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研究生:劉得鋕
研究生(外文):Di-Zhi Liu
論文名稱:雙載子有機薄膜電晶體與邏輯電路製作技術研究
論文名稱(外文):The Study on Ambipolar Organic Thin Film Transistors and Logic Circuits
指導教授:王右武
指導教授(外文):Yu-Wu Wang
學位類別:碩士
校院名稱:國立彰化師範大學
系所名稱:光電科技研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2009
畢業學年度:97
語文別:中文
論文頁數:126
中文關鍵詞:電晶體雙載子反相器
外文關鍵詞:transistorambipolarinverter
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本論文探討利用Pentacene和F16CuPc兩種有機半導體材料為主動層,製作成雙通道結構的雙極性有機薄膜電晶體,由於這兩種有機材料不容易受水氧氣體的影響,成長在底部接觸式的元件在大氣環境中較易呈現雙極性的特性。此外,藉著改變不同元件通道長度與寬度以得到較佳的電性,使元件擁有最匹配的p 型與n 型OTFT,且經由電容特性曲線分析,發現與傳統單一極性電晶體不同,在正負閘極偏壓下都會累積載子。
最後,為了將來能使CMOS-Like的元件(邏輯電路應用),或是利用有機薄膜電晶體所設計的驅動電路能夠實現於各種軟性電子產品,我們成功將P-type與N-type組合製作成CMOS Inverter,另外我們也將兩顆相同條件的雙極性有機薄膜電晶體製作成Ambipolar Inverter,能夠操作在第一和第三象限,可大量簡化複雜的電路設計。
Air-stable bi-channel ambipolar organic thin-film transistors (OTFT) based on the active layer of Pentacene / F16CuPc have been made. Because these two organic materials not easily affected by water and oxygen, the growth is easy in the base bottom-contact can exhibited ambipolar OTFT properties under ambient conditions. However, after modification of the different device channel length and channe width by obtains the good electric properties, causes p-type and n-type OTFT has most matches. Furthermore, from the capacitance-voltage measurements, we observed that the ambipolar OTFT accumulated holes and electrons under negative and positive voltages respectively.
Finally, can cause CMOS-Like for the future the part (logic circuit application), perhaps the driving circuit which designs using the organic thin film transistor can realize in each kind of soft electronic products, we succeed P-type and the N-type combination manufacture CMOS Inverter. Moreover we also manufacture two identical ambipolar organic thin film transistors Ambipolar Inverter, the inverter could operate in both the first and third quadrants, thereby simplifing the IC design.
中文摘要...............................................I
Abstract...............................................II
誌謝...................................................III
目錄...................................................IV
表目錄.................................................VIII
圖目錄.................................................IX

第一章 緒論............................................1
1-1 有機薄膜電晶體的發展簡史.......................1
1-2 有機材料在元件上的應用.........................3
1-3 研究動機與大綱.................................5
1-4 論文架構.......................................7

第二章 有機薄膜電晶體(OTFT)簡介........................12
