|
1. H. Onoda, Y. Kunori, S. Kobayashi, M. Ohi, A. Fukumoto, N. Ajika, and H. Miyoshi: IEEE IEDM (1992) 23.3.1. 2. M. H. R. Lankhorst, B. W. S. M. M. Ketelaars, and R. A. M. Wolters: Nature Materials 4 (2005) 347. 3. Ovonyx Inc. Technical presentation titled “Ovonic Unified Memory,” 80 slides, Dec. 1999, http://www.ovonyx.com/technology.pdf. 4. S. Lai, and T. Lowrey: IEEE IEDM (2001) 36.5.1. 5. A. Pirovano, A. L. Lacaita, A. Benvenuti, F. Pellizzer, S. Hudgens, and R. Benz: IEEE IEDM (2003) 29.6.1. 6. G. I. Meijer: Science 319 (2008) 1625. 7. M. Wuttig, and N. Yamada: Nature Materials 6 (2007) 824. 8. S. Hosaka, K. Miyauchi, T. Tamura, H. Sone, and H. Koyanagi: Microelectron. Eng. 73-74 (2004) 736. 9. M. Libera, and M. Chen: MRS. Bulletion 15 (1990) 40. 10. B. J. Kooi, and J. Th. M. De Hosson: J. Appl. Phys. 92 (2002) 3584. 11. B. J. Kooe, and J. Th. M. De Hosson: J. Appl. Phys. 95 (2004) 4714. 12. G. F. Zhou: Mater. Sci. Eng. A 304–306 (2001) 73. 13. N. Yamada, E. Ohno, N. Akahira, K. Nishiuchi, K. Nagata, and M. Takao: Jpn. J. Appl. Phys. 26 (1987) 61. 14. N. Ohshima: J. Appl. Phys. 79 (1996) 8357. 15. V. Weidenhof, I. Friedrich, S. Ziegler, M. Wuttig: J. Appl. Phys: 86 (1999) 5879. 16. J. H. Kim: J. Appl. Phys: 86 (1999) 6770. 17. L. van Pieterson, M. van Schijndel, and J.C.N. Rijpers: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 1373. 18. H. J. Borg, M. van Schijndel, J. C. N. Rijpers, M. H. R. Lankhorst, G. F. Zhou, M.J. Dekker, I. P. D. Ubbens, and M. Kuijper: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 1592. 19. H. Baker, ASM Handbook Vol. 3 “Alloy Phase Diagrams” (1990) 2.360. 20. N. Oomachi, S. Ashida, N. Nakamura, K. Yusu, and K. Ichihara: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 1695. 21. C. W. Sun, J. Y. Lee, M. S. Youm, and Y. T. Kim: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 9157. 22. E. Prokhorov, A. M. Galvan, J. G. Hernandez, B. Chao: J. Non-Cryst. Solids 353 (2007) 1870. 23. B. Qiao, J. Feng, Y. F. Lai, Y. Ling, Y. Y. Lin, T. A. Tang, B. Cai, and B. Chen: Appl. Surf. Sci. 252 (2006) 8404. 24. T. Kato, H. Hirata, H. Inoue, H. Shingai, and H. Utsunomiya: Proc. Int. Symp. Optical Memory. Fr-K-01 (2001) 200. 25. M. Horie, T. Ohno, N. Nobukuni, K. Kiyono, T. Hashizume, and M. Mizuno: IEEE. Proc. Optical Data Storage (2001) 37. 26. L. Van Pieterson, M. H. R. Lankhorst, M. Van Schiijndel, A. E. T. Kuiper, and J. H. J. Roosen: J. Appl. Phys: 97 (2005) 083520. 27. F. Jiang and M. Okuda: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) 97. 28. Y. C. Chen, C. T. Rettner, S. Raoux, G. W. Burr, S. H. Chen, R. M. Shelby, M. Salinga, W. P. Risk, T. D. Happ, G. M. McClelland, M. Breitwisch, A. Schrott, J. B. Philipp, M. H. Lee, R. Cheek, T. Nirschl, M. Lamorey, C. F. Chen, E. Joseph, S. Zaidi, B. Yee, H. L. Lung, R. Bergmann, and C. Lam: IEEE IEDM 2006 Tech. Dig. (2006) 30.3. 