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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:楊事峯
研究生(外文):Yang Shih Feng
論文名稱:利用脈衝式雷射蒸鍍法製備摻銪氧化鋅薄膜與其光電性質研究
論文名稱(外文):Optical and Electrical Properties of ZnO:Eu Thin Films grown by Pulsed Laser Deposition
指導教授:石豫臺石豫臺引用關係
學位類別:碩士
校院名稱:國立彰化師範大學
系所名稱:物理學系
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2009
畢業學年度:97
語文別:中文
論文頁數:99
中文關鍵詞:脈衝式雷射蒸鍍法氧化鋅雷射照射
外文關鍵詞:PLDZnOEuLaser Irradiating
相關次數:
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本研究利用標準固態燒結法先成長出氧化鋅與摻銪氧化鋅晶體靶材,再使用脈衝式雷射蒸鍍法將靶材材料沉積到藍寶石基板上,以成長出氧化鋅與摻銪氧化鋅薄膜。所成長的薄膜再以波長248nm的脈衝式雷射光加以照射或由高溫爐施以熱退火,以探討薄膜特性的改變狀況。藉由能量散佈分析儀確認薄膜的成份元素,摻銪氧化鋅薄膜確實有Eu成份的存在。使用X光繞射觀察薄膜的結晶特性,發現摻銪氧化鋅薄膜在改變雷射照射時間時,(002)繞射峰會慢慢往低角度偏移,而在改變照射能量時,(002)繞射峰會慢慢往高角度偏移。利用原子力顯微鏡觀察薄膜表面的形態,發現在雷射照射能量達250mJ時,會有氧化鋅的柱狀結構出現。霍爾效應量測結果顯示,經雷射退火的摻銪氧化鋅薄膜為p型半導體。室溫穿透光譜量測顯示,薄膜的穿透率皆在70%以上。由光激螢光光譜的量測來探討光學特性,摻銪氧化鋅薄膜在經過雷射光處理後,使用波長為325nm的雷射光激發,可觀察到銪離子內部能階躍遷的紅光譜線(5D0→7F0、5D0→7F1、5D0→7F2、5D0→7F3),推測可能是以O2-(2p)的形式與Eu3+(4f)有能量的傳遞造成,使用波長為465.8nm的雷射光激發薄膜亦可觀察到紅光譜線。摻銪氧化鋅薄膜的變溫螢光光譜量測結果顯示,紅光部分的螢光強度會隨著溫度升高而減弱。
This thesis is devoted to the characterization of Eu-doped ZnO thin films deposited on sapphire substrates by pulsed–laser deposition method. The deposited thin films were treated with laser pulse irradiation and thermal annealing..The composition, structure, electrical and optical properties of the thin films were investigated. Eu concentration of the ZnO:Eu thin films was determined by energy dispersive spectroscopy. X-ray diffraction results showed the (002) peak from ZnO:Eu thin films shifts to lower angles as the laser irradiation time increases or the irradiation energy decreases. For the thin films irradiated by laser pulse of 250mJ, a hexagonal structure of ZnO crystal was found by the atomic force microscope measurements. From the Hall effect measurements, a laser-irradiation-induced conversion of these semiconductor thin films from n-type to p-type was confirmed. The thin films showed good transparency. The optical transmittance in visible range is over 70%. The photoluminescence (PL) spectra of ZnO:Eu thin films excited by laser beam of 325 nm showed red emission bands, which was due to the transition of inner energy levels of Eu3+ ions.. The temperature-dependent PL spectra of ZnO:Eu thin films showed that the red emission intensity decreases with the temperature increases.
