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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:廖笙佑
研究生(外文):Sheng-Yu Liao
論文名稱:固態快速突波抑制電路之設計研製
論文名稱(外文):On the Fabrication of Fast Response Solid State Surge Arrester
指導教授:Liann-be Chang
指導教授(外文):張連璧
學位類別:碩士
校院名稱:長庚大學
系所名稱:電子工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2007
畢業學年度:96
語文別:中文
論文頁數:74
中文關鍵詞:固態洩放接地限壓元件氧化鋅變阻器避電管突波抑制
外文關鍵詞:Solid State ProtectorSurge SuppressGas Tube
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在現代高科技的社會,許多通訊用品已進入微型化及薄型化的世代,這些微型元件的功率低、面積小,相對的對於突波的承受能力也就明顯的不足,突波保護電路的設計也就相對的重要。本文是利用固態洩放接地限壓元件(SSP):氧化鋅變阻器(MOV)、暫態突波抑制器(TVS)來設計通電設備之突波保護模組,保護的電路範圍除通訊用天線外更包括雷達在內。主要設計的原理,是利用串級防護原理以第一級避電管(GT)與洩放接地限壓元件(SSP)並聯的電路結構設計,讓它兼具限壓、濾波跟洩放突波的功能。由實驗結果發現,當突波產生的高電壓進入電路時,第二級電路(SSP)會首先動作將突波洩放接地,當電壓使得串聯於二級電路之間的電阻跨壓上升,第一級較慢速的GT元件會有充分時間啟動將剩餘的電壓洩放至地。
In modern society with the prosperous growth of the electronics technology, communication equipment has entered a generation of miniaturization with low power consumption and small geometry. On the other hand, this means a weakening in surge handling capability. Thus it has become an immediate problem to design a fast response, high input surge current handling device and proper voltage output circuit for the receivers’ protection. In this study, we use a different solid state protector-Metal Oxide Varister (MOV) and Transient Voltage Suppressor(TVS) to design a circuit module to protect the wireless receiving equipment which includes the radar, HF and UHF bands communication transceivers from power surges. These designs are based on the cascade configurations, by paralleling the Gas Tube(GT)with the solid state protector. This is achieved by inserting a voltage drop-resistor in between the two, to form a low pass filter with the functions of both limiting the surge and filtering the noise.
As a result of the experiment,when the mechanism is that the surge enters into the circuit, the second stage SSP will conduct the initial surge to the ground and build up the voltage in the voltage drop-resistor. Then, when the voltage rises to a level to activate the first stage GT, it conducts the main surge to the ground thus accomplishing the whole process. This series resistor benefits the Gas Tube (GT) by allowing enough time for it to be activated and to lead the main surge to the ground.
誌謝 iv
中文摘要 v
英文摘要 vi
目錄 vii
圖目錄 viii
表目錄 xii
第一章 緒論 1
1.1 前言 1
1.2 研究動機及背景 2
1.3 論文架構 4
第二章 電磁突波的產生 5
2.1 靜電放電(ElectroStatic Discharge/ESD) 5
2.2 電磁脈衝(EMP) 11
2.2.1 電磁脈衝的產生與特性 11
2.2.2 雷電電磁脈衝(LEMP) 12
2.2.3 電磁武器與核爆電磁脈衝(NEMP) 14
2.2.4 電磁脈衝武器的特性 17
2.2.5 電磁脈衝武器的影響 19
2.2.6 電磁脈衝的耦合侵入 20
2.2.7 電磁脈衝對於元件的傷害 23
第三章 突波防護與防護元件介紹 27
3.1 突波防護 27
3.2防護元件介紹 28
3.3 分級保護 35
第四章 快速突波限流器設計原理與結果 37
4.1 快速突波限流器設計原理 37
4.2 快速突波限流器製作與量測過程 42
4.3實驗結果 46
五、結論與未來展望 71
參考文獻及附錄 73
【1】E. F. Vance and M. A. Uman, “Differences between Lightning and Nuclear Electromagnetic Pulse Interactions,” IEEE Trans. On Electromag. Compat, Vol.30, No. 1, Feb. 1988.
【2】W. A. Chisholm and W. Janischewskyj, “Lightning Surge Response
of Ground Electrodes,” IEEE Trans. on Power Delivery, Vol. 4, No.
