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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:黃正旺
研究生(外文):Cheng-Wang Huang
論文名稱:以溶膠-凝膠法製備摻雜銅之鈦酸鍶鋇塊材與薄膜及其性質之研究
指導教授:何志松
指導教授(外文):Chih-Sung Ho
學位類別:碩士
校院名稱:東海大學
系所名稱:化學工程學系
學門:工程學門
學類:化學工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2007
畢業學年度:95
語文別:中文
論文頁數:110
中文關鍵詞:鈦酸鍶鋇介電溶膠-凝膠
外文關鍵詞:BSTdielectric constantSol-Gel
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在本論文中,我們利用溶膠-凝膠法製備摻雜銅之鈦酸鍶鋇介電陶瓷塊材及薄膜,並觀察其微結構及介電性質的變化。我們發現Cu的含量對於BSTCu塊材和薄膜的材料性質會有顯著的影響。

BSTCu塊材在空氣下經1400 °C的溫度燒結,其相對密度、晶粒大小、及介電常數,在Cu含量為0 ~ 5.0 mol %時,會隨著Cu的含量增加而增加;當Cu含量超過5.0 mol %時,便會隨著Cu的含量增加而降低。在100 KHz頻率下,當Cu含量為5.0 mol %時,有最大的介電常數值1500,及最小的介電損失0.026。而當Cu含量為10.0 mol %時,有最小的熱膨脹係數5.35 ppm/°C。

而BSTCu薄膜是塗佈在Pt/Ti/SiO2/Si基板上,經750 °C退火處理,其晶粒大小、均方根粗糙度、介電常數、及可調性,在Cu含量為0 ~ 5.0 mol %時,會隨著Cu的含量增加而增加;當Cu含量超過5.0 mol %時,便會隨著Cu的含量增加而降低。在1 MHz頻率下,當Cu含量為5.0 mol %時,有最大的介電常數值810,及最大的可調性66.7 %。在1 MHz頻率下,當Cu含量為2.5 mol %時,有最小的介電損失0.0214。
In this thesis, we reported on the microstructural and dielectric properties of Cu-doped Ba0.6Sr0.4TiO3 bulks and thin films prepared by sol-gel method. The Cu concentration of BSTCu bulks and thin films has a strong influence on the material properties.

The bulks were sintered at a constant temperature of 1400 °C. The relative density, grain size, and dielectric constant of BSTCu bulks all increase with increasing Cu content from 0 to 5.0 mol % and then decrease with increasing Cu content up to 10.0 mol %. The system doped with 5.0 mol % Cu exhibits the highest dielectric constant of 1500 and the lowest dielectric loss of 0.026 at 100 KHz. The system doped with 10.0 % Cu has the lowest thermal expansion coefficient of 5.35 ppm/°C.

The thin films were coated on Pt/Ti/SiO2/Si substrates and then annealed at a temperature of 750 °C. The grain size, root-mean-square roughness, dielectric constant and tunability of BSTCu thin films all increase with increasing Cu up to 5.0 mol % and then decrease with increasing Cu content from 5.0 to 10.0 mol %. The system doped with 5.0 mol % Cu exhibits the highest dielectric constant of 810 and tenability of 66.7 % at 1 MHz. The system doped with 2.5 mol % Cu exhibits the lowest dielectric loss of 0.0214 at 1 MHz.
目錄
中文摘要﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒Ⅰ
英文摘要﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒Ⅱ
目錄﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒Ⅲ
表目錄﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒Ⅵ
圖目錄﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒Ⅶ

