名稱:光電科學研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2007
畢業學年度:95
語文別:中文
論文頁數:50
中文關鍵詞:化學機械研磨研磨墊修整器缺陷率平坦度
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:802
  • 評分評分:
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
半導體製程中要達到全域平坦化最有效的辦法,就屬化學機械研磨,
同時也是眾多奈米技術製程中,改善空間最大及不可或缺的重要製程步驟。
而化學機械研磨製程最主要耗材即是研磨墊;研磨墊使用壽命的長短,更是關係到成本考量、甚至包含製程穩定性等的重要因素;因此,各家半導體廠無不希望能夠在兼顧製程穩定度的前提下,設法延長研磨墊使用壽命,進而節省成本,提升企業競爭力。
目前化學機械研磨相關研究,大多探討研磨墊與修整器的關係,其實,在不改變製程變異性前提下,若能想盡辦法延長研磨墊使用壽命,便能更貼切符合國內各半導體廠要求;而本實驗論文,就是在不改變製程變異性而對研磨墊使用周期做分析探討,也就是在不動到修整情況下來實驗,此外,關於研磨墊的修整對於研磨墊特性影響的研究,這個領域目前並沒有完整的理論根據與驗證,因此相當值得後續對研磨墊特性與修整之間的關係,進行更深入的研究與討論。
最終目的,是希望歸納出研磨墊最大使用壽命,且爾後能再搭配其他製程參數,讓整個研磨技術發揮到最大功效;最終結果也是令人滿意的,從晶圓的表面平坦度、晶圓缺陷率以及研磨厚度(晶圓移除率) ,都可證實研磨墊最大使用壽命。
目錄
中文摘要 ................................................. I
英文摘要 ................................................. Ⅱ
致謝 ..................................................... Ⅲ
目錄 ..................................................... IV
第一章 緒論
1.1 前言 ............................................... 1
1.2 何謂CMP? ........................................... 2
1.3 文獻回顧 ........................................... 4
1.4 研究動機 ........................................... 6

第二章 化學機械研磨製程介紹
2.1 CMP原理 ............................................ 8
2.2 CMP主要影響因素 .................................... 10
2.2.1 研磨墊 ....................................... 11
2.2.2 修整器 ....................................... 14
2.2.3 研磨液 ....................................... 18

第三章 實驗設備儀器與規劃
3.1 實驗設備儀器 ....................................... 20
3.2 實驗製程參數項目 ................................... 22
3.3 實驗規劃 ........................................... 23











第四章 結果分析討論
4.1 晶圓缺陷率 ......................................... 24
4.1.1 研磨墊#1 ..................................... 24
4.1.2 研磨墊#2 ......................................28
4.2 晶圓平坦度 ......................................... 31
4.2.1 研磨墊#1 ..................................... 31
4.2.2 研磨墊#2 ..................................... 37
4.3 晶圓移除率 ......................................... 42
4.3.1 研磨墊#1 ..................................... 42
4.3.2 研磨墊#2 ..................................... 43

第五章 結論與未來展望
5.1 結論 ............................................... 44
5.2 未來展望 ........................................... 47

附錄 參考文獻 ............................................. 48











圖目錄
第一章 緒論
圖1-1 CMP化學機械研磨示意圖.............................. 3
圖1-2 研磨墊使用率分布圖................................. 6

第二章 化學機械研磨製程介紹
圖2-1 CMP 對晶片表面進行平坦化機......................... 8
圖2-2 化學機械研磨機構示意圖............................. 9
圖2-3 組合式研磨墊(IC 1000/SUBA IV)剖面圖............. 13
圖2-4 研磨墊表面在使用前後的氣孔堵塞狀況….............. 14
圖2-5 修整與否對於研磨速率之影響趨勢圖.................. 15
圖2-6 修整器壓力過大的研磨墊表面型態.................... 16
圖2-7 修整器壓力過小的研磨墊表面型態.................... 16
圖2-8 修整器壓力適當的研磨墊表面型態.................... 17

