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研究生:蔣双偉
論文名稱:黃光微影製程晶圓覆蓋誤差控制研究開發
論文名稱(外文):The development of overlay control of photolithography process
指導教授:李安謙
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:工學院半導體材料與製程產業專班
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2009
畢業學年度:97
語文別:中文
論文頁數:62
中文關鍵詞:黃光微影製程覆蓋誤差混貨
外文關鍵詞:lithography processoverlay errormixed product
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覆蓋誤差(Overlay Error)為黃光微影製程控制的重要項目,覆蓋誤差的量測結構,為Box-in-Box結構,其中,晶片上的前層組織位於外圍的盒框,而當層組織位於內盒框。藉由這兩個盒框的相對位置來量測當層與前層的覆蓋誤差,而覆蓋誤差控制可以透過Run-to-Run控制10個機台製程參數來實現。
本論文主要目的為設計一套應用於微影製程之覆蓋誤差(Overlay,OL)的先進製程控制方法,來解決混貨時因停批一段時間造成補值錯誤的問題;本論文首先分析半導體微影製程的覆蓋誤差數個月的資料,再以這些資料計算出微影製程的系統增益以及干擾,並分別採用Just-in-Time Adaptive Disturbance Estimation (JADE)與Tool-Based Adaptive Disturbance Estimation (TBADE)兩種方法,以實際製程假設覆蓋誤差干擾來源物件,求出各物件對輸出值的初始干擾,再由這些值估計出下次製程的誤差來調整輸入值,並由新一筆量測資料更新各物件所貢獻的干擾;經由歷史資料模擬得知,TBADE優於其他方法。其並於實驗驗證,實際上機驗證結果顯示出經由TBADE控制後,其與歷史資料相比較下,製程能力指標有略為提升。
摘要 ii
ABSTRACT iii
目 錄 iv
表 目 錄 vi
圖 目 錄 vii
致謝 x
第一章、緒論 1
1.1 引言 1
1.2 研究動機 2
1.3 文獻回顧 2
第二章、微影製程、曝光機台及覆蓋誤差介紹 5
2.1 微影製程介紹 5
2.2 曝光機台以及對準系統的介紹 9
2.2.1 掃描式曝光機介紹 9
2.2.2 對準(Alignment) 10
2.3 微影覆蓋誤差介紹 11
2.3.1 覆蓋誤差之原因 11
2.3.2 覆蓋誤差之影響 13
2.3.3 覆蓋誤差模型 14
第三章、研究方法及模擬結果 17
3.1 力晶微影製程APC現況 17
3.2 Just-in-Time Adaptive Disturbance Estimation (JADE) 19
3.2.1 引言 19
3.2.2 JADE控制概念 19
3.2.3 JADE模擬步驟 22
3.3 Tool-Based Adaptive Disturbance Estimation (TBADE) 26
3.3.1 引言 26
3.3.2 TBADE概念 27
3.3.3 TBADE模擬步驟 30
3.3.4 TBADE模擬結果 34
第四章、實驗驗證 40
4.1. 實驗討論 40
4.2 實驗各項數據 40
4.3 實驗結果 41
4.4 實驗結果討論 58
第五章、目前成果與未來建議 59
5.1 目前成果 59
5.2 改善方向及未來建議 59
參考文獻 60
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QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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