第一章 序論﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒1
1.1 前言 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒1
1.2 研究目的與動機 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒3
第二章 基礎理論及文獻回顧﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒5
2.1 基礎理論 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒5
2.1.1 鈦酸鍶鋇(Ba,Sr)TiO3材料的特性 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒5
2.1.2 原子置換的影響 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒12
2.1.3 極化的機制 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒17
2.1.4 介電性質 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒21
2.1.5 溶膠-凝膠法(sol-gel method) ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒25
2.1.6 旋轉塗佈(spin coating) ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒31
2.2 文獻回顧 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒37
第三章 實驗方法與步驟 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒40
3.1 實驗藥品﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒43
3.2 溶液之製備 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒44
3.3 陶瓷塊材之製備﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒46
3.3.1 粉體製備 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒46
3.3.2 塊材壓模 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒46
3.4 陶瓷薄膜之製備﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒48
3.4.1 基板之製備 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒48
3.4.2 旋轉塗佈鍍膜 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒48
3.4.3 上電極之製備 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒48
3.5 性質測量及分析﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒52
3.5.1 塊材密度量測 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒53
3.5.2 X光繞射分析儀 (XRD) ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒53
3.5.3 薄膜測厚儀 (Alpha - Step) ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒53
3.5.4 掃描式電子顯微鏡 (SEM) ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒53
3.5.5 原子力顯微鏡 (AFM) ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒54
3.5.6 熱機械分析儀 (TMA) ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒54
3.5.7 介電性質量測 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒54
第四章 結果與討論 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒55
4.1 陶瓷塊材部份﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒55
4.1.1 結構分析 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒55
4.1.2 密度測量 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒58
4.1.3 表面微結構 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒60
4.1.4 熱性質分析 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒63
4.1.5 介電性質分析 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒65
4.2 陶瓷薄膜部份﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒69
4.2.1 膜厚分析 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒69
4.2.2 表面微結構 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒80
4.2.3 表面性質 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒83
4.2.4 介電性質分析 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒88
4.2.5 可調性(tunability)和最適值(figure of merit, FOM)﹒92
4.2.6 晶粒大小與介電常數之討論 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒96
第五章 結論 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒98
5.1 陶瓷塊材﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒99
5.2 陶瓷薄膜﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒101
第六章 文獻回顧 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒103
附錄﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒108

表目錄
表2.1(a) 加不同種類的離子,對鈦酸鋇的固溶度、居禮溫度、及相轉變溫度的影響﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒15
表2.1(b) 添加不同種類的離子,對鈦酸鋇的固溶度、居禮溫度、及相轉變溫度的影響﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒16
表2.2 製備陶瓷材料的各種方法﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒28
表2.3 溶膠-凝膠與固態反應法之優缺點比較﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒29
表2.4 不同塗佈技術應用的膜厚範圍與其均勻度﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒34
表2.5 BST陶磁薄膜性質之比較 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒39
表2.6 BST陶磁塊材性質之比較 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒39
表3.1 儀器列表﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒52
表4.1 不同Cu添加比例的BSTCu薄膜,經750° C退火處理後之表面粗糙度﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒86

