Moore G E 1965 Electronics 38 114-117
R. Chau, S. Datta, M. Doczy, B. Doyle, J. Kavalieros, and M. Metz, IEEE
Electron Device Letters, 25, 408, (2004).
S. E. Thompson, M. Armstrong, C. Auth, S. Cea, R. Chau, G. Glass, T. Hoffman, J. Klaus, Z. Ma, B. McIntyre, A. Murthy, B. Obradovic, L. Shifren, S. Sivakumar, S. Tyagi, T. Ghani, K. Mistry, M. Bohr, and Y. El-Mansy, IEEE Electron Device Letters, 25, 191 (2004).
Ashley, A. B. Dean, C. T. Elliott, R. Jefferies, F. Khaleque, and T. J. Phillips,
IEDM Technical Digest, 751, (1997)
http://www.intel.com/technology/mooreslaw/index.htm
R. Chou, INFOS 2005 presentation
T. Ashley, A. R. Barnes, L. Buckle, S. Datta, A. B. Dean, M. T. Emeny, M.
Fearn,D. G. Hayes, K. P. Hilton, R. Jefferies, et al., in 2004 7th International
Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology Proceedings, Vol.
3, 2253 (2005)
N. Yokoi, H. Andoh, and M. Takai, Appl. Phys. Lett., 64, 2578 (1994)
M. G. Kang, H. H. Park, and H. Kim, Appl. Phys. Lett., 80, 2499 (2002)
C. L. Chen, L. J. Mahoney, M. J. Manfra, F. W. Smith, D. H. Temme, and A. R.
Calawa, IEEE Electron Device Lett., 13, 335 (1992)
M. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, and A. M. Sergent, Science,
283,1897 (1999)
H. Simchia, Sh. Bahreani, and M. H. Saani, Eur. Phys. J. Appl. Phys., 33, 1
(2006)
P. John, T. Miller, and T. C. Chiang, Phys. Rev. B, 39, 1730 (1989)
M. O. Schweitzer, F. M. Leibsle, T. S. Jones, C. F. McConville, and N. V.
Richardson, Semicond. Sci. Technol., 8, S342 (1993)
R. Tessler, R. Akhvlediani, R. Edrei, O. Klin, S. Greenberg, E. Weiss, C. Saguy,
and A. Hoffman, Appl. Phys. Lett., 88, 031918 (2006)
A. Rastogi and K. V. Reddy, Thin Solid Films, 270, 616 (1995)
J. D. Langan and C. R. Viswanathan, J. Vac. Sci. Technol., 16, 1474 _1979_
F. Khaleque, Electron. Lett., 31, 500 (1995)
B. D. Liu and S. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 63, 3622 (1993)
H. C. Lin, P. D. Ye, and G. D. Wilk, Appl. Phys. Lett., 87, 182904 (2005)
Y. Xuan, H. C. Lin, and P. D. Ye, ECS Trans., 3 (3) , 59 (2006)
M. L. Huang, Y. C. Chang, C. H. Chang, Y. J. Lee, P. Chang, J. Kwo, T. B. Wu,
and M. Hong, Appl. Phys. Lett., 87, 252104 (2005)
C. H. Chang, Y. K. Chiou, Y. C. Chang, K. Y. Lee, T.-D. Lin, T. B. Wu, J. Kuo,
and M. Hong, Appl. Phys. Lett., 89, 242911 (2006)
P. D. Ye, G. D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, H. J. L. Gossmann, M. Hong, K. Ng, and
J. Bude, Appl. Phys. Lett., 84, 434 (2004)
F. Maria, F. Micea, D. T. Jayne, M. Goradia, and C. Goradia, Surf. Interface
Anal., 15, 641 (1990)
Y. C. Chang, M. L. Huang, K. Y. Lee, Y. J. Lee, T. D. Lin, M. Hong, J. Kwo, T. S. Lay, C. C. Liao and K. Y. Cheng, Appl. Phys. Lett. 92, 072901 (2008)
C. L. Hinkle, A. M. Sonnet, E. M. Vogel, S. McDonnell, G. J. Hughes, M.
Milojevic, B. Lee, 2 F. S. Aguirre-Tostado, K. J. Choi, H. C. Kim, J. Kim and R.