2-1 有機薄膜電晶體材料簡介.........................12
2-1-1 傳電洞正型有機半導體.....................13
2-1-2 傳電子負型有機半導體.....................14
2-2 有機半導體傳導機制.............................17
2-3 場效電晶體操作原理.............................18
2-3-1 金氧半場效電晶體(MOSFET)操作原理.........19
2-3-2 有機薄膜電晶體(OTFT)操作原理.............20
2-3-3 有機薄膜電晶體(OTFT)基本特性及公式.......21

第三章 有機薄膜電晶體製程及量測.......................28
3-1元件製程步驟....................................28
3-1-1 基板清洗步驟.............................28
3-1-2 物理氣相沉積蒸鍍系統及製程...............29
3-2電性分析........................................29
3-2-1電流-電壓特性(Current-Voltage)量測........29
3-2-2電容-電壓特性(Capacitance-Voltage)量測....30
3-3 接觸電阻與通道電阻之萃取.......................30
3-4 薄膜特性分析...................................31
3-4-1 x-ray繞射量測系統........................31
3-5 CMOS 與Ambipolar Inverter製作與量測儀器.......32

第四章 P-type與N-type電晶體實驗結果與討論..............37
4-1 P-type(Pentacene)元件.........................37
4-1-1 通道長度對元件電性影響...................37
4-1-2 通道寬度對元件電性影響...................39
4-1-3 接觸電阻和通道電阻之萃取.................40
4-1-4 扣除接觸電阻校正載子遷移率...............42
4-2 N-type(F16CuPc)元件...........................43
4-2-1 N-type 場效電晶體的需求..................43
4-2-2 N-type電晶體之研究.......................44
4-2-3 通道長度對元件電性影響...................45
4-2-4 通道寬度對元件電性影響...................46
4-2-5 接觸電阻和通道電阻之萃取.................47
4-2-6 扣除接觸電阻校正載子遷移率...............48
4-3 C-V分析與結果討論..............................50
4-4 XRD 分析.......................................51

第五章 雙載子(Ambioplar)電晶體實驗結果與討論...........76
5-1 雙載子(Ambioplar)電晶體之研究..................76
5-1-1 Ambioplar電晶體的需求....................76
5-1-2 有機雙載子電晶體實驗與操作原理...........76
5-1-3 有機雙載子電晶體實驗方法.................78
5-2 Ambipolar OTFT電性分析與討論...................78
5-2-1 Ambipolar OTFT電性分析...................78
5-2-2 Ambipolar OTFT 通道長度對元件電性影響....81
5-2-3 Ambipolar OTFT 通道寬度對元件電性影響....82
5-3 C-V分析與結果討論..............................83
5-4 XRD分析........................................84
5-5邏輯電路(CMOS-like inverter)....................85

第六章 結論以及未來研究與展望..........................120
6-1結論............................................120
6-2 未來研究與展望.................................121

參考文獻...............................................123

表目錄
表1 列出了1990 年代到2008 年,近18 年來發表過的有機薄膜電晶體文章整
理。.............8
表4-1 Pentacene OTFT Width=1500 μm不同通道長度之電晶體電性參數。..52
表4-2 Pentacene OTFT Length=67μm 不同通道寬度之電晶體電性參數。....52
表4-3 Pentacene OTFT Width=1500 μm,Length=67 μm 輸出曲線VD= -5 V 所求得之接觸電阻和通道電阻值。.................53
表4-4 F16CuPc OTFT Width=1500 μm 不同通道長度之電晶體電性參數。...53
表4-5 F16CuPc OTFT Length=67 μm 不同通道寬度之電晶體電性參數。....54
