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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:顏一存
研究生(外文):Yi-Tsun Yen
論文名稱:應用六標準差管理手法於IC載板線路品質之改善
論文名稱(外文):Improve circuit quality of IC carrier through the Six Sigma approach
指導教授:陳雲岫陳雲岫引用關係
指導教授(外文):Yun-Shiow Chen
學位類別:碩士
校院名稱:元智大學
系所名稱:工業工程與管理學系
學門:工程學門
學類:工業工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2009
畢業學年度:97
語文別:中文
論文頁數:90
中文關鍵詞:六標準差DMAICIC載板實驗設計
外文關鍵詞:Six SigmaDMAICIC carrierDesign of Experiments
相關次數:
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本研究以六標準差之DMAIC手法,進行IC載板線路品質的改善。首先利用柏拉圖找出影響線路品質的關鍵品質特性,以決定改善的方向,接下來確認量測系統是否能反映真正的績效,同時了解目前的現況水準。在分析階段利用特性要因矩陣決定改善的重點,再針對可能的要因逐一驗證,確認影響的要因後,搭配實驗設計方法提出對策,並且予以標準化,以確保實際的生產條件符合要求。
透過六標準差管理手法進行改善,使IC載板線路缺點率獲得明顯改善,不但製程更為穩定,線路品質也因而更上一層樓,產品良率亦獲得提升。
This paper applies the Six Sigma DMAIC methodology to improve circuit quality of IC carrier. First of all, we determined the critical quality characteristics by Pareto chart, and then confirmed the measurement system which is suitable for our purpose. Next, we considered the priority of improvement by C&E matrix in Analyze phase and verified the potential factors causing variation one by one. After identifying the influential causes, we brought up several proposals by applying the methods of brainstorming and design of experiments, also, a standardization of factor levels to fit the production line is necessary.
The result shows that the Six Sigma DMAIC methodology has greatly improved the circuit quality of IC carrier, and enhances the yields of manufactures as well.
書名頁 i
論文口試委員審定書 ii
授權書 iii
中文摘要 iv
英文摘要 v
目錄 vi
表目錄 ix
圖目錄 xi
第一章 緒論 1
1.1 研究動機 1
1.2 研究目的 2
1.3 研究流程 2
1.4 論文架構 3
第二章 文獻探討 5
2.1 六標準差管理手法的實務應用 5
2.2 實驗設計的實務應用 8
第三章 研究方法 12
3.1 定義(Define)階段 12
3.2 衡量(Measure)階段 14
3.2.1 選擇CTQ特性 15
3.2.2 定義績效標準 15
3.2.3 驗証量測系統 16
3.2.4 確定製程指標能力 17
3.2.5 定義績效目標 17
3.3 分析(Analyze)階段 17
3.3.1 鑑定變異來源 17
3.3.2 篩選要因 19
3.4 改善(Improve)階段 19
3.4.1 發覺變數間之關係 20
3.4.2 設定操作允差 29
3.5 控制(Control)階段 30
3.5.1 驗証量測系統 30
3.5.2 決定製程指標能力 31
3.5.3 實施製程管制系統 31
3.6 DMAIC之概念 32
第四章 個案研究 33
4.1 IC載板製程介紹 33
4.1.1 鑽孔 34
4.1.1.1 鑽孔種類 34
4.1.1.2 鑽孔方法 35
4.1.2 電鍍銅 37
4.1.2.1 除膠渣 37
4.1.2.2 化學沉銅 38
4.1.2.3 電鍍銅 39
4.1.3 塞孔 40
4.1.3.1 塞孔材料 41
4.1.3.2 印刷方式 41
4.1.4 微影 42
4.1.4.1 微影前處理 43
4.1.4.2 壓膜 43
4.1.4.3 曝光 44
4.1.4.4 顯影 44
4.1.4.5 蝕刻 44
4.1.4.6 去膜 45
4.1.5 自動光學檢測 45
4.1.6 防焊 45
4.1.7 鍍鎳金 46
4.1.8 成型 48
4.2 定義階段 48
4.3 衡量階段 50
4.3.1 選擇CTQ特性 50
4.3.2 定義績效標準 52
4.3.3 驗證量測系統 53
4.3.4 確定製程指標能力 55
4.3.5 定義績效目標 56
4.4 分析階段 57
4.4.1 鑑定變異來源 57
4.4.2 篩選要因 62
4.4.2.1 壓膜前藥液粗化效果比較 63
4.4.2.2 鍍銅槽液雜質測試 65
4.4.2.3 無塵室落塵量檢測 66
4.5 改善階段 67
4.5.1 發覺變數間之關係 68
4.5.1.1 壓膜參數DOE 68
4.5.1.2 壓膜前藥液粗化效果加強 78
4.5.1.3 鍍銅槽液雜質降低 78
4.5.1.4 微影無塵室落塵量改善 79
4.5.2 設定操作允差 80
4.6 控制階段 82
4.6.1 驗證量測系統 82
4.6.2 決定製程指標能力 83
4.6.3 實施製程管制系統 84
第五章 結論與建議 86
5.1 結論 86
5.2 建議 87
參考文獻 89
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