M. Wallace, Appl. Phys. Lett, 92, 071901 (2008)
W. Kern, D.A. Poutinen, RCA Rev. 31, 187 (1970)
W. Kern, J. electrochem. Soc, 137, 1887 (1990)
B. D. Luft, L. B. Khusid, M. L. Yassen, Yu. S. Milyavskii, Inorg. Mater. 20,
1087 (1984)
A. J. Bosch, R. G. van Welzonis, O. F. Z. Sehanen, J. Appl. Phys. 58, 3434
(1985)
M. Hong, M. Passlack, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, N. Moriya, S. Y.
Hou, and V. J. Gratello: J. Vac. Sci Technol. B 14, 2297 (1996)
M. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, and A. M. Sergent: Science, 283, 1987 (1999)
C. H. Chang, Y. K. Chiou, Y. C. Chang, K. Y. Lee, T. D. Lin, T. B. Wu, M. Hong, J. Kwo, Appl. Phys. Lett , 89, 242911 (2006)
http://www.mems-exchange.org/MEMS/processes/deposition.html
莊達人, “VLSI製造技術” 高立圖書
http://www.mems-exchange.org/MEMS/processes/deposition.html
許家旺, “In-situ 電漿表面處理對原子層化學氣相沉積Al2O3、HfO2高介電薄
膜應用在奈米尺度世代DRAM影響之研究”, 清華大學碩士論文 (2006)
Szu-Wei Huang and Jenn-Gwo Hwu, IEEE Trans. Elec. Dev. 50, 1658 (2003)
James D. Plummer, Michael K. Deal, Peter B. Griffin, “Silicon VLSI
Technology Fundamentals, Practice and Modeling”, published by Prentice Hall
Electronics and VLSI Series
Toshiro Maruyama, and Susumu Arai, Appl. Phys. Lett. 60, 322 (1992)
J. S. Kim, H. A. Marzouk, P. J. Reucroft, J. D. Roberision, and C. E. Hamrin, Jr.,
Appl. Phys. Lett. 62, 681 (1993)
H. O. Pierson, “Handbook of Chemical Vapor Deposition Principles, Technology
and Application”, Noyes Publications U.S.A., (1995)
李清楠, “下電極材料對原子層化學氣相沉積Al2O3高介電薄膜櫻用在奈米尺
度世代DRAM影響之研究”, 清華大學, 碩士論文 (2005)
G. S. Higashi, and C. G. Fleming, Appl. Phys. Lett. 55, 1963 (1989)
Yuniarto Widjaja, Charles B. Musgrave, Appl. Phys. Lett. 80, 3304 (2002)
Martin M. Frank, Yves J. Chabal and Glen D. Wilk, Appl. Phys. Lett. 82, 4758
(2003)
Suvi Haukka, Eeva-Liisa, and Toumo Suntola, Appl. Surf. Sci. 82/83, 548-552
(1994)
http://www.cambridgenanotech.com/index.php
T. Hori, Gate dielectrics and MOS ULSIs: principle, technologies, and
applications, Springer, Berlin, p8, 45 (1997)
W. E. Spicer, P. W. Chye, P. R. Skeath, C. Y. Su, and I. Landau, J. Vac. Sci.
Technol. 16, 1422 (1979)
S. Arabasz, E. Bergignat, G. Hollinger and J. Szuber, Vacuum. 80, 888 (2006)
V. N. Bessolov, E. V. Konenkova and M. V. Lebedev, J. Vac. Sci. Technol. B 14,
2761 (1996)
Y. Dong, X. M. Ding, X. Y. Hou, Y. Li and X. B. Li, Appl. Phys. Lett. 77, 3839
(2000)
W. K. Liu, W. T. Yuen, R. A. Stradling, J. Vac. Sci. Technol. B, 13 (4), 1529
(1995)
R. P. Vasquez, B. F. Lewis, F. J. Grunthaner, J. Appl. Phys. 54 (3), 1365 (1983)
W. K. Liu, M. B. Santos, J. Vac. Sci. Technol. B. 14(2), 647 (1996)
T. S. Jones, M. Q. Ding, N. V. Richardson, C. F. McConville, Sur. Sci. 247, 1
(1991)
Z. C. Feng, H. Gong, W. J. Choyke, N. J. Doyle, R. F. C. Farrow, J. Mater. Sci.:
Mater. Electron. 7, 23 (1996)
In2O3 will decompose into nonvolatile InO if heated at temperatures above 500
°C under vacuum,’’ see Treatise on Iorganic Chemistry by H.Remy (Elsevier, New York, 1956), Vol. 1.