表4-6 F16CuPc OTFT Width=1500 μm,Length=67 μm 輸出曲線VD= 5 V 所求得之接觸電阻和通道電阻值。.................54
表4-7 Pentacene (001)~(004)繞射峰角度2θ、d-spacing 及半高寬值。..............55
表4-8 F16CuPc(200)繞射峰角度2θ、d-spacing 及半高寬值。............................55
表5-1 Pentacene/F16CuPc Bi-channel Ambipolar OTFT,Width=1500 μm 不同通道長度之電晶體電性參數。.................88
表5-2 Pentacene/F16CuPc Bi-channel Ambipolar OTFT,Length=67 μm 不同通
寬度之電晶體電性參數。........................89
表5-3 Pentacene/F16CuPc Bi-layer 繞射峰角度2θ、d-spacing 及半高值。......90

圖目錄
圖1-1 1947 年所提出的電晶體就已經有使用有機材料。…….9
圖1-2 聚苯乙烯(Polystyrene)分子結構圖。............................................9
圖1-3 聚乙炔(Polyacetylene)分子結構圖。............................................9
圖1 - 4 一個富有彈性, 半透明之塑膠晶片, 使用具有導電性的聚苯
胺(Polyaniline),包含一個27 mm 的積體電路,並且當它彎
曲時仍可工作。( P h i l i p s R e s e a r c h ) - - 聚苯胺纖維的平均直
徑為139 nm。................................10
圖1-5 2004 年2 月由Philips 公司發表的可撓式有機顯示器。…………….10
圖1-6 有機材料與Si 材料的電子移動率比較圖。…………………………...11
圖1-7 CMOS 示意圖。…………11
圖2-1 Pentacene 與DH6T 分子結構圖。.............23
圖2-2 Pc2Lu 和Pc2Tm 的分子結構。................23
圖2-3 Tetracyanoquinodimethane (TCNQ)。.......23
圖2-4 C60 元件未經表面處理的電性圖。.............24
圖2.-5 F16CuPc 結構和電性圖。..................24
圖2-6 n-MOSFET 的剖面圖。......................24
圖2-7 n-MOSFET 的操作方式及輸出的IDS-VD 特性。(a)低汲極電壓,(b)
進入飽和區,(c)過飽和。.........................25
圖2-8 有機薄膜電晶體結構種類。…………………………26
圖2-9 利用一P 型材料,來描述電極在不同偏壓下載子的分佈情形。…....27
圖3-1 (a) P-type (b) N-type 底部接觸式元件。.....33
圖3-2 Bi-channel Ambipolar 底部接觸式元件。………33
圖3-3 梳狀電極俯視圖。..........................34
圖3-4 基板清洗流程。............................34
圖3-5 (a)蒸鍍機系統示意圖 (b)蒸鍍機腔體示意圖。....35
圖3-6 布拉格繞射示意圖。.........................36
圖4-1 為本實驗標準P-type OTFT 元件結構剖面圖。....55
圖4-2 Pentacene OTFT ,其W/L=1500 μm/67 μm 之(a)IDS-VD 輸出特性。...56
圖4-2 Pentacene OTFT,其W/L=1500 μm/67 μm 之(b)Log|IDS|-VG 轉
換曲線,(c)|IDS|1/2-VG 轉換曲線。.............57
圖4-3 Pentacene OTFT,其Width=1500 μm 不同通道長度電性比較(a)VG=-40 V 輸出曲線,(b)VD= -40 V 轉換曲線。…………58
圖4-4 Pentacene OTFT Width=1500 μm 不同通道長度與載子遷移率和臨界電壓之關係圖。............................59
圖4-5 Pentacene OTFT Width=1500 μm 不同通道長度遲滯電性。………….59
圖4-6 Pentacene OTFT,Length=67 μm 不同通道寬度電性比較(a)VG= -40V 輸出曲線,(b)VD= -40 V 轉換曲線。..............60
圖 4-7 Pentacene OTFT,其Length=67 μm 不同通道寬度與載子遷移率和臨界電壓之關係圖。...............................61
圖4-8 Pentacene OTFT Width=1500 μm 不同通道長度遲滯電性。.................61
圖4-9 載子流經OTFT 時所遇到的等效電阻。...........62
圖4-10 Pentacene OTFT Width=1500 μm,Length=67 μm 線性區IDS-VD 的特..............62
圖4-11 Pentacene OTFT Width=1500 μm,Length=67 μm 之RTOTAL-VD 曲線圖。....63
圖4-12 Pentacene OTFT Width=1500 μm,VG= -10~ -40 V、VD= -5 V 時不同通道長度之總阻抗。..............63
圖4-13 Pentacene OTFT Width=1500 μm,Length=67 μm 接觸電阻和通道電阻與閘極偏壓之關係圖。...................64