第三章 實驗設備儀器與規劃
圖3-1 EBARA EPO-222 機型外觀............................ 20
圖3-2 EBARA EPO-222 化學機械研磨機構實體圖.............. 21

第四章 結果分析討論
圖4-1 研磨墊#1超過使用週期缺陷率比較圖.................. 25
圖4-2 P33705900A 第1片晶圓缺陷圖........................ 26
圖4-3 P33705900A 第12片晶圓缺陷圖....................... 26
圖4-4 P33705900A 第25片晶圓缺陷圖....................... 27
圖4-5 研磨墊#2超過使用週期缺陷率比較圖.................. 28
圖4-6 P33403500A 第1片晶圓缺陷圖........................ 29
圖4-7 P33403500A 第12片晶圓缺陷圖....................... 29
圖4-8 P33403500A 第25片晶圓缺陷圖....................... 30
圖4-9 P33407100A 第1片晶圓Thickness & Range............. 32
圖4-10 P33407100A 第12片晶圓Thickness & Range............ 33
圖4-11 P33407100A 第25片晶圓Thickness & Range............ 33
圖4-12 P33705900A 第1片晶圓Thickness & Range............. 34
圖4-13 P33705900A 第12片晶圓Thickness & Range............ 35
圖4-14 P33705900A 第25片晶圓Thickness & Range............ 35
圖4-15 P33614000A 第1片晶圓Thickness & Range............. 37
圖4-16 P33614000A 第12片晶圓Thickness & Range............ 38
圖4-17 P33614000A 第25片晶圓Thickness & Range............ 38
圖4-18 P33606100A 第1片晶圓Thickness & Range............. 39
圖4-19 P33606100A 第12片晶圓Thickness & Range............ 40
圖4-20 P33606100A 第25片晶圓Thickness & Range............ 40
圖4-21 研磨墊#1 SiO2介電層移除量趨勢圖................... 42
圖4-22 研磨墊#2 SiO2介電層移除量趨勢圖................... 43

















