跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(18.97.9.171) 您好!臺灣時間:2024/12/02 04:04
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:郭柏宏
研究生(外文):Po-Hung Kuo
論文名稱:氧化鋅薄膜電晶體元件及其應用
論文名稱(外文):ZnO-Based Thin Film Transistors and their Applications
指導教授:朱聖緣朱聖緣引用關係
指導教授(外文):Sheng-Yuan Chu
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:電機工程學系碩博士班
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2008
畢業學年度:96
語文別:中文
論文頁數:99
中文關鍵詞:氧化鋅薄膜電晶體薄膜電晶體氧化鋅
外文關鍵詞:ZnO-TFTTFTZnOThin Film Transistor
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:357
  • 評分評分:
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
在本篇論文中,我們利用調變不同製程參數與元件幾何結構,成功製備出Enhancement Mode N-Type ZnO-TFT,其最大場效載子遷移率(μFE)為 4.2 cm2/V.s,開關比ION/OFF Ratio約104~107之間,最佳次起始斜率S.S=0.83V/Decade,並將元件應用於光電顯示之縮小元件幾何面積、OLED電流驅動與邏輯運算之靜態負載式反向器製作。
本篇論文大致可分兩部份,第一部分探討氧化鋅半導體薄膜特性。不同之濺鍍參數環境(Sputtring Parameter)與後處理(Post-Treatment)對於氧化鋅薄膜之影響,藉由XRD、AFM、SEM分析之,並且將ZnO-TFT元件I-V特性加以討論。
第二部份則探討ZNO-TFT元件之應用。包含新型HEXAGONAL元件結構之探討;另外,並用ZNO-TFT製作顯示器相關應用電路OLED驅動、反向器邏輯運算。
In this paper,we demonstrate an Enhancement Mode N-Type ZnO-TFT by changing the Process Parameter and Device Geometric Structure.The maximum Field Effect Mobility(μFE) is 4.2 (cm2/V.s) and the ION/OFF~104~107,the optimized Subthreshold Swing (S.S) is 0.83(V/Decade).We also did some applications of saving device area、driving OLED and integrating to Logic Inverter by ZnO-TFT devices.
There are two parts of this paper,In the first part,we discuss different Sputtering Parameters and Post-Treatment for ZnO-TFT analysing by XRD、AFM、SEM and I-V Measurement.In the second part,we discuss New Hexagonal device structure for saving device area、driving OLED(Organic Light Emitting Diode) and integrating logic device of ZnO-TFT for display and logic applications.
第一章 簡介....... ....................................10
1-1研究動機與目標..................................... 10
第二章 理論基礎... .....................................11
2-1 氧化鋅(ZNO)晶體結構及特性....... ...................11
2-2 二氧化矽(SIO2)介電氧化層特性.... ...................14
2-3 濺鍍原理...... ......................................16
2-4 電晶體元件操作原理..... .............................19
第三章 實驗步驟及方法...... .............................24
3-1 實驗材料與儀器 ......................................24
3-2 元件結構與製程 ......................................26
3-3 ZNO薄膜剖面特性........ .............................28
第四章 實驗結果與討論...... .............................29
4-1 ZNO-TFT元件特性與製程參數....... ....................29
4-1-1 濺鍍氧化鋅之氧濃度參數對ZnO-TFT特性之影響....... ..29
4-1-2 時間變化影響氧空缺位對ZnO-TFT特性之討論......... ..43
4-1-3 濺鍍氧化鋅之基板加溫參數影響ZnO-TFT特性之討論... ..48
4-1-4 氧化鋅半導體層之薄膜厚度影響ZnO-TFT特性之討論... ..54
4-1-5 以UV-OZONE對元件後處理之ZnO-TFT特性討論......... ..61
4-1-6 不同W/L之ZnO-TFT元件特性討論.................... ..71
4-2 ZNO-TFT元件在光電顯示及邏輯運算之應用............. ..80
4-2-1 高電流推動力、高解析度之Hexagonal ZnO-TFT....... ..80
4-2-2 以ZnO-TFT驅動有機發光二極體(OLED)元件之應用..... ..88
4-2-3 ZnO-TFT反向器(Inverter)邏輯運算應用............ ..92
第五章 結論與未來展望................................. ..97
參考文獻.............................................. ..98
[1] D.C. Look, Materials Science and Engineering B80 (2001) 383
[2] R. A. Swalin., Wiley, New York (1974)
[3] 陳育升, “以最佳化氧處理製作高效能氧化鋅薄膜電晶體之研究” 台灣大學光電工程研究所碩士論文,P.8
[4] 莊達人,”VLSI製造技術”,P483-484
[5] Donald A.Neaman,”Semiconductor Physics & Device”,P.520-522
[6] Donald A.Neaman,”Semiconductor Physics & Device”,P.561-562
[7] Rajesh DAS, Koel ADHIKARY, and Swati RAYy,Japanese ,Journal of Applied Physics,Vol. 47, No. 3, 2008, pp. 1501–1506
[8] R. Martins,a_ P. Barquinha, I. Ferreira, L. Pereira, G. Gonçalves, and E. Fortunato, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 101, 044505 (2007)
[9] Donald A.Neaman,”Semiconductor Physics & Device”,P.608-609
[10] 陳育升, “以最佳化氧處理製作高效能氧化鋅薄膜電晶體之研究” 台灣大學光電工程研究所碩士論文,P.42-43
[11] Hojin Lee, Juhn-Suk Yoo, Chang-Dong Kim, In-Byeong Kang, and Jerzy Kanicki,IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 55, NO. 1, JANUARY 2008
[12] R. L. Hoffman, B. J. Norris and J. F. Wager, APPLIED PHYSICS LETTERS VOLUME 82, NUMBER 5, 3 FEBRUARY 2003
[13] Elvira M. C. Fortunato,a) Pedro M. C. Barquinha, Ana C. M. B. G. Pimentel,Alexandra M. F. Gonçalves, António J. S. Marques,Rodrigo F. P. Martins, and Luis M.N. Pereira, APPLIED PHYSICS LETTERS VOLUME 85, NUMBER 13 27 SEPTEMBER 2004

[14] E. Fortunato *, A. Pimentel, L. Pereira, A. Gonc_alves, G. Lavareda,
H.Aguas, I. Ferreira, C.N. Carvalho, R. Martins, Journal of Non-Crystalline Solids 338–340 (2004) 806–809

[15] Q.J. Yao *, D.J. Li, Journal of Non-Crystalline Solids 351 (2005) 3191–3194

[16] R. L. Hoffman, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS VOLUME 95, NUMBER 10 15 MAY 2004

[17] R.L. Hoffman, Solid-State Electronics 50 (2006) 784–787

[18] Sang-Hee Ko Park,a,z,* Chi-Sun Hwang,a Hu Young Jeong,b Hye Yong Chu,a and Kyoung Ik Choa, Electrochemical and Solid-State Letters, 11 _1_ H10-H14 (2008)

[19] K. Remashan,a D. K. Hwang,b S. D. Park,c J. W. Bae,c G. Y. Yeom,c S. J. Park,b and J. H. Jang,Electrochemical and Solid-State Letters, 11 _3_ H55-H59 (2008)

[20] K. Remashan and J. H. Jang, D. K. Hwang and S. J. Park, APPLIED PHYSICS LETTERS 91, 182101 (2007)
連結至畢業學校之論文網頁點我開啟連結
註: 此連結為研究生畢業學校所提供,不一定有電子全文可供下載,若連結有誤,請點選上方之〝勘誤回報〞功能,我們會盡快修正,謝謝!
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
無相關期刊