F. D. Auret, J. Electrochem. Soc. 131, 2115 (1984)
J. C. Bean, G. E. Becker, P. M. Petroff, and T. E. Seidel, J. Appl. Phys. 48, 907
(1977)
Y. D. Zheng, Y. H. Chang, B. D. McCombe, R. F. C. Farrow, T. Temofomte, and
F. A. Shirland, Appl. Phys. Lett. 49, 1187 (1986)
L. Haworth, J. Lu, D. I. Westwood, J. E. MacDonald, Appl. Sur. Sci. 166,
253-258 (2000)
H. Simchi, Sh. Bahreani, and M. H. Saani, Eur. Phys. J. Appl. Phys. 33, 1-4
(2006)
Faur M., Faur M., Jayne D.T., Goradia M., Goradia C. Surf. Interface Anal. 15,
641 (1990)
Izquierdo R., Sacher E., Yelon A. Appl. Surf. Sci. 40, 175 (1989)
Y. C. Chang, M. L. Huang, K. Y. Lee, Y. J. Lee, T. D. Lin, M. Hong,J. Kwo, T.
S. Lay, C. C. Liao and K. Y. Cheng, Appl. Phys. Lett. 92, 072901 (2008)
D. G. Hendershot, J. C. Pazik, and A. D. Berry, Chem. Mater. 4, 833 (1992)
Y. Bu and M. C. Lin, A. D. Berry and D. G. Hendershot, J. Vac. Sci. Technol. A
13, 230 (1995)
J. D. Langan and C. R. Viswanathan, J. Vac. Sci. Technol., 16, 1474(1979)
F. Khaleque, Electron. Lett. 31, 500 (1995)
B. D. Liu and S. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 63,3622 (1993)
B. Ullrich, F. Kuchar, R. Meisels, F. Olcaytug, and A. Jachimowicz, Thin Solid
Films, 168, 157 (1989)
M. M. Frank, G. D. Wilk, D. Starodub, T. Gustafsson, E. Garfunkel, Y. J. Chabal, J.Grazul, and D. A. Muller, Appl. Phys. Lett., 86, 152904 (2005)
N. L. Cohen, R. E. Paulsen, and M. H. White, IEEE Trans. Electron Devices, 42,
2004 (1995).
A. Etchells and C. W. Fischer, J. Appl. Phys. 47, 4605 (1976)
C. L. Hinkle, A. M. Sonnet, E. M. Vogel, S. McDonnell, G. J. Hughes, M.
Milojevic, B. Lee, F. S. Aguirre-Tostado, K. J. Choi, J. Kim, and R. M. Wallace,
Appl. Phys. Lett. 91, 163512 (2007)
D. Shahrjerdi, D. I. Garcia-Gutierrez, T. Akyol, S. R. Bank, E. Tutuc, J. C. Lee,
and S. K. Banerjee, Appl. Phys. Lett. 91, 193503 (2007)
H. D. Barber and E. L. Heasell, J. Appl. Phys. 36, 176(1965)
Donghun Choi, James S. Harris, Maitri Warusawithana and Darrell G. Schlom,
Appl. Phys. Lett. 90, 243505 (2007)
Chao-Ching Cheng, Chao-Hsin Chien, Guang-Li Luo, Chun-Hui Yang,
Ching-Chih Chang, Chun-Yen Chang, Chi-Chung Kei, Chien-Nan Hsiao, and
Tsong-Pyng Perng, J. Appl. Phys. 103, 074102 (2008)
C. W. Wilmsen, J. Vac. Sci. Technol., 13 (1976) 64
James C. Kim, IEEE. Transactions on parts, hybrids and packaging, Vol.
PHP-10, No.4, December (1974)
鄭智元, “銻化銦薄膜之電子特性與微觀組織之研究”, 中山大學, 碩士論文(2002)