跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(35.172.136.29) 您好!臺灣時間:2021/07/29 07:56
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

: 
twitterline
研究生:郭永文
研究生(外文):Yungwen Kuo
論文名稱:基於規則法的45奈米製程光學臨近效應修正
論文名稱(外文):Optical proximity correction rules for 45 nm node
指導教授:方信普
指導教授(外文):S.P. Fang
學位類別:碩士
校院名稱:南台科技大學
系所名稱:電子工程系
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2007
畢業學年度:95
語文別:中文
論文頁數:55
中文關鍵詞:45奈米光學臨近效應修正製程窗口曝光寬忍度聚焦深度偏軸照射微影製程規則法
外文關鍵詞:45 nmoptical proximity correctionOPCprocess windowsOAIrule-basedexposure latitudeDOF
相關次數:
  • 被引用被引用:1
  • 點閱點閱:257
  • 評分評分:
  • 下載下載:43
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
本論文使用開放自由軟體SPLAT模擬計算浸入式45奈米微影製程在不同偏軸照射下的製程窗口與光學臨近效應的修正規則。以線寬誤差10%,不使用偏軸照射時其聚焦深度為61奈米,曝光寬忍度為17.1%;最佳製程窗口為使用10%的偏軸照射,其聚焦深度為65奈米,曝光寬忍度為17.1%。為達到自動化光學臨近效應修正的目的,我們模擬一些常見圖案的成像,計算失真,並提供其光學臨近效應修正規則與討論最小線距。模擬計算的圖案包括:獨立線、相鄰線、L型線、T型線與十字線等。
This thesis uses open source software SPLAT to simulate 45 nm node with immersion optical lithography, and discusses its process window under different OAI and rule-based optical proximity corrections for some typical patterns.
Without OAI, the DOF is 61 nm and the exposure latitude is 17.1% for the 10% line width tolerance. The best process window is with 10% OAI, its DOF is 65 nm and its exposure latitude is 17.1%. To achieve automatic OPC, we simulate some typical patterns, calculate their distortions, discuss the minimum line space and provide the corresponding optical proximity correction rules.
摘  要 iv
Abstract v
誌  謝 vi
目 次 vii
表目錄 ix
圖目錄 x
第一章 緒論 1
1.1. 研究動機與目的 1
1.2. 論文架構 2
第二章 光學微影 3
2.1. 何謂光學微影 3
2.2. 細線寬圖案的光學微影方法 4
2.2.1. 減低曝光波長 4
2.2.2. 浸入式微影 4
2.2.3. 解像度增進技術 5
2.2.3.1. 偏軸照射 7
2.2.3.2. 相位移光罩 8
2.2.3.3. 光學臨近效應修正 8
第三章 SPLAT 11
3.1. SPLAT介紹 11
3.2. 模擬流程 11
第四章 製程窗口(Process Window) 13
4.1. 成像光強度 13
4.2. 曝光寬忍度 17
4.3. 聚焦深度 19
4.4. 不同偏軸照射下的45奈米製程的製程窗口 20
第五章 45奈米製程常見圖案的OPC規則 22
5.1. 規則一、獨立線 22
5.2. 規則二、兩平行線 27
5.3. 規則三、斷線型的兩相鄰線 31
5.4. 規則四、T型相鄰線 35
5.5. 規則五、分開的L型相鄰線 39
5.6. 規則六、L型線 42
5.7. 規則七、T型線 45
5.8. 規則八、十字線 48
第六章 總結與未來展望 52
6.1. 總結 52
6.2. 未來展望 52
參考文獻 54
[1] 龍文安,半導體微影技術,五南圖書出版公司,中華民國,台北市,2004。
[2] 龍文安,半導體奈米技術,五南圖書出版公司,中華民國,台北市,2006。
[3] E. Robert, P. Thony, K. Lucas, D. Henry, B. Kasprowicz, W. Conley, W. Wu, and L. Litt, “Strategies of optical proximity correction dedicated to chromeless phase lithography for 65 and 45 nm node," in Optical Microlithography XVIII, B. W. Smith, ed., Proc. SPIE 5754, 2004, pp. 476-487.
[4] S. Peng, R. H. French, W. Qiu, R. C. Wheland, M. Yang, M. F. Lemon, and M. K. Crawford, “Second generation fluids for 193 nm immersion lithography,"in Optical Microlithography XVIII, B. W. Smith, ed., Proc. SPIE 5754, 2004, pp. 457-434 .
[5] J. H. Burnett, S. G. Kaplan, E. L. Shirley, D. Horowitz, W. Clauss, A. Grenville, and C. V. Peski, “High-index optical materials for 193 nm immersion lithoghraphy,"in Optical Microlithography XIX, D. G. Flagello, ed., Proc SPIE 6154, 2006, pp. 615-418 .
[6] J. Lee, S. Matsuura, and K. Fujii, “Fabrication of sub 45 nm random patterns through centerline phase-shifting mask CLPSM,"in Optical Microlithography XVIII, B. W. Smith, ed., Proc. SPIE 5754, 2004, pp. 456-464.
[7] M. Levenson, N. Viswanathan, and R. Simpson, “Improving resolution in photolithography with a phase-shifting mask,"IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 29, no. 12, 1982, pp. 1812-1846.
[8] B. J. Lin, “Methods to print optical images at low- factors,"in Proc. SPIE, V. Pol, Ed., vol. 1264, 1990, pp. 2-13.
[9] M. Dusa, B. Arnold, A. Fumar-Pici, “Prospects and initial exploratory results for double exposure/double pitch technique,"in Semiconductor Manufacturing, 2005, IEEE International Symposium on, 2005, pp. 177-180 .
[10] S. V. Postnikov, E. Robert, P. Thony, K. Pattern, S Warrick, D. Henry, A. Torres, and O. Toublan, “Assement of complementary double dipole lithography for 45 nm and 32 nm technologies,"in optical Microlithography XVIII, B. W. Smith, ed., Proc. SPIE 5754, 2004, pp. 1478-1484.
[11] A. K. Wong, Resolution Enhancement Techniques in Optical lithography, SPIE Press, Bellingham, Washington, USA, 2001, pp.101-105.
[12] M. Kling, K. Lucas, A. Reich, B. Roman, H. Chuang, P. Giber, W. Grobman, E. Travis, P. Tsu, T. Vuong, and J. West, “0.25um logic manufacturability using practical 2-D optical proximity correction,"in Proc. SPIE, vol. 3334, 1998, pp. 204-214.
[13] O. W. Otto, J. G. Garofalo, K. K. Low, C.-M. Yuan, R. C. Henderson, C. Pier-rat, R. L. Kostelak, S. Vaidya, and P. K. Vasudev,“ Automated optical proximity correction:A rule-based approach,"in Proc. SPIE, vol. 2197, 1994, pp. 278-293.
[14] Splat Version 6.0 User Guide,
http://cuervo.eecs.berkeley.edu/Volcano/docs/splat/index.htm
[15] Max Born and Emil Wolf, Principles of optics: electromagnetic theory of propagation, interference, and diffraction of light, 7th expanded edition, Cambridge University Press, New York, 1999.
[16] Alfred Kwok –Kit Wong, Resolution Enhancement Techniques in optical Lithography, Tutorial Texts in Optical Engineering, vol. TT47. SPIE Press, Bellingham, Washington, 2001.
連結至畢業學校之論文網頁點我開啟連結
註: 此連結為研究生畢業學校所提供,不一定有電子全文可供下載,若連結有誤,請點選上方之〝勘誤回報〞功能,我們會盡快修正,謝謝!
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top