圖4-14 Pentacene OTFT Width=1500 μm,Length=67 μm 校正前後之載子遷移率比較圖(a)VD= -10 V,(b)VD= -40 V。...64
圖4-15 為本實驗標準F16CuPc OTFT 元件結構剖面圖。…65
圖 4-16 F16CuPc OTFT,其W/L=1500 μm/ 67 μm 之(a)IDS-VD 輸出特性圖。…………65
圖 4-16 F16CuPc OTFT,其W/L=1500 μm/ 67 μm 之(b)Log|IDS|-VG 轉換曲線(VD=5~40 V),(c)|IDS|1/2-VG 轉換曲線(VD=5~40 V)。......66
圖4-17 F16CuPc OTFT,其Width=1500 μm 不同通道長度電性比較(a)VG=40
V 輸出線,(b)VD=40 V 轉換曲線。.................67
圖4-18 F16CuPc OTFT ,其Width=1500 μm 不同通道長度與載子遷移率和
臨界電壓之關係圖。………………………………………………68
圖4-19 F16CuPc OTFT Width=1500 μm 不同通道長度遲滯電性。.……....…68
圖4-20 F16CuPc OTFT,Length=67 μm 不同通道寬度電性比較(a)VG=40 V輸出曲線,(b)VD=40 V 轉換曲線。……………………………………………...69
圖4-21 F16CuPc OTFT,Length=67 μm 不同通道寬度與載子遷移率和臨界電
壓之關係圖。……………70
圖4-22 F16CuPc OTFT Length=67 μm 不同通道長寬度遲滯電性。................70
圖4-23 F16CuPc OTFT 線性區IDS-VD 的特性。................71
圖4-24 F16CuPc OTFT Width=1500 μm,Length = 67 μm 之RTOTAL-VD 曲線圖。…………………………71
圖4-25 F16CuPc OTFT Width=1500 μm,VG=40 V、VD=5 V 時不同通道長度電晶體之總阻抗。.........72
圖4-26 F16CuPc OTFT Width=1500 μm,Length = 67 μm 接觸電阻和通道電阻與閘極偏壓之關係。…………72
圖4-27 F16CuPc OTFT Width=1500 μm,Length = 67 μm 校正前後之載子遷移率比較圖(a)VD=10 V, (b)VD=40 V。…………………73
圖4-28 PMOS 與 NMOS 元件C-V 圖。………………………………73
圖4-29 Pentacene OTFT 元件的C-V 圖。.................74
圖4-30 F16CuPc OTFT 元件的C-V 圖。................74
圖4-31 Pentacene 成長於SiO 2 介電層上的XRD 圖。……75
圖4-32 F16CuPc 成長於SiO 2 介電層上的XRD 圖。………75
圖5-1(a) (VD=VS=0,VG>>0)閘極外加正偏壓下,閘極指向Source-Drain 電方向大小相同。............................91
圖5-1(b) (VD=VS=0,VG<0)閘極外加負偏壓下,閘極指向Source-Drain 電場方
向大小相同。…………………………………………………...…91
xiv
圖5-1(c) (VS=0,VG>>VD>0 ;或者VS=VG=0,VG>>0)雙載子於N-type 模式
下,IDS 電流受少數載子(電洞)支配情形。……………………91
圖5-1(d) (VS=0,VG<<VD<0 ;或者VS=VG=0,VG<<0)雙載子於P-type 模式
下,IDS 電流受少數載子(電子)支配情形。………………………92
圖5-2(a) Pentacene/F16CuPc Bi-channel Ambipolar OTFT,Width=1500 μm,
Length=67 μm,N-type 操作情況之IDS-VD 圖。………………93
圖5-2(b) Pentacene/F16CuPc Bi-channel Ambipolar OTFT,Width=1500 μm,
Length=67 μm,P-type 操作情況之IDS-VD 圖。..........93
圖5-3 利用雙層異質接面(Bi-layer)結構,蒸鍍Pentacene 與F16CuPc 的半導體在上下兩層之結構。...........................94
圖5-4 利用摻混(Blend)方式,Pentacene 與F16CuPc 以1:1 之比例,共蒸鍍
製程製作雙載子電晶體之結構圖。………………………………94
圖5-5 利用雙通道(Bi-channel)方式,Pentacene 與F16CuPc 分別蒸鍍於通道
上來製作雙載子電晶體。…………………………………………94
圖5-6 雙層異質接面(Bi-layer)結構OTFT 之IDS-VD 圖,
(a)W1(Pentacene):W2(F16CuPc)=600μm:1200μm,L=67μm。
(b) W1(F16CuPc):W2(Pentacene)=300μm:300μm,L=67μm。…………….95
xv
圖5-7 利用摻混(Blend)結構的OTFT 之IDS-VD 圖,其W/L=1500 μm/67 μm
(a)P-type 操作(b)N-type 操作。……………96
圖5-8 利用雙通道(Bi-channel)之結構的OTFT 之IDS-VDW1:W2/L=1500
μm:1500 μm/67 μm,P-type 操作與N-type 操作之清況。……………...97
圖5-9 利用雙通道(Bi-channel)之結構的OTFT 之IDS-VG 圖,(a)P-type 操
