臺灣博碩士論文加值系統

本實驗採熱蒸鍍法依序蒸鍍金(Au)、金鈹合金(AuBe)及金的薄膜於玻璃(SiO2)及砷化鎵(GaAs)基材上，再利用傳統管狀爐進行熱處理，以研究金屬層的結晶結構。
Au(Be)/SiO2之試片於XRD及TEM的分析結果發現，在剛沉積及熱處理溫度為300至600℃時，其組成相皆為Au及Au3Be的雙相組織；故Au(Be)合金薄膜於SiO2基地上，其組成相不因熱處理的溫度的變化而有所改變。
Au(Be)/GaAs之試片於XRD及TEM分析的分析結果如下，在剛沉積之金屬薄膜層的組成相主要為Au及Au3Be；當合金化熱處理溫度上升到450至600℃時，目前觀察到金鈹合金層結構即轉變為Au及鈹砷化合物(BeAsx)的混合結構。Au(Be)/GaAs的試片經AES分析表面成分，於400℃以下處理之試片，其表面皆為金的組成，而熱處理溫度高於400℃之試片發現表面有些是鈹砷化合物的晶粒，因此可以判斷此鈹砷化合物於400至600℃是一種穩定的平衡相產物。

We have studied the metallization layer of Au/AuBe/Au on SiO2 and GaAs(100) substrates. The Au/AuBe/Au layers were deposited by a thermal evaporation method. After the deposition process, the samples were annealed in a traditional tube furnace for the alloying processes. After the alloying processes, we analyzed the crystal structures of the interfaces between the metals and substrates in the TEM and XRD studies.
The XRD analysis in the Au(Be)/ SiO2 indicated that the metal layers are a mixture structure of Au and Au3Be phases in the as-deposited and following annealing processes. Therefore, the phases in the gold layer were not changed in all the heating conditions.
The metallization layers on the GaAs wafers indicated that the metal layers are a mixture of Au and Au3Be phases in the as-deposited condition. For the annealing processes from 450℃ to 600℃, the metal layer are a mixture of Au and Be-As compound. Through the AES analysis, there are small grains of Be-As compound on the surface after 400℃alloy. Therefore, we could come to a conclusion that Be-As compound between 450℃to 600℃ is a stable equilibrium phase.

第一章 前言1
第二章 文獻回顧5
2.1金與III-V族半導體系統5
2.2金鈹合金系統6
2.3 歐姆接觸與蕭基接觸6
第三章 實驗設備與原理15
3.1高溫蒸鍍系統15
3.2 X光繞射分析儀15
3.3歐傑電子能譜儀17
3.4穿透式電子顯微鏡19
第四章 實驗步驟28
4.1薄膜蒸鍍28
4.2熱處理方式29
4.3 X光繞射儀分析29
4.4穿透式電子顯微鏡30
4.5歐傑電子能譜儀32
第五章 結果與討論36
5.1剛沉積的試片36
5.2 300℃合金化熱處理37
5.3 350℃合金化熱處理38
5.4 400℃合金化熱處理39
5.5 450℃合金化熱處理40
5.6 500℃合金化熱處理41
5.7 550℃合金化熱處理42
5.8 600℃合金化熱處理44
5.9 XRD結論45
第六章 結論83
參考文獻84
附錄86

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