臺灣博碩士論文加值系統

全球的封裝技術演進史，自1970 年代起，約每十年會出現一次主流技術的更替，針對通訊用產品與消費性產品的大容量記憶體，同時強調輕薄短小的需求，其晶圓級封裝(Wafer Level Package)，堆疊技術(Stacked Die)、多晶片模組(Multi Chip Package)或系統封裝(System in a Package)，TSV (Through silicon via)疊層技術的封裝型態已成為新世代的主流。
半導體之構裝機台設備由於涉及複雜的機構作動，導致機台設備錯綜複雜很難用數學的公式來模式化其參數設定與機台績效之關係。因而機台參數設定往往需要做許多嘗試錯誤或實驗設計造成相當多的時間與原料的浪費。
本研究以反應曲面方法(Respond Surface Method)探討TSV晶片研磨製程之最佳參數，並建立兩步驟之實驗設計; 第一步驟將影響研磨製程之參數因子納入實驗設計範圍，以部分因子實驗方法找出影響晶片研磨製程之主要因子，第二步驟就影響TSV晶片研磨製程之顯著因子，再以反應曲面方法加上中央合成設計求出TSV晶片研磨之最佳參數範圍組合，實驗結果顯示從第一次實驗中可得知材料因子之Mesh No、Bond type及製程參數因子之Chuck table angle、Feed rate 及 Z2 remove amount 為顯著因子，再以此顯著因子利用反應曲面方法加上中央合成設計求出晶片研磨之最佳參數的設定，透過本研究達到降低試作次數、新產品換線機台的設定時間、人力、物料以及時間上耗費，避免或減少不必要的研究分析流程與改善成本。

摘 要 i
目 次 ii
表 次 iv
圖 次 v
第一章 緒論 1
第一節 研究動機與背景 1
第二節 研究目的 2
第三節 研究內容及流程 3
第四節 本文架構 5
第二章 文獻分析 7
第一節 IC封裝技術發展簡介 7
第二節 田口品質工程的原理、內容與重要名詞定義 12
第三節 反應曲面方法(Respond Surface Method) 18
第四節 相關文獻探討 22
第三章 研究方法 25
第一節 研磨製程理論 26
第二節 實驗設備與材料 29
第三節 部分因子實驗方法 41
第四節 反應曲面法 (Response Surface Method) 44
第五節 實驗前準備事項 45
第四章 實驗結果與綜合討論 47
第一節 第一次晶片研磨製程實驗結果與資料分析 48
第二節 第二次晶片研磨製程實驗結果與資料分析 51
第三節 確認研磨製程實驗結果 56
第五章 結論與未來展望 62
第一節 結論 62
第二節 未來展望 63
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