[1] Takashi Matsuoka, Hiroshi Okamoto and Masashi Nakao, Hiroshi Harima, Eiji Kurimoto, Appl. Phys. Lett. Vol. 81, No. 7, 12 August (2002)
[2] V. W. L. Chin, T. L. Tansley, and T. Osotchan, J. Appl. Phys. 75, 7365(1994)
[3] B. E. Foutz, S. K. O’Leary, M. S. Shur, and L. F. Eastman, J. Appl.Phys.85, 7727 (1999)
[4] R. Ascazubi, I. Wilke, K. Denniston, H. Lu, and W.J. Schaff, Appl.Phys. Lett. 84, 4810 (2004)
[5] A. Yamamoto, M. Tsujino, M. Ohkubo, and A. Hashimoto, Sol.Energy Mater. Sol. Cells 35, 53 (1994)
[6] T. L. Tansley and C. P. Foley, Electron. Lett. 20, 1066 (1984)
[7] A. Yamamoto, T. Tanaka, K. Koide, and A. Hashimoto, Phys. Status Solidi A 194, 510 (2002)
[8] H. Lu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Auger III, E. E. Haller, and O. Ambacher, Abstract of the 44th Electronic Material Conference, Santa Barbara, CA, June 26–28, (2002) ; J. Electron. Mater. ; W. J. Schaff (private communication, Cornell University, Ithaca, N.Y.)
[9] 翁永進,原子力顯微鏡原理。
[10] 羅聖全,研發奈米科技的基本工具之一 - 電子顯微鏡介紹。
[11] 許宏泰、徐英展、陳志立、謝明勳,高解析度穿透式電子顯微鏡分析。
[12] 張嵩駿、許惠婷、許昭雄、周憲辛,X 光單晶繞射分析及X 光粉末繞射分析。
[13] 蘇瑞揚,Study of Aluminum content in AlGaN/GaN heterostructures grown by molecular-beam epitaxy,碩士論文,中山大學 (2008)
[14] 工業技術研究院網站 (http://newwww.itri.org.tw/)
[15] 國立中山大學奈米科技研發中心網站 。
[16] Bede D1 HR-XRD 儀器操作手冊。
[17] 張燿一,Effect of Ga to N flux ratio on the GaN surface morphologies grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy, 碩士論文,中山大學 (2007)
[18] Takeshi Ohgaki, Naoki Ohashi, Hajime Haneda, Atsuo Yasumori, J. Crystal Growth 292, 33 (2006)
[19] J. Wu, W. Walukiewicz, W. Shan, K. M. Yu, J. W.Ager III, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff,Phys. Rev. B 66, 201403 (2002)
[20] 李寧、陳衛國,氮化銦奈米結構之流量調制磊晶與特性研究,物理雙月刊(卅卷六期) 2008 年十二月。[21] Ashraful Ghani Bhuiyan, Kenichi Sugita, Ken Kasashima, Akihiro Hashimoto, Akio Yamamoto, and Valery Yu. Davydov, Appl. Phys. Lett. 83, 4788 (2003)