29. K. Nakayama, K. Kojima, Y. Imai, T. Kasai, S. Fukushima, A. Kitagawa, M. Kumeda, Y. Kakimoto, and M. Suzuki: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 404. 30. B. Qiao, J. Feng, Y. Lai, Y. Cai, Y. Lin, T. Tang, B. Cai, and B. Chen: J. Electron. Mater. 36 (2007) 88. 31. Y. Takai, M. Nagase, M. Kitamura, Y. Koshikawa, N. Yoshida, Y. Kobayashi, T. Obara, Y. Fukuzo, and H. Watanabe: IEEE J. Solid-State Circuits 29 (1994) 426. 32. T. Ohta, K. Nishiuchi, K. Narumi, Y. Kitaoka, H. Ishibashi, N. Yamada, and T. Kozaki: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 770. 33. X. Q. Wei, L. P. Shi, R. Walia, T. C. Chong, R. Zhao, X. S. Miao, and B. S. Quek: IEEE Trans. Electron Devices 53 (2006) 56. 34. S. R. Ovshinsky: Phys. Rev. Lett. 21 (1968) 1450. 35. S. R. Ovshinsky, U.S. Patent #3,530,441 (1970). 36. H. Yasuoka, M. Ojima, M. Terao, and T. Nishida: Jpn. J. Appl. Phys. 26 (1987) 171. 37. A.W. Smith: Appl. Opt. 13 (1974) 795. 38. R. Barton, C.R. Davis, K.A. Rubin and G. Lim: Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 1255. 39. T. Nishida, M. Terao, Y. Miyauchi, S. Horigome, T. Kaku and N. Ohta: Appl. Phys. Lett. 50 (1987) 667. 40. J. Tominaga, T. Kikukawa, M. Takahashi, and R. T. Phillips: J. Appl. Phys. 82 (1997) 3214. 41. T. Matsushita, A. Suzuki, M. Okuda, J.C. Rhee and H. Naito: Jpn. J. Appl. Phys. 24 (1985) L504. 42. M. Chen, K.A. Rubin, V. Marrello, U.G. Gerber and V.B. Jipson: Appl. Phys. Lett. 46 (1985) 734. 43. M. Chen, K.A. Rubin, R.W. Barton: Appl. Phys. Lett. 49 (1986) 502. 44. M. Chen, K.A. Rubin, R.W. Barton: Appl. Phys. Lett. 49 (1986) 507. 45. R.T. Young, D. Strand, J. Gonzalez-Hernandez and S.R. Ovshinsky: J. Appl. Phys. 60 (1986) 4319. 46. N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi, N. Akahira and M. Takao: J. Appl. Phys. 69 (1991) 2849. 47. P. K. Khulbe, X. Xun, and M. Mansuripur: Appl. Opt. 39 (2000) 2359. 48. C. D. Wright, M. Armand, and M. M. Aziz: IEEE Trans. Nanotech (2006) 50. 49. Y. Maeda, H. Andoh, I. Ikuta, and H. Minemura: J. Appl. Phys. 64 (1988) 1715. 50. S. Fujimori, S. Yagi, H. Yamazaki, N. Funakoshi: J. Appl. Phys. 64 (1988) 1000. 51. M. Terao, T. Nishida, Y. Miyauchi, T. Kaku, S. Horigome, and Y. Sugita: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) 804. 52. C. N. Afonso, J. Solis, F. Catalina, C. Kalpouzos: Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 3123. 53. M. Kurebayashi, N. Tokushuku, M. Miyamoto, Y. Noro, T. Koizumi: IEEE Trans. Consum. Electron. (1993) 325. 54. J. H. Coombs, A. P. J. M. Jongenelis, W. van Es-Spiekman and B. A. J. Jacobs: J. Appl. Phys. 78 (1995) 4906. 55. J. H. Coombs, A. P. J. M. Jongenelis, W. van Es-Spiekman and B. A. J. Jacobs: J. Appl. Phys. 78 (1995) 4918. 56. P. Arun and A. G. Vedeshwar: Thin Solid Films 335 (1998) 270. 