作Log|IDS|-VG 轉換曲線(b)N-type 操作 Log|IDS|-VG 轉換
曲線。……………………………………………98
圖5-9 利用雙通道(Bi-channel)之結構的OTFT 之IDS-VG 圖,(c)P-type 操
作|IDS|1/2-VG 轉換曲線(d)N-type 操作|IDS|1/2-VG 轉換曲線。...99
圖5-10 Pentacene/F16CuPc Bi-channel Ambipolar OTFT,Width=1500 μm 不同
通道長度電性比較(a)P-type 操作,VG= -80 V 輸出曲線(b)N-type 操
作,VG=80 V 輸出曲線。………………………………………….….100
圖5-11 Pentacene/F16CuPc Bi-channel Ambipolar OTFT,Width=1500 μm 不同
通道長度電性比較(a)P-type 操作,VD= -60 V 轉換曲線(b)N-type 操
作,VD=60 V 轉換曲線。…………………………………..................101
圖5-12(a) Pentacene/F16CuPc Bi-channel Ambipolar OTFT,Width=1500 μm,
P-type 操作情況不同通道長度遲滯電性。………….…….……102
圖5-12(b) Pentacene/F16CuPc Bi-channel Ambipolar OTFT,Width=1500 μm,
N-type 操作情況不同通道長度遲滯電性。….……………….…102
圖5-13 Pentacene/F16CuPc Bi-channel Ambipolar OTFT,Length=67 μm 不同
通道寬度電性比較(a)P-type 操作,VG= -60 V 輸出曲線(b)N-type 操
作,VG=60 V 輸出曲線。……………………………………………...103
圖5-14 Pentacene/F16CuPc Bi-channel Ambipolar OTFT,Length=67 μm 不同
通道寬度電性比較(a)P-type 操作,VD= -60 V 轉換曲線(b)N-type 操
作,VD=60 V 轉換曲線。………………………………………...…...104
圖4-15(a) Pentacene/F16CuPc Bi-channel Ambipolar OTFT,Length=67 μm,
P-type 操作情況不同通道寬度遲滯電性。…………………..…105
圖4-15(b) Pentacene/F16CuPc Bi-channel Ambipolar OTFT,Length=67 μm,
N-type 操作情況不同通道寬度遲滯電性。…………….....….…105
圖5-16 Pentacene/F16CuPc Bi-channel Ambipolar OTFT 的C-V 圖(W/L=600
μm/67 μm,f=20 Hz)。.......................................................................….106
圖5-17 Pentacene/F16CuPc Bi-channel Ambipolar OTFT 的C-V 圖(W/L=1500
μm/67 μm) ,(a)f=20 Hz~20 KHz。.......106
圖5-17 Pentacene/F16CuPc Bi-channel Ambipolar OTFT 的C-V 圖(W/L=1500
μm/67 μm) (b)f=500 Hz~20 KHz(c)f=1 KHz~20 KHz。………107
圖5-18 Pentacene/F16CuPc 成長於SiO2 介電層上的XRD 圖。…………….108
圖5-20 Inverter 實際元件接線圖。…………………………………109
圖5-20 P-type 與N-type 來當作CMOS Inverter 之元件組合。…………….109
圖5-21 四組不同W 之CMOS Inverter 轉換特性曲線圖,L=67 μm (a)WP
=300μm,Wn=300μm(b)WP =600μm,Wn=600μm。………………..110
圖5-21 四組不同W/L 之CMOS Inverter 轉換特性曲線圖,L=67 μm
(c)Wp=1500μm ,Wn=1500μm (d)Wp=300μm,Wn=600μm。……..….111
圖5-22 四組不同W/L 之CMOS Inverter 靜態分析比較圖。……………..112
圖5-23 四組不同W/L 之CMOS Inverter Gain 比較圖。………………….112
圖5-24 兩顆Ambipolar 來當作Ambipolar Inverter 之元件組合。………..113
圖5-25 Ambipolar Inverter 之組合分別為(a) W/L1=1500 μm/67 μm與
L2=67 μm。…………………............…………………………………113
圖5-25 Ambipolar Inverter 之組合分別為(b) W/L1=1500μm/67μm 與
L2=47μm。…………………………………………………………….114
圖5-26 Ambipolar Inverter 之(a)組合之Gain 圖。………………………….114
圖5-27 CMOS Inverter 動態分析,其VIN=± 20 V,VDD=20 V,
f=1 Hz~50 Hz。………………………………………………………115
xviii
圖5-28 CMOS Inverter 動態分析,其VIN=±20 V,VDD=20 V,
f=100 Hz~500 Hz。…………………………………...…………….115
圖5-29 CMOS Inverter 動態分析,其VIN=±30 V,VDD=30 V,