第一章 緒論
1.1 研究動機與目的 1
1.2 氧化鋅結晶結構與其光電特性介紹 3
1.3 氧化鋁(Al2O3,Sapphire)基板的性質介紹 6
1.4 稀土發光材料的性質介紹 7

第二章 基本原理
2.1 標準固態反應法 9
2.2 脈衝式雷射鍍膜法(Pulsed Laser Deposition,PLD) 11
2.2.1 準分子脈衝式雷射介紹(Excimer pulsed laser) 11
2.2.2 脈衝式雷射蒸鍍原理 12
2.2.3 脈衝式雷射蒸鍍法的優點 15
2.3 稀土離子Eu3+的發光特性 17
2.4 原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope,AFM) 21
2.5 X光繞射原理 25
2.6 霍爾效應量測(Hall Effect Measurement ) 30
2.7 光激螢光光譜(Photoluminescence,PL)基本原理 34


第三章 實驗方法
3.1 標準固態反應方法製備靶材 35
3.1.1 摻銪氧化鋅靶材製作流程 35
3.1.2 氧化鋅與氧化銪靶材製作流程 36
3.2 脈衝式雷射鍍膜法Pulsed Laser deposition (PLD)製備薄膜 37
3.2.1 基板清洗 37
3.2.2 PLD製作薄膜流程 38
3.2.3 PLD鍍膜參數 39
3.3 對鍍膜的處理 40
3.3.1 雷射退火(Laser irradiated)氧化鋅和摻銪氧化鋅薄膜樣品 40
3.3.2 熱退火(annealing)氧化鋅和摻銪氧化鋅薄膜樣品 42
3.4 薄膜樣品特性分析 43
3.4.1 結構分析-X光繞射(x-ray diffraction, XRD )分析 43
3.4.2 表面量測-原子力顯微鏡(atomic force microscope, AFM) 44
3.4.3 薄膜厚度量測與樣品濃度分析-掃描式電子顯微鏡暨能量散布 44
3.4.4 可變溫光激螢光(PL)光譜量測方法 45
3.4.5 穿透光譜量測方法 46
3.4.6 霍爾效應實驗量測方法(Hall effect) 47
第四章 結果與討論
4.1以雷射退火氧化鋅薄膜樣品的特性分析 48
4.1.1 薄膜結晶品質 48
4.1.2 薄膜表面的霍爾(Hall)效應量測結 51
4.1.3 薄膜的光學性質 52
4.1.3.1 薄膜的PL光譜性質 52
4.1.3.2 薄膜的室溫穿透光譜 55
4.2 以雷射退火摻銪氧化鋅薄膜樣品的特性分析 57
4.2.1 改變脈衝式KrF雷射照射的時間 57
4.2.1.1 薄膜結晶品質 57
4.2.1.2 薄膜表面形貌與其摻雜濃度分析 60
4.2.1.2.1 薄膜表面形貌(AFM)結果討論 60
4.2.1.2.2 薄膜表面濃度分析結果討論 62
4.2.1.3 薄膜表面的霍爾(Hall)效應量測結果 65
4.2.1.4 薄膜的光學性質 67
4.2.1.4.1 薄膜的PL光譜性質 67
4.2.1.4.2 薄膜的室溫穿透光譜 70
4.2.2 改變脈衝式KrF雷射照射的能量 71
4.2.2.1 薄膜結晶品質 71
4.2.2.2 薄膜表面形貌與其濃度分析 73
4.2.2.2.1 薄膜表面形貌量測結果討論 73
4.2.2.2.2 薄膜表面濃度分析(EDS)結果討論 75
4.2.2.3 薄膜表面的霍爾(Hall)效應量測結果 78
4.2.2.4 薄膜的光學性質 79
4.2.2.4.1 薄膜的PL光譜性質 79
4.2.2.4.2 薄膜的室溫穿透光譜 82
4.3 以熱退火摻銪氧化鋅薄膜樣品的特性分析 83
4.3.1 薄膜結晶品質 84
4.3.2 薄膜表面的霍爾效應量測結果 85
4.3.3 薄膜的光學性質 85
4.3.3.1 薄膜的PL光譜性質 85
4.2.3.2 薄膜的室溫穿透光譜 89

第五章 結論與未來工作
5.1 結論 90
5.2 未來工作 92
第六章 參考文獻 94
圖目錄
圖1.1 製作白光LED四種方法的示意圖 1
圖1.2 氧化鋅(ZnO)結構圖 3
圖1.3 氧化鋁(Al2O3,Sapphire)結構圖 6
圖2.1 PLD真空系統架設圖 13
圖2.2 脈衝雷射光束與靶材的交互作用 14
圖2.3 薄膜沉積之先後發生順序 14
圖2.4 三價稀土離子的能階圖 19
圖2.5 4f軌域受外殼層電子遮蔽示意圖 20
圖2.6 銪離子(Eu3+)的4f能階躍遷圖 20
圖2.7 電荷轉移躍遷示意圖 21
圖2.8 原子力顯微鏡架構示意圖 22
圖2.9 兩原子間的距離與相對位能關係圖 23
圖2.10 X光譜圖 26
圖2.11 電子由高能階躍遷到低能階,放射出特徵X光 27
圖2.12 能階躍遷與特徵波長關係 28
圖2.13 (a)為實際X光繞射的峰;(b)為理論X光繞射的峰 30
圖2.14 p型半導體在外加電流與磁場下示意圖 31