表目錄
第一章 緒論
表1-1 研磨墊使用率分布表................................. 6

第二章 化學機械研磨製程介紹
表2-1 研磨液組成........................................ 19

第三章 實驗設備儀器與規劃
表3-1 實驗製程參數項目設定.............................. 22

第四章 結果分析討論
表4-1 研磨墊#1超過使用週期缺陷率比較表.................. 25
表4-2 研磨墊#2超過使用週期缺陷率比較表.................. 28
[1] 土肥俊郎等著,王建榮,林必窈,林慶福等編譯,〝半導體平坦化CMP 技術〞,全華科技圖書股份有限公司,89 年6 月再版。
[2] 孫國郎“化學機械研磨(CMP)應用在不同絕緣層與金屬層終點偵測技術的研究 ”,國立成功大學電機工程學系碩士論文,2005(94)年,6 月。
[3] Preston, F. W., “The theory and Design of Plate Glass Polishing Machines,” J. Soc. Glass Tech., Vol. 11, 1927, pp. 214.
[4] Liu, C. W., Dai, B. T., Tseng, W. T., and Yeh, C. F., “Modeling of the Wear Mechanism during Chemical-Mechanical Polishing,” J. Electrochem. Soc., Vol. 143. No. 2, 1996, pp. 716.
[5] 莊達仁,“VLSI 製造技術”,高立圖書有限公司,2000。
[6] 戴寶通,化學機械研磨技術積體電路製造關鍵技術,工業材料,1996。
[7] 張俊彥,積體電路製程與設備技術手冊,中華民國經濟部技術處發行,中華民國產業科技發展協進會、中華民國電子材料與元件協會出版,1997。
[8] 王建榮、林必窕、林慶福,半導體平坦化CMP 技術,全華,2000。
[9] 林士傑,“化學機械拋光製程技術”,機械工業雜誌,2000 年5
月,pp.146-151。
[10] 黃志龍,“淺談化學機械拋光的演進與應用”,中華民國磨粒 加工學會八十九年年會,2000,pp.14~32。
[11] 林明獻,〝矽晶圓半導體材料技術〞,全華科技圖書股份有限公司,89 年3 月再版。
[12] 陳昭亮,郭柏宏,〝研磨墊修整對氧化層CMP 影響之研究〞,機械月刊,第313 期,2001 年8 月,pp.314-327。
[13] 何碩洋“化學機械拋光中拋光墊修整參數影響之研究”,國立清華大學動力機械工程學系碩士論文,2002(91)年,6 月。
[14] J. Sung, Y. L. Pai,〝CMP Pad Dresser: A Diamond Grid Solution〞,Advances in Abrasive Technology III, The Society of GrindingEngineers, 2000, pp.189-196.
[15] J. F. Wang, A. R. Sethuraman and L. M. Cook,〝Process/Pad Effect on Electrical and Physical Propertiesof CMP Copper Damascene Interconnects〞, Rodel, Inc., 2000.
[16] Sidney Huey, Steven T. Mear, Yuchun Wang, 〝Technological
breakthrough in pad life improvement and its impact on CMP CoC〞,
IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference,
1999.
[17] J. Grillaert, Marc Meuris, Nancy Heylen, Katia Devriendt, Evi Vrancken,〝Modelling step height reduction and local removable rates bases on pad-substrate interactions 〞, CMP-MIC conference, California, USA, 1998.
[18] D. R. Evans, M.R. Oliver and M. K. Ingram,〝Separation of pad and slurry effects in copper CMP〞, Rodel, Inc., 2000.
[19] Weidan Li, Dong Wook Shin, Minoru Tomozawa, Shyam P. Murarka,〝The effect of the polishing pad treatment on the chemical mechanical polishing of SiO2 films 〞, Thin Solid Films, 1995.
[20] Ho-youn Kim, Jae-hong Park, Hae-do Jeong,〝A study of the
abrasive pad for CMP〞, Department of Precision Mechanical
Engineering, National Pusan University, Korea, Advances in
Abrasive Technology IV, 2001.10.
[21] 臼井英治著,廉元國等譯,〝金屬加工力學〞,國防工業出版社,1986 年1 月.
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
1. 許玉齡(2004)。公立幼稚園園長的工作職責與角色調查之研究。國教學報,16,249-278。
2. 許玉齡(2001)。幼教品質繫於幼兒園園長。國教世紀,196,41-46。
3. 許玉齡(1998)。桃竹苗地區幼稚園園長領導措施與教師工作滿意度之相關研究。新竹師院學報,11,281-300。
4. 周淑卿(1992)。國小課程改革的省思。教育研究雙月刊,28,68-71。
5. 林明地(2000)。校長教學領導實際──一所國小的參與觀察。教育研究集刊,1(44),143-172。
6. 陳秀才(1990)。幼稚園經營的系統理論。國立台中師範學院,幼兒教育年刊,12,47-58。
7. 陳善德(2000)。建立教育品質系統的幾個關鍵思考。2007年5月31日,取自http://www.tecs.com.tw/06.htm(原文刊載於,北縣教育,35,18-22。)
8. 張德銳(1998)。以校長評鑑提昇辦學品質-談校長評鑑的目的、規準與程序。教師天地,96,4-9。
9. 楊振昇(2004)。近十年來教育組織變革對教學領導之啟示。教育政策論壇,7(2),107-129。
10. 歐姿秀(2002)。台灣近十五年幼兒園園長領導研究派點轉移之研究。幼兒教育年刊,14,177-202。
11. 謝文豪(2004)。學校變革領導。教育研究月刊,119,66-79。
12. 簡楚瑛(1998)。淺談附幼校(園)長在幼稚園教學歷程中的領導角色。國教世紀,179,6-10。
13. 簡楚瑛、林麗卿(1998)。幼稚園課程轉型之相關因素探討。教育與心理研究,21,251-274。
14. [6] 戴寶通,化學機械研磨技術積體電路製造關鍵技術,工業材料,1996。
15. [12] 陳昭亮,郭柏宏,〝研磨墊修整對氧化層CMP 影響之研究〞,機械月刊,第313 期,2001 年8 月,pp.314-327。