臺灣博碩士論文加值系統

本實驗是以磷砷化鎵(GaAsP)晶片為基材，以熱蒸鍍法依序蒸鍍Au、AuBe及Au的薄膜於磷砷化鎵晶片後，再利用傳統管狀爐之加熱，進行試片之歐姆接觸合金化熱處理。本論文研究Au(Be)/GaAsP的金屬層內，因不同合金化處理而產生之相變化情形。
由XRD及TEM分析得知，剛沉積後的金屬薄膜層為Au與Au3Be兩合金相的混合結構；試片經300至400℃合金化熱處理，其金屬薄膜層的結晶相與剛沉積試片的分析結果相似，是為Au與Au3Be相。
當熱處理溫度升至450℃以上時，目前發現在金屬層之相結構轉變成為金、鈹磷化合物的混合結構。鈹磷化合物具面心立方之晶格，其晶格常數a=5.084�痋F且此鈹磷化合物也與磷砷化鎵基材有立方晶與立方晶之方向對應關係。於TEM的分析結果中，發現試片經550℃熱處理後，有鈹砷化合物的存在。在經600℃熱處理後的試片判定有高溫金鈹相的產生。目前發現於熱處理溫度升至450℃以上時，大多數的試片在分析後，皆發現具有鈹磷化合物的存在，僅在少部分的試片中發現鈹砷化合物。

The experiment we have performed is to study the metal layers of Au/AuBe/Au onto GaAsP(100) wafers. The metal films were deposited by a thermal-evaporation method. After the deposition process, the GaAsP wafers were annealed in a traditional tube furnace for Ohmic contact. This procedure is named as an alloying process.
From XRD and TEM analyses, Au and Au3Be phases were found in the specimen before annealing process. Au and Au3Be phases in the metal layer were transformed into a mixture of Au and BePx compound after alloying processes above 450℃.Through TEM analysis, BePx compound has a lattice of face-centered cubic. The lattice contact of BePx is 5.084 ��. Furthermore, there is a cubic to cubic orientation relationship between BePx compound and GaAsP substrate.
From TEM analyses, BePx compound was found in the metal layer after 450℃alloying. Another AuBe[h] phase was found in the metal layer after the alloying process at 600℃. After the alloying temperature up to 450℃, BePx compound were found in all the samples; however, BeAsx compound was only found in a sample heated at 550℃.

第一章 前言 1
第二章 文獻回顧 4
2.1發光二極體的注入機制 4
2.2歐姆接觸與蕭基接觸 5
2.3金與III-V族半導體 7
第三章 實驗設備與原理 14
3.1高溫蒸鍍系統 14
3.2 X光繞射分析儀 14
3.3歐傑電子能譜儀 16
3.4穿透式電子顯微鏡 18
第四章 實驗方法 27
4.1薄膜蒸鍍 27
4.2熱處理方式 28
4.3 X光繞射儀分析 28
4.4歐傑電子能譜儀鏡 29
4.5穿透式電子顯微鏡 29
第五章 結果與討論 34
5.1 剛沉積的試片 34
5.2 300℃合金化熱處理 35
5.3 350℃合金化熱處理 36
5.4 400℃合金化熱處理 37
5.5 450℃合金化熱處理 37
5.6 500℃合金化熱處理 38
5.7 550℃合金化熱處理 39
5.8 600℃合金化熱處理 40
5.9 XRD結論 41
第六章 結論 70
參考文獻 71
附錄 73

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