圖3.1 摻銪氧化鋅靶材製作流程 36
圖3.2 氧化鋅靶材或氧化銪靶材製作流程 36
圖3.3 藍寶石基板清洗流程 37
圖3.5 樣品量測分析方法 43
圖3.6 光激螢光(PL)光譜儀器架設簡圖 46
圖4.1 改變不同脈衝式KrF雷射照射時間之XRD繞射圖 49
圖4.2 改變不同脈衝式KrF雷射照射能量之XRD繞射圖 50
圖4.3 改變不同脈衝式KrF雷射照射時間之半高寬與晶粒關係圖 50
圖4.4 改變不同脈衝式KrF雷射照射能量之半高寬與晶粒關係圖 51
圖4.5 改變脈衝式KrF雷射照射時間的ZnO膜之PL光譜圖 53
圖4.6 改變脈衝式KrF雷射照射能量的ZnO膜之PL光譜圖 54
圖4.7 改變脈衝式KrF雷射照射時間的ZnO膜之室溫穿透光譜圖 55
圖4.8 改變脈衝式KrF雷射照射能量的ZnO膜之室溫穿透光譜圖 56
圖4.9 氧化鋅(ZnO)與摻銪氧化鋅(ZnO:Eu)薄膜之XRD圖 58
圖4.11 改變脈衝式KrF雷射照射時間的薄膜之XRD圖 59
圖4.12 改變KrF雷射照射時間對XRD繞射峰值與半高寬之影響 59
圖4.13 改變脈衝式KrF雷射照射時間的AFM之2D圖與3D圖 61
圖4.14 改變脈衝式KrF雷射照射時間對Rrms.與Ravg.的影響 62
圖4.15 改變脈衝式KrF雷射照射時間的薄膜之EDS量測結果 64
圖4.16 改變雷射照射時間對電阻率的影響 66
圖4.17 改變雷射照射時間對載子濃度與載子移動率的影響 66
圖4.18(a) 由He-Cd雷射所激發的PL光譜圖(350-640nm) 68
圖4.18(b) 由He-Cd雷射所激發的PL光譜圖(570-640nm) 68
圖4.18(c) 脈衝式KrF雷射照射時間對紅光強度與紫外光強度的影響 69
圖4.19 由Argon雷射所激發的PL光譜圖(570-720nm) 69
圖4.20 改變脈衝式KrF雷射照射時間之薄膜室溫穿透光譜圖 70
圖4.21 改變脈衝式KrF雷射照射能量之薄膜的XRD繞射圖 72
圖4.22 改變脈衝式KrF雷射照射能量對XRD繞射峰值與半高寬之影響 72
圖4.23 改變脈衝式KrF雷射照射能量的AFM之2D圖與3D圖 74
圖4.24 改變脈衝式KrF雷射照射能量對Rrms.與Ravg.的影響 75
圖4.25 改變脈衝式KrF雷射照射能量的薄膜之EDS量測結果 77
圖4.26 改變雷射照射時間對電阻率的影響 79
圖4.27 改變雷射照射能量對載子濃度與載子移動率的影響 79
圖4.28(a) 由He-Cd雷射所激發的PL光譜圖(350-640nm) 81
圖4.28(b) 由He-Cd雷射所激發的PL光譜圖(570-640nm) 81
圖4.28(c) 脈衝式KrF雷射照射時間對紅光強度與紫外光強度的影響 82
圖4.29 由Argon雷射所激發的PL光譜圖 82
圖4.30 改變脈衝式KrF雷射照射能量之薄膜室溫穿透光譜圖 84
圖4.31 熱退火ZnO:Eu薄膜的XRD繞射圖 85
圖4.32 由He-Cd雷射所激發的PL光譜圖(350-630nm) 87
圖4.33 由Argon雷射所激發的PL光譜圖(570-720nm) 88
圖4.34 由Argon雷射激發的ZnO:Eu(as-grown)之變溫PL光譜圖(580-730nm) 88
圖4.35 由Argon雷射激發的ZnO:Eu(熱退火600℃)之變溫PL光譜圖(580-730nm) 89
圖4.36 改變熱退火溫度之ZnO:Eu薄膜室溫穿透光譜圖 90
圖5.1 ZnO與其存放一段時間之後的PL光譜圖 93
圖5.2 EL示意圖 94
表目錄
表2.1 目前常用的準分子雷射種類 12
表2.2 薄膜製作技術優劣比較表 16
表2.3 常見靶材的特徵波長(單位:Å) 25
表3.1 鍍膜參數表 39
表3.2 摻銪氧化鋅薄膜之雷射照射(Laser irradiated)條件 40
表3.3 氧化鋅薄膜之雷射照射(Laser irradiated)條件 41
表3.4 摻銪氧化鋅薄膜之雷射照射(Laser irradiated)條件 41
表3.5 氧化鋅薄膜之雷射照射(Laser irradiated)條件 41
表3.6 熱退火參數表 42
表4.1 改變雷射照射ZnO膜之時間的條件 48
表4.2 改變雷射照射ZnO膜之能量的條件 48
表4.3 改變脈衝式KrF雷射照射時間之ZnO膜的霍爾量測表 52
表4.4 改變脈衝式KrF雷射照射能量之ZnO膜的霍爾量測表 52
表4.5 改變脈衝式雷射照射時間之UV強度與載子濃度的關係 54
表4.6 改變脈衝式雷射照射能量之UV強度與載子濃度的關係 54
表4.7 摻銪氧化鋅薄膜之雷射照射條件-改變照射時間 57
表4.8 改變脈衝式KrF雷射照射時間的AFM之Rrms與Ravg 62
表4.9 EDS量測改變脈衝式KrF雷射照射時間所得Eu平均濃度 63