57. Y. M. Chen, and P. C. Kuo: IEEE. Trans. Mag. 34 (1998) 432. 58. G. F. Zhou and B. A. J. Jacobs: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 1625. 59. F. Gan, L. Hou, G. Wang, H. Liu and J. Li: Mater. Sci. Eng. B 76 (2000) 63. 60. W. K. Njoroge. and M. Wuttig: J. Appl. Phys. 90 (2001) 3816. 61. G. Mongia, and P. K. Bhatnagar: Opt. Eng. 42 (2003) 148. 62. C. C. Chou, F. Y. Hung, and T. S. Lui: Scripta Materialia 56 (2007) 1107. 63. Atsushi Ebina, Masao Hirasaka, and Kenji Nakatani: J. Vac. Sci. Tchnol. 17 (1999) 3463. 64. D. Z. Dimitrov, Y. H. Lu, M. R. Tseng, W. C. Hsu, and H. P. D. Shieh: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 1656. 65. D. Dimitrov, and H. P. D. Shieh: Mater. Sci. Eng. B. 107 (2004) 107. 66. C. M. Lee, T. S. Chin, and E. Y. Huang: J. Appl. Phys. Phys. 89 (2001) 3290. 67. S. S. Lin: Mater. Sci. Eng. B 129 (2006) 116. 68. C. M. Lee, W. S. Yen, R. H. Liu, and T. S. Chin: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 5321. 69. T. Akiyama, M. Uno, H. Kitaura, K. Narumi, R. Kojima, K. Nishiuchi, and N. Yamada: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 1598. 70. Y. C. Chen, H. P. Chen, Y. Y. Liao, H. T. Lin, L. H. Chou, J. S. Kuo, P. H. Chen, S. L. Lung, and R. Liu: IEEE Symp. VLSI Tech. Dig. (2003) 32. 71. Y. C. Chen, C. T. Chen, J. Y. Yu, C.Y. Lee, C. F. Chen, S. L. Lung, and Rich Liu: IEEE Proc. CICC Tech. Dig. (2003) 395. 72. T. Y. Lee, K. B. Kim, B. K. Cheong, T. S. Lee, S. J. Park, K. S. Lee, W. M. Kim, and S. G. Kim: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 3313. 73. Yagya Deva Sharma and P. K. Bhatnagar: Opt. Eng. 41 (2002) 1668. 74. R. Detemple, D. Wamwangi, and M. Wuttig, and G. Bihlmayer: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 2572. 75. H. L. Hwang, W. Y. Guo, Y. H. Tseng, B. H. Tzeng, L. X. Shao: J. Phys. Chem. Solids 64 (2003) 1729. 76. T. T. Yeh, T. E. Hsieh, and H. P. D. Shieh: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 5316. 77. T. T. Yeh, T. E. Hsieh, H. P. D. Shieh: Thin Solid Films 488 (2005) 211. 78. T. T. Yeh, T. E. Hsieh, and H. P. D. Shieh: J. Appl. Phys. 98 (2005) 023102. 79. C. M. Lee, W. S. Yen, J. P. Chen, T. S. Chin: IEEE Trans. Mag. 41 (2005) 1022. 80. K. Kohary, V. M. Burlakov, D. G. Pettifor, and D. N. Manh: Phys. Rev. B. 71 (2005) 184203. 81. R. Pandian, B. J. Kooi, J. Th. M. De Hosson, and A. Pauza: J. Appl. Phys. 100 (2006) 123511. 82. S. Raoux, M. Salinga, and J. L. Jordan-Sweet: J. Appl. Phys. 101 (2007) 044909. 83. E. Ohno, N. Yamada, T. Kurumizawa, K. Kimura, and M. Takao: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) 1235. 84. H. Iwasaki, Y. Ide, M. Harigaya, Y. Kageyama, and I. Fujimura: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 461. 85. T. Kato, H. Hirata, T. Komaki, H. Inoue, H. Shingai, N. Hayashida, and H. Utsunomiya: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 1664. 