2, April 1989.
【3】國防部通資局,《電磁脈衝炸彈》,尖端科技,1999。
【4】Carlo,Kopp,“An Introduction to the Technical and Operational Aspects of the Electromagnetic Bomb,”Journal of Electronic Defense,January,1997.
【5】呂孟昌 , 《淺談雷擊與雷擊保護》, 電機技師 , Vol.11, No.3 Jan., 1997,。
【6】張連璧,《電磁脈衝學與電磁屏蔽》,初版,五南圖書發行,2007年2月。
【7】EMP Engineering and Design Principle , Bell Lab, 1975.
【8】M. W . Wik, “Double exponential pulse models for comparison of
spectra from lightning, nuclear and electrostatic discharge sources,”
IEEE International Symp. on Electromagnetic Compatibility, pp.
337-342, 1984.
【9】bastions, S, “Protecting VHF Antennas from EMP,” electromagnetic
Compatibility, 1991..
【10】余尉平,〈電磁脈衝防護元件與電路研究〉,國防大學中正理工學院,碩士論文,民國93年。
【11】《國魂》,第646期,一九九九年九月出版。
【12】陳柏宏,《電磁干擾與防止對策》,文笙書局。
【13】James L.Press“EMP Response of A Generic Ground Based Facility,”Engineering Services Manager,1991.
【14】MIL-SYD-188-125-1,“HEMP Protection for Ground-Based C4I Facilities Peeforming Critical”,1998.
【15】D.C Wunsch,and R.r.bell, “Determination of Threshold Failure Levels of Semiconductor Diodes and Transistors due to Pulse Voltages,”IEEE Transactions on Nuclear Science, NS-15,No.6,2-19,1968.
【16】C.R Jenkins,and D. L. Durgin,“EMP Susceptibility of Integrated Circuits”, IEEE Transactions on Nuclear Science, NS-22,No.6,1968.
【17】D.M Tasca,H. B. O’Donnell,and S.J.Stokes,“Pulse Power Responses and Damaqe Characteristics of Capacitors” , Final Report,Contract F29601-75-C0130,General Electric,December 1976.
【18】蔡德平,〈電磁脈衝工作原理與模擬〉,《新新季刊》,第二十七卷第五期,民國88年10月。
【19】陳文禮,何志誠,〈電磁脈衝武器與防護概論〉,《新新季刊》,第卅三卷第二期,民國94年4月。
【20】“IEEE Guide for Application of Gas Tube Arrester Low-Voltage Surge-Protective Devices”, ANSI/IEEE C62.42-1987.
【21】邱碧秀,〈電磁陶瓷材料〉,徐氏基金會,1989。
【22】張詩聰,〈電磁脈衝元件及產生器之測試與製作〉,逢甲大學,碩士論文,民國94年6月。
【23】廖順安,〈突波抑制元件應用分析介紹(二)金屬氧化物變阻體聚合開關.箝位吸收器〉,《電機月刊》,284 至290 頁,1999 年1 月。
【24】施冠州,〈高溫超導微波元件設計〉,中興大學,碩士論文,民國92年7月。
【25】余尉平,張連璧、葉德華、鍾家齊、高坤林、楊治清,〈應用於VHF的電磁脈衝防護電路〉,《TAIWAN電磁相容研討會》,P455,台北,2003。
【26】洪文通,〈通電設備電磁脈衝防護之研究〉,國防大學中正理工學院,碩士學位論文,民國91。
【27】A.,German D. M. ,R. T. Waters, and Z. Abdul-Malek., “Co-Ordination of Spark-Gap Protection with Zinc-Oxide Surge Arresters”,Transmission and Distribution, Vol.148,No.1,pp.21-28,2001.
【28】余尉平,〈EMP之通電設備前端電路之研究〉,國防大學中正理工學院,碩士論文,民國91。
【29】Suzuki M.,Shibata S., Itoh A., Yoshimura N., “Analysis of Ceramic varistor, ”Properties and Appikications of Dielectric Materials,1991.
【30】余尉平,張連璧、連清宏、黃其清、陳大同,〈奈米ZNO粒子應用於MOV的電磁脈衝防護能力提升研究〉,《TAIWAN電磁相容研討會》,P591,台北,2003。
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