表4.10 摻銪氧化鋅薄膜之雷射照射條件-改變照射能量 71
表4.11 改變脈衝式KrF雷射照射能量的AFM之Rrms與Ravg 75
表4.12 EDS量測改變脈衝式KrF雷射照射能量所得Eu平均濃度 76
表4.13 熱退火ZnO:Eu薄膜之霍爾量測表 86
第一章
﹝1. 1﹞王振爝,摻銅硫化鋅螢光體的製作與光學特性研究,國立彰化師範大學光電科技研究所碩士論文(2008)
﹝1. 2﹞史光國,半導體發光二極體及固態照明(全華科技,台北市,2006)
﹝1. 3﹞劉如熹、劉宇桓,發光二極體用氧氮螢光粉介紹,初版(全華科技,台北市,2006)
﹝1. 4﹞B. Lin, Z.Fu, and Y. Jia, Appl. Phys. Lett. 79, 7(2001)
﹝1. 5﹞Ü. Özgür, Ya. I. Alivov, C. Liu, A.Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S. –J. Cho, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 98, 041301(2005)
﹝1. 6﹞A. Janotti, D. Segev, and Chris G. Van de Walle, Phys. Rev. B 74, 045202(2006)
﹝1. 7﹞D. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, C. W. Litton, G.Cantwell, and W. C. Harsch, Phys. Rev. B 60, 2340(1999)
﹝1. 8﹞K. Sato, and H. Katayama-Yoshida, Physica B 308, 904(2001)
﹝1. 9﹞K. M. Lakin, and J. S. Wang, Appl. Phys. Lett. 79, 125(1981)
﹝1.10﹞F. K. Shan, G. X. Liu, W. J. Lee, G. H. Lee, I. S. Kim, and B.C. Shin, Appl. Phys. Lett. 86, 221910(2005)
﹝1.11﹞D. K. Hwang, M. S. Oh, Y. S. Choi, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 92, 161109(2008)
﹝1.12﹞H. Frenzel, A. Lajn, M. Brandt, H. von Wenckstern, G. Biehne, H. Hochmuth, M. Lorenz, and M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 92, 192108(2008)
﹝1.13﹞M. Krunks, and E. Mellikov, Thin Solid Films 270, 33(1995)
﹝1.14﹞D. C. Kim, W. S. Han, H. K. Cho, B. H. Kong, and H. S. Kim, Appl. Phys. Lett. 91, 231901(2007)
﹝1.15﹞J. H. Park, S. J. Jang, S. S. Kim and B. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 89, 121108(2006)
﹝1.16﹞林素霞,氧化鋅薄膜的特性改良及應用之研究,國立成功大學材料科學及工程研究所博士論文(2003)
﹝1.17﹞Y. Hayashi, H. Narahara, T. Uchida, T. Noguchi, and S. Ibuki, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 1878(1995)
﹝1.18﹞W. Jia, K. Monge, and F. Fernandez, Optical Materials 23, 27(2003)
﹝1.19﹞S. Bachir, K. Azuma, J. Kossanyi, P. Valat, and J. C. Ronfard-Haret, J. Lumin. 75, 35(1997)
﹝1.20﹞Y. K. Park, J. I. Han, M. G. Kwak, H. Yang, S. H. Ju, and W. S. Cho, Appl. Phys. Lett. 72, 6(1998)
﹝1.21﹞Y. K. Park, J. I. Han, M. G. Kwak, H. Yang, S. H. Ju, and W. S. Cho, J. Lumin. 78, 87(1998)