86. L. Van Pieterson, M. H. R. Lankhorst, M. Van Schiijndel, A. E. T. Kuiper, and J. H. J. Roosen: J. Appl. Phys. 97 (2005) 083520. 87. M. H. R. Lankhorst, L. van Pieterson, M. van Schijndel, B. A. J. Jacobs, and J. C. N. Rijpers: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 863. 88. A. B. Marchant: in Optical Recording-A Technical Overview, (Addison-Wesley, Canada, 1990) Chap. 5.1. p. 106. 89. T. Akiyama, M. Uno, H. Kitaura, K. Narumi, R. Kojima, K. Nishiuchi, and N. Yamada: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2000) 1598. 90. R. Kojima, and N. Yamada: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 5930. 91. H. C. F. Martens, R. Vlutters, and J. C. Prangsma: J. Appl. Phys. 95 (2004) 3977. 92. S. L. Lai, J. R. A. Carlsson, and L. H. Allen: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 1098. 93. S. Zhao, S. Wang, and H. Ye: J. Phys. Jpn. 70 (2001) 2953. 94. F. Ercolessi, W. Andreoni, and E. Tosatti: Phys. Rev. Lett. 66 (1991) 911. 95. E. A. Olson, M. Y. Efremov, M. Zhang, Z. Zhang, and L. H. Allen: J. Appl. Phys. 97 (2005) 034304. 96. M. Zhang, M. Y. Efremov, F. Schiettekatte, E. A. Olson, A. T. Kwan, S. L. Lai, T. Wisleder, J. E. Greene, and L. H. Allen: Phys. Rev. B. 62 (2000) 10548. 97. T. Bachels, and H. J. Guntherode: Phys. Rev. Lett. 85 (2000) 1250. 98. H. W. Sheng, K. Lu, and E. Ma: Acta Mater. 46 (1998) 5195. 99. M. Avrami: J. Chem. Phys. 7 (1939) 1103. 100. M. Avrami: J. Chem. Phys. 8 (1940) 212. 101. M. Avrami: J. Chem. Phys. 9 (1941) 177. 102. M. Avrami: Philos. Sci. 8 (1941) 115. 103. D. W. Henderson: J. Non-Cryst. Solids 30 (1979) 301. 104. J. W. Christian: “The Theory of Transformations in Metals and Alloys”, 3rd ed. (Part I), Pergamon, Elsevier, Oxford, Netherlands; (2002) pp. 16-20; 546. 105. J. Malek: Thermochimica Acta 267 (1995) 61. 106. H. E. Kissinger: Anal. Chem. 29 (1957) 1702. 107. S. Ranganathan, M. Von Heimendahl: J. Mater. Sci. 16 (1981) 240. 108. M. Von Heimendahl and G. Kuglstatter: J. Mater. Sci. 16 (1981) 2405. 109. G. K. L. Ng, P. L. Crouse, and L. Li: Int. J. Heat Mass Transfer 49 (2006) 1358. 110. P. J. Vergano and D. R. Uhlmann: Phys. Chem. Glasses 11 (1970) 30. 111. M. Gill, T. Lowrey, and J. Park: IEEE. ISSCC. Tech. Dig. (2002) 202. 112. A. Pirovano, A. Redaelli, F. Pellizzer, F. Ottogalli, M. Tosi, D. Ielmini, A. L. Lacaita, and R. Bez: IEEE. Trans. Device. Mater. Reliabi. 4 (2004) 422. 113. A.L. Lacaita: Solid-State Electron. 50 (2006) 24. 114. R. Bez, A. Pirovano: Mater. Sci. Semicond. Proc. 7 (2004) 349. 115. D. H. Kang, D. H. Ahn, K. B. Kim, J. F. Webb, and K. W. Yi: J. Appl. Phys. 94 (2003) 3536. 116. A. J. Bullen, K. E. O’hara, D. G. Cahill, O. Monteriro, and A. von Keudell: J. Appl. Phys. 88 (2000) 6317. 