圖目錄
圖2.1 ABO3化合物與離子半徑的關係圖﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒7
圖2.2 鈦酸鋇的鈣鈦礦結構示意圖 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒8
圖2.3 鈦酸鋇於(100)方向極化時,鈦離子及鋇離子相對於氧離子的位移量 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒9
圖2.4 隨溫度的改變,鈦酸鋇結構晶體上的變化﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒10
圖2.5 隨溫度的改變,鈦酸鋇結構晶格常數的變化﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒11
圖2.6 極化的四種物理機制﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒19
圖2.7 不同頻率對不同極化機構之介電常數及介電損失的影響﹒﹒20
圖2.8 室溫下,離子遷移損失、離子震動與變形損失在tan δ中所佔的比例﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒24
圖2.9 溶膠-凝膠法的反應程序 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒30
圖2.10 旋轉塗佈程序的四個主要步驟 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒35
圖2.11 簡易的旋轉塗佈器示意圖 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒36
圖3.1 實驗流程圖﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒40
圖3.2 陶瓷塊材性質量測流程圖﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒41
圖3.3 陶瓷薄膜性質量測流程圖﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒41
圖3.4 以溶膠-凝膠法配製完成之0.5M BSTCu溶液 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒44
圖3.5 在1400 °C下,燒結2小時後之BSTCu陶瓷塊材 ﹒﹒﹒﹒46
圖3.6 鋁板遮罩示意圖﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒49
圖3.7 MIM結構的電容器示意圖﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒50
圖4.1 不同比例的BSTCu粉體,在750 °C下煆燒1小時之XRD圖﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒55
圖4.2 不同比例的BSTCu塊材,在1400 °C下煆燒2小時之XRD圖﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒56
圖4.3 不同比例的BSTCu塊材,Cu添加量與其密度與相對密度之關係圖﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒58
圖4.4 不同Cu添加比例的BSTCu陶瓷塊材之SEM微結構圖,燒結溫度1400 °C,放大倍率300倍﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒60
圖4.5 不同Cu添加比例的BSTCu陶瓷塊材之SEM微結構圖,燒結溫度1400 °C,放大倍率3000倍 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒61
圖4.6 不同Cu添加比例的BSTCu陶瓷塊材之熱膨脹係數變化圖﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒63
圖4.7 不同Cu添加比例的BSTCu塊材,於室溫下,介電常數與頻率之關係圖 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒66
圖4.8 不同Cu添加比例的BSTCu塊材,於室溫下,介電損失與頻率之關係圖 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒67
圖4.9 同Cu添加比例的BSTCu陶瓷塊材,在掃描頻率100 KHz下,其介電常數與介電損失之變化圖﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒68
圖4.10 鈦的Alpha-Step膜厚測量圖,濺鍍時間110秒 ﹒﹒﹒﹒70
圖4.11 鈦的Alpha-Step膜厚測量圖,濺鍍時間120秒 ﹒﹒﹒﹒70
圖4.12 鈦的Alpha-Step膜厚測量圖,濺鍍時間130秒 ﹒﹒﹒﹒71
圖4.13 鈦的Alpha-Step膜厚測量圖,濺鍍時間140秒 ﹒﹒﹒﹒71
圖4.14 鈦的Alpha-Step膜厚測量圖,濺鍍時間150秒 ﹒﹒﹒﹒72
圖4.15 鈦薄膜的濺鍍時間與膜厚關係圖﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒73
圖4.16 白金的Alpha-Step膜厚測量圖,濺鍍時間180秒 ﹒﹒﹒74
圖4.17 白金的Alpha-Step膜厚測量圖,濺鍍時間210秒 ﹒﹒﹒74
圖4.18 白金的Alpha-Step膜厚測量圖,濺鍍時間240秒 ﹒﹒﹒75
圖4.19 白金的Alpha-Step膜厚測量圖,濺鍍時間270秒 ﹒﹒﹒75
圖4.20 白金的Alpha-Step膜厚測量圖,濺鍍時間300秒 ﹒﹒﹒76
圖4.21 白金薄膜的濺鍍時間與膜厚關係圖 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒77
圖4.22 塗佈2層BST薄膜的Alpha-Step膜厚圖﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒78
圖4.23 塗佈3層BST薄膜的Alpha-Step膜厚圖﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒78
圖4.24 塗佈4層BST薄膜的Alpha-Step膜厚圖﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒79
圖4.25 塗佈5層BST薄膜的Alpha-Step膜厚圖﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒79
圖4.26 不同Cu添加比例的BSTCu薄膜之SEM微結構圖,燒結溫度750 °C,放大倍率100 K倍 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒81
圖4.27 BST/Pt/Ti/SiO2/Si結構剖面圖,放大倍率為60 K倍 ﹒82
圖4.28 不同Cu添加比例的BSTCu薄膜之AFM 2D圖,燒結溫度750 °C ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒84
圖4.29 不同Cu添加比例的BSTCu薄膜之AFM 3D圖,燒結溫度750 °C ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒85
圖4.30 不同Cu添加比例的BSTCu薄膜,其均方根粗糙度(Rrms)和晶粒大小之關係圖 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒87
圖4.31 不同Cu添加比例的BSTCu薄膜,於室溫下,介電常數與頻率之關係圖 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒89
圖4.32 不同Cu添加比例的BSTCu薄膜,於室溫下,介電損失與頻率之關係圖 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒90
圖4.33 不同Cu添加比例的BSTCu薄膜,於掃描頻率1 MHz下之介電常數及介電損失關係圖 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒91
圖4.34 在1 MHz頻率時,BSTCu薄膜在DC電場下介電常數的變化曲線 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒93
圖4.35 在1 MHz頻率時,BSTCu薄膜在DC電場下介電損失的變化曲線 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒94
圖4.36 在1 MHz頻率下,不同比例的BSTCu薄膜之tunability和FOM值﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒95
圖4.37 不同比例的BSTCu薄膜及塊材,其晶粒大小與介電常數之關係圖 ﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒﹒97
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