﹝1.22﹞S. Fujihara, A. Suzuki, and T. Kimura, J. Appl. Phys. 94, 4(2003)
﹝1.23﹞P. Che, J. Mengb, and L. Guo, J. Lumin. 122,168(2007)
﹝1.24﹞C. Panatarani, I. W. Lenggoro, and K. Okuyama, Journal of Physics and Chemistry of Solids 65, 1843(2004)
﹝1.25﹞A. Ishizumi, and Y. Kanemitsu, Appl. Phys. Lett. 86, 253106(2005)
﹝1.26﹞S. Gao, H. Zhang, R. Deng, X. Wang, D. Sun, G. Zheng, Appl. Phys. Lett. 89, 123125(2006)
﹝1.27﹞C. C. Yang, S. Y. Cheng, H. Y. Lee, and S. Y. Chen, Ceramics International 32, 37(2006)
﹝1.28﹞S. A. M. Lima, M. R. Davolos, W. G. Quirino, C. Legnani, and M. Cremona, Appl. Phys. Lett. 90, 023503(2007)
﹝1.29﹞S. L . Jones, D. Kumar, R. K. Singh, and P. H. Holloway, Appl. Phys. Lett. 71, 404(1997)
﹝1.30﹞S. S. Yi, J. S. Bae, B. K. Moon, J. H. Jeong, and J. H. Kim, Appl. Phys. Lett. 86, 071921(2005)
﹝1.31﹞N. Rakov, F. E. Ramos, G. Hirata, and M. Xiao, Appl. Phys. Lett. 83, 272(2003)
﹝1.32﹞A. K. Pradhan, K. Zhang, S. Mohanty, J. Dadson, D. Hunter, G. B. Loutts, U. N. Roy, Y. Cui, A. Burger, A. L. Wilkerson, J. Appl. Phys. 97, 023513(2005)
﹝1.33﹞Y. Zhao, and Y. Jiang, Journal of Appl. Phys. 103, 114903(2008)


第二章
﹝2. 1﹞鄭子樵、李紅英,新材料與應用技術叢書-稀土功能材料,初版(曉園,台北市,2006)
﹝2. 2﹞陳銘堯,簡介脈衝雷射蒸鍍法,物理雙月刊,十五卷五期,669(1993)
﹝2. 3﹞H. M. Smith,and A. F. Turner,Appl. Opt.4, 147(1965)
﹝2. 4﹞D. Dijkkamp, and T. Venkatesan, Appl. Phys. Lett. 51,619(1987)
﹝2. 5﹞Pulsed Laser Deposition of Thin Films, edited by Douglas B. Chrisey and Graham K. Hubler(Wiley,1994)
﹝2. 6﹞黃慧娟,摻銪氧化鋅半導體成長與光學性質研究,國立彰化師範大學物理系碩士論文(2008)
﹝2. 7﹞G. S. Chang,E. Z. Kurmaev,D. W. Boukhvalov,L. D. Finkelstein,S. Colis,T. M. Pedersen,A.Moewes,and A. Dinia,Phys. Rev. B 75, 195215(2007)
﹝2. 8﹞T. Andreev, N. Q. Liem,Y. Hori,M. Tanaka,O. Oda, D. L. S. Dang,and B. Daudin,Phys. Rev. B 73, 195203(2006)
﹝2. 9﹞M. Weinelt,S. Schwarz,H. Baier,S. Müller,L. Hammer,K.Heinz,and Th. Fauster,Phys. Rev. B 63, 205413(2001)
﹝2.10﹞Kei Inumaru, K. Baba,and S.Yamanaka,Phys. Rev. B 73, 052504(2006)
﹝2.11﹞W. Ramadan, S. B. Ogale, S. Dhar, L.F. Fu,S. R. Shinde, D. C. Kundaliya, M. S. R. Rao,N. D. Browning,and T. Venkatesan,Phys.Rev. B 72, 205333(2005)