117. E. Mounier, F. Bertin, M. Adamik, Y. Pauleau, and P. B. Barna: Diamond Relat. Mater. 5 (1996) 1509. 118. H. Kinoshita, and N. Otaka: J. Vac. Sci. Technol. A 20 (2002) 1481. 119. Y. H. Ha, J. H. Yi, H. Horii, J. H. Park, S. H. Joo, S.O. Park, U. I. Chung, and J. T. Moon: IEEE. Symp. VLSI Tech. Dig. 10-12 (2003) 175. 120. E. Varesi, A. Modelli, P.Besana, T. Marangon, F.Pellizzer, A. Pirovano, and R. Bez: Proc. E*PCOS (2004). 121. S. J. Ahn, Y. N. Hwang, Y. J. Song, S. H. Lee, S. Y. Lee, J. H. Park, C. W. Jeong, K. C. Ryoo, J. M. Shin, J. H. Park, Y. Fai , J. H. Oh, G. H. Koh , G. T. Jeong, S. H. Joo, S. H. Choi, Y. H. Son, J. C. Shin, Y. T. Kim, H. S. Jeong, and K. Kim: IEEE. Symp. VLSI. Tech. Dig. (2005) 98. 122. C. W. Jeong, S. J. Ahn, Y. N. Hwang, Y. J. Song, J. H. Oh, S. Y. Lee, S. H. Lee, K. C. Ryoo, J. H. Park, J. M. Hin, F. Yeung, W. C. Jenog, J. I. Kim, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. Kim: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 3233. 123. Y. S. Park, K. J. Choi, N. Y. Lee, S. M. Yoon, S. Y. Lee, S. O. Ryu, and B. G. Yu: Proc. E*PCOS (2006). 124. Y. H. Ha, J. H. Yi, H. Horii, J. H. Park, S. H. Joo, S. O. Park, U, I, Chung, J. H. Moon: Symp. VLSI Tech. Dig. (2003). 125. Y. C. Chen, C. T. Rettner, S. Raoux, G. W. Burr, S. H. Chen, R. M. Shelby, M. Salinga, W. P. Risk, T. D. Happ, G. M. McClelland, M. Breitwisch, A. Schrott, J. B. Philipp, M. H. Lee, R. Cheek, T. Nirschl, M. Lamorey, C. F. Chen, E. Joseph, S. Zaidi, B. Yee, H. L. Lung, R. Bergmann, and C. Lam: IEEE. IEDM. Tech. Dig. (2006) 30.3. 126. S. M. Yoon, N. Y. Lee, S. O. Ryu, K. J. Choi, Y. S. Park, S. Y. Lee, B. G. Yu, M. J. Kang, S. Y. Choi, and M. Wuttig: IEEE. Electron Device Lett. 27 (2006) 445. 127. F. Pellizzer, A. Benvenuti, B. Gleixner, Y. Kim, B. Johnson, M. Magistretti, T. Marangon, A. Pirovano, R. Bez, and G. Atwood: IEEE. Symp. VLSI Tech. Dig. (2006) 122. 128. M. Breitwisch, T. Nirschl, C. F. Chen, Y. Zhu, M. H. Lee, M. Lamorey, G. W. Burr, E. Joseph, A. Schrott, J. B. Philipp, R. Cheek, T. D. Happ, S. H. Chen, S. Zaidi, P. Flaitz, J. Bruley, R. Dasaka, B. Rajendran, S. Rossnagel, M. Yang, Y.C. Chen, R. Bergmann, H. L. Lung, and C. Lam: IEEE. Symp. VLSI. Tech. Dig. (2007). 129. D. Ielmini, A. L. Lacaita, A. Pirovano, F. Pellizzer, and R. Bez: IEEE Electron. Device. Lett. 25 (2004) 507. 130. H. Lee, and D. H. Kang: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 4759. 131. J. M. Lee, K. Shin, C. H. Yeo, and H. B. Chung: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 5467. 132. X. S. Miao, L. P. Shi, H. K. Lee, J. M. Li, R. Zhao, P. K. Tan, K. G. Lim, H. X. Yang and T. C. Chong: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 3955. 133. F. Liao, Y. Ding, Y. Lin, T. Tang, B. Qiao, Y. Lai, J. Feng, B. Chen: Microelectronics 37 (2006) 841. 