f=1 Hz~50 Hz。………………………………………………...…….116
圖5-30 CMOS Inverter 動態分析,其VIN=±30 V,VDD=30 V,
f=100 Hz~500 Hz。………………………………………...……….116
圖5-31 CMOS Inverter 動態分析,其VIN=±40 V,VDD=40 V,
f=10 Hz~50 Hz。……………………………………………….…….117
圖5-32 CMOS Inverter 動態分析,其VIN=±40 V,VDD=40 V,
f=100 Hz~500 Hz。………………………………………….……….117
圖5-33 Ambipolar Inverter 動態分析,其VIN=±30 V,VDD=30 V,
f=10 Hz~50 Hz。…………………………………………………...118
圖5-34 Ambipolar Inverter 動態分析,其VIN=±30 V,VDD=30 V,
f=100 Hz~500 Hz。…………………………………………...……...118
圖5-35 CMOS Inverter 峰對峰值(Vp-p)與頻率(f)變化之關係。…………...119
圖5-36 Ambipolar Inverter 峰對峰值(Vp-p)與頻率(f)變化之關係。……….119
[1] J. E. Lilienfeld, U.S. Patent No. 1,745,175 (1930).
[2] D. Kahng, M. M. Atalla, IRE Solid-State Devices Research Conference, Carnegic Institute of Technology (1960).
[3] D. F. Barbe and C. R. Westgate, J. Phys. Chem. Solids, 31, 2679-2687 (1970).
[4] M. L. Petrova and L. D. Rozenshtein, Sov. Phys. Solid State (Fiz. Tverd. Tela), 12, 961, (1970).
[5] F. I, T. Kurokawa and S. Nara, J. Appl. Phys., 54, 3255 (1983).
[6] Hideki Shirakawa, Edwin J. Louis, Alan G. Macdiarmid, J. C. S. Chem.Comm., 578 (1977).
[7] A. Tsumura, H. Koezuka, and T. Ando, Appl. Phys. Lett. 49, 1210 (1986).
[8] C. W. Tang and S. A. VanSlyke, Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987).
[9] F. Garnier, R. Hajlaoui, A. Yassar, and P. Srivastava, Science 265, 1684 (1994).
[10] http://www.optics.org/articles/news/10/2/2/1.
[11] C. D. Dimitrakopoulos and P. R. L. Malenfant, “Organic thin film
transistors for large area electronics” Adv. Mater., 2002, 14, 99-117.
[12] http://researchweb.watson.ibm.com/journal/rd/451/shaw.html
[13] L. L. Chua, J. Zaumseil, J. F. Chang, E. C. W. Ou, P. K. H. Ho, H. Sirringhaus, and R. H. Friend, Nature 434, 194 (2005).
[14] G. Horowitz, X. peng, D. Fichou, F. Ganrnier, Synth. Met. 51, 419 (1992).
[15] G.Horowitz, D. Fichou, X. Peng, Z. Xu, F. Garnier, Solid State Commum 72, 381 (1989).
[16] G. Horowitz, X. peng, D. Fichou, F. Ganrnier, Synth. Met. 51, 419 (1992).

[17] R. C. Haddon, A. S. Perel, R. C. Morris, T. T. M. Palsta, A. F. Hebard, R. M. Fleming, J. Appl. Phys. 67, 121. (1995).
[18] Y.-Y. Lin,; D. J. Gundlach,; T. N. Jackson, 54th Annual Device Research Conference Digest 1996, p.80.
[19] J. H. Schon, C. Kloc, B. Batlogg, Org. Electron. 1, 57 (2000).
[20] H. Katz, A. J. Lovinger, J. Johnson, C. Kloc, T. Siogrist, W. Li, Y.-Y. Lin, A. Dodabalapur, Nature 404, 478 (2000).
[21] G. Guillaud, M. Al Sadound, M. Maitorot, Chem. Phys. Lett. 167, 503 (1990).
[22] A. R. Brown, D. M. de Leeuw, E. J. Lous, E. E. Havinga, Synth. Met. 66, 257 (1994).
