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研究生:吳靖揚
論文名稱:透明導電層ITO生長機制與特性分析及太陽能電池應用
指導教授:胡淑芬胡淑芬引用關係
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣師範大學
系所名稱:光電科技研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2009
畢業學年度:97
語文別:中文
論文頁數:86
中文關鍵詞:透明導電層銦錫氧化物太陽能電池
外文關鍵詞:solar cellITO
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本研究主要在於探討銦錫氧化物之光電特性,進而應用至矽奈米柱太陽能電池之上電極,電極主要功用為收集載子,因太陽能電池本身為吸收光並將光轉換為電之元件,因此其電極必須具備透光度極高特性,而電極本身導電度品質亦會影響到收集載子之效率,故高導電特性電極亦為必要條件。本研究之銦錫氧化物採用射頻磁控濺鍍法製作,經由一系列鍍膜參數探討出最佳鍍膜條件,再經由真空退火法尋I求最佳退火溫度與時間。基板溫度300℃濺鍍出之銦錫氧化物經過500℃、20分鐘真空退火後,於可見光區300 nm至700 nm波段之平均穿透率可高達90% 以上,而片電阻亦可低於10Ω/□。X-ray繞射分析部分,繞射峰包含(221)、(222)、(400)、(440)與(662),且可發現隨退火溫度上升,(222)繞射強度有漸增趨勢,其薄膜結晶性更佳,而薄膜表面粗糙度亦可低於2 nm。
  銦錫氧化物應用於太陽能電池上電極,對於矽奈米柱直徑為400 nm之p+-i-n結構太陽能電池而言,整體光電流密度從4.47 mA/cm2提升至27.6 mA/cm2,光轉電效率從0.45% 提升至4.73%,此乃透明導電層大幅縮短了載子行走距離,使電極之載子收集效率提升而導致光電流大幅增加,光轉電效率亦上升十倍之多。
總目錄

摘要.......................................................I
總目錄...................................................III
第一章 緒論................................................1
第二章 基本理論.............................................6
第三章 實驗流程與研究方法....................................21
第四章 實驗結果與討論.......................................37
第五章 結論................................................83
未來研究方向...............................................85
參考文獻...................................................86
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