﹝2.12﹞林偉湟,利用AIN薄膜材料於MIS結構之製作與特性量測研究,國立高雄大學電機工程學系碩士班碩士論文(2007)
﹝2.13﹞莊達人,VLSI製作技術,高立圖書股份有限公司(1995)
﹝2.14﹞汪建民,材料分析,二版(中國材料科學學會,2001)
﹝2.15﹞Gerhard H. Dieke, Spectra and Energy Levels of Rare Earth Ions in Crystals. 3rd ed.(Interscience Publishers, New York,1972)
﹝2.16﹞H. Yamamoto,Physical Chemistry-six ed.(Oxford University Press, Tokyo,1998)
﹝2.17﹞Phosphor Research Society,Phosphor Handbook(CRC Press,Boca Raton,1999)
﹝2.18﹞歐美加科技股份有限公司AFM操作訓練課程
﹝2.19﹞林志儒,摻雜過渡金屬之非相稱性鈣鈷氧化物之製備與熱電性質之探討,國立彰化師範大學物理系碩士論文(1998)
﹝2.20﹞Ron Jenkin and Robert L. Synder,Introduction to X-ray powder diffractometry(New York,Wiley,1996)
﹝2.21﹞B. D. Cullity and S. R. Stock,Elements of X-ray Diffraction 3rd ed.(Upper Saddle River,NJ07485:Prentice Hall, 2001)
﹝2.22﹞陳怡君,摻錳氧化鋅稀磁性半導體的磁學與光學特性研究,國立彰化師範大學光電科技研究所碩士論文(2006)
﹝2.23﹞林亞男,利用脈衝式雷射蒸鍍法製備摻鎵氧化鋅透明導電膜之特性研究,國立嘉義大學光電暨固態電子研究所碩士論文(2009)



第四章
﹝4.1﹞N. Fujimura,T. Nishihara,S. Goto,J. Xu and T. Ito,J. Cryst.Growth 130, 269(1993)
﹝4.2﹞G. Xiong,J. Wilkinson,B. Mischuck,S. Tüzemen,K. B. Ucer,and R. T. Williams,Appl. Phys. Lett. 80, 7(2002)
﹝4.3﹞Y. Zhao,and Y. Jiang,J. Appl. Phys. 103, 114903(2008)
﹝4.4﹞C. C. Yang,S. Y. Cheng,H. Y. Lee,and S. Y. Chen,Ceramics Internation 32, 37(2006)
﹝4.5﹞S. Bachir,K. Azuma,J. Kossanyi,P. Valat,and J. C. Ronfard-Haret,J. Lumin.75, 35(1997)
﹝4.6﹞S. A. M. Lima,M. R. Davolos,W. G. Quirino,C. Legnani,and M. Cremona,Appl. Phys. Lett. 90, 023503(2007)
﹝4.7﹞H. Li,J. Wang,H. Liu,H.Zhang,and X. Li,J. Cryst. Growth 275, e943(2005)
﹝4.8﹞Q. Yu,H. Yang,W. Fu,L. Chang,J. Xu,C. Yu,R. Wei,K. Du,H. Zhu,M. Li,and G. Zou,Thin Solid Films 515, 3840(2007)
﹝4.9﹞M. S. Oh,D. K. Hwang,S. J. Park,and T. Y.Seong,Electrochem. Solid-State Lett. 8, G317(2005)
﹝4.10﹞D. Jiles,Introduction to the Electronic Properties of Materials,(Chapman & Hall,1994)
﹝4.11﹞F. K. Shan,G. X. Liu,W. J.Lee,I. S. Kim,and B. C. Shin,Appl. Phys. Lett. 86, 221910(2005)
﹝4.12﹞T. Andreev,N. Q. Liem,Y. Hori,M. Tanaka,O. Oda,D. L.S. Dang,and B. Daudin, Phys. Rev. B 73, 195203(2006)
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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