[23] R. C. Haddon, A. S. Perel, R. C. Morris, T. T. M. Palsta, A. F. Hebard, R. M. Fleming, J. Appl. Phys. 67, 121 (1995).
[24] Z. Bao, A. J. Lovinger, J. Brown, J. Am. Chem. Soc. 120, 207 (1998).
[25] C. D. Dimitrakopoulos, P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 14, No.2, 99 (2002).
[26] G. Horowitz, M.E. Hajlaoui, R. Hajlaoui, J. Appl. Phys. 87, 4456 (1999).
[27] Rashmi, V.R. Balakrishnan, A.K. Kapoor, V. Kumar, J. Appl. Phys. 94, 5302 (1999).
[28] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
[29] R. A. Street and A.Salleo, Appl. Phys. Lett. 81, 2887 (2002).
[30] A. R. Brown, C. P. Jarrett, D. M. deLeeuw, M. Matters, Synth. Met. 88, 37 (1994).
[31] P. V. Pesavento, R. J. Chesterfield, C. R. Newman and C. D. Frisbie, J. Appl. Phys. 96, 7312 (2004).
[32] R. Hattori, J. Kanicki, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 907 (2003).
[33] P. V. Necliudov, M. S. Shur, D. J. Gundlach and T. N. Jackson, Solid-State Electronics. 47, 259 (2003).
[34] H. Klauk, G. Schmid, W. Radlik, W. Weber, L. Zhou, C. D. Sheraw, J. A. Nichols and T. N. Jackson, Solid-State Electronics. 47, 297 (2003).
[35] I. Yagi, K. Tsukagoshi and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 84, 813 (2004).
[36] D. R. Gamota, P. Brazis, K. Kalyanasundaram and J. Zhang, Printed organic and molecular electronics (Kluwer Academic Publishers, Norwell, 2004).
[37] S. Luan, and G. W. Neudeck, J. Appl. Phys. 75, 766 (1992).
[38] T. Jung, B. Yoo, L. Wang, and A. Dodabalapur, Appl. Phys. Lett. 88, 183102 (2006).
[39] H. Wang, Jun Wang, X. Yan, J. Shi, Hongkun Tian, Yanhou Geng, and Donghang Yana, Appl. Phys. Lett. 88, 133508 (2006).
[40] M. S. Kim, et al. Journal of the Korean Physical Society 43, 5 (2003).
[41] Chuan-Yi Yang,1 Shiau-Shin Cheng, Chun-Wei Ou, You-Che Chuang, Meng-Chyi Wu,Dhananjay, and Chih-Wei Chu, J. Appl. Phys. 103, 094519 (2008).
[42] Jun Wang, Haibo Wang, Xuanjun Yan, Haichao Huang, Di Jin, Jianwu Shi, Yanhong Tang, and Donghang Yan, Adv. Funct. Mater. 16, 824 (2006).
[43] T. Jung, B. Yoo, L. Wang, and A. Dodabalapur, Appl. Phys. Lett. 88, 183102 (2006).
[44] H. Wang, Jun Wang, X. Yan, J. Shi, Hongkun Tian, Yanhou Geng, and Donghang Yana, Appl. Phys. Lett. 88, 133508 (2006).
[45] Constance Rost, David J. Gundlach, Siegfried Karg, and Walter Rieß , J. Appl. Phys. 95, 10 (2004).
[46] Eiji Kuwahara, Yoshihiro Kubozono, Tomoko Hosokawa,Takayuki Nagano, and Kosuke Masunari, Appl. Phys. Lett. 85, 4765 (2004).
[47] James S. Swensen, Cesare Soci, Alan J. Heeger, Appl. Phys. Lett. 87, 253511 (2005).

[48] E. J. Meijer, D. M. De Leeuw, S. Setayesh, E. Van Veenendaal, B. H. Huisman, P. W. M. Blom, J. C. Hummelen, U. Scherf, T. M. Klapwijk, Nature Material 2, 678 (2003).
[49] A. Dodabalapur, H. E. Katz, , L. Torsi, and R. C. Haddon, Science 296, 1560 (1995).
[50] Zhongming Wei, Wei Xu, Wenping Hua and Daoben Zhu, J. Mater. Chem. 18, 2420 (2008).
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