134. T. Morikawa, K. Kurotsuchi, M. Kinoshita, N. Matsuzaki, Y. Matsui, Y. Fujisaki, S. Hanzawa, A. Kotabe, M. Terao, H. Moriya, T. Iwasaki, M. Matsuoka, F. NittaW, M. Moniwa, T. Koga, and N. Takaura: IEEE. IEDM Tech. Dig. (2007) 307. 135. You Yin, Hayato Sone, and Sumio Hosaka: J. Appl. Phys. 1052 (2007) 064503. 136. F. Rao, Z. Song, L. Wu, M. Zhong, S. Feng, and B. Chen: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 073505. 137. T. Zhang, Z. Song, F. Wang, B. Liu, and S. Feng: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 222102. 138. Y. Zhang, S. Kim, J. P. McVittie, H. Jagannathan, J. B. Ratchford, C. E.D. Chidsey, Y. Nishi, and H. S. P. Wong: IEEE. Symp. VLSI. Tech. Dig. (2007). 139. D. S. Chao, C. H. Lien, C. M. Lee, Y. C. Chen, J. T. Yeh, F. Chen, M. J. Chen, P. H. Yen, M. J. Kao, and M. J. Tsai: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 062108. 140. B. J. Kooi, W. M. G. Groot, and J. Th. M. De Hosson: J. Appl. Phys. 95 (2004) 924. 141. J. Tominaga, T. Nakano, and N. Atoda: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 2078. 142. H. Cui, I. B. Bhat, and R. Venkatasubramanian: J. Electron. Mater. 30 (2001) 1376. 143. M. Zhang, M. Y. Efremov, F. Schiettekatte, E. A. Olson, A. T. Kwan, S. L. Lai, T. Wisleder, J. E. Greene, and L. H. Allen: Phys. Rev. B, 62 (2000) 10548. 144. S. Zhao, S. Wang, and H. Ye: J. Phys. Soc. Jpn. 70 (2001) 2953. 145. F. Jiang, M. Okuda: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1992) 466. 146. Y. M. Chen and P. C. Kuo: IEEE Trans. Magn. 34 (1998) 432. 147. A. L. Greer: Nature (London), 366 (1993) 303. 148. M. W. Barsoum: in Fundamentals of Ceramics, ed. R. Gibala, M. Tirrell, and C. A. Wert (McGraw-Hill, New York, 1997) Chap. 4. p. 95. 149. J. Garai: Chem. Phys. Lett. 398 (2004) 98. 150. J. G. Lee, H. Mori, and H. Yasuda: Phys. Rev. B, 66 (2002) 012105. 151. Q. Jiang, H. X. Shi and M. Zhao: J. Chem. Phys. 111 (1999) 2176. 152. D. H. Kim, F. Merget, M. Forst, H. Kurz: J. Appl. Phys. 101 (2007) 064512. 153. T. Kato, K. Tanaka: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 7340. 154. F. Yan, T.J. Zhu, X.B. Zhao, S.R. Dong: Appl. Phys. A, 88 (2007) 425. 155. A. V. Kolobov, P. FONS, A. I. Frenkel, A. L. Ankudinov,J. Tominaga, and T. Uruga: Nature materials 3 (2004) 703. 156. R. Xu, A. Husmann, T. F. Rosenbaum, M. L. Saboungi, J. E. Enderby, and P. B. Littlewood: Nature 390 (1997) 57. 157. A. C. Barnes, M. A. Hamilton, U. Beck, and H. E. Fischer: J. Phys. Condens. Matter. 12 (2000) 7311. 158. M. Kobayashi, K. Ishikawa, F. Tachibana, and H. Okazaki: Phys. Rev. B. 38 (1988) 3050. 159. D. A Keen: J. Phys. Condens. Matter. 14 (2002) R819. 160. J. Stuke: J. Non-Cryst. Solids 4 (1970) 1. 161. A. V. Kolobov, P. FONS, J. Tominaga, A. I. Frenkel, A. L. Ankudinov, S. N. Yannopoulos, K. S. Andrikopoulos, and T. Uruga: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 3345.
|