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研究生:李瑀玟
研究生(外文):Lee Yu-Wen
論文名稱:影響Pi-cell鬆弛彎曲態存在之研究
論文名稱(外文):Effect on the existence of Pi-cell Relax Bend state
指導教授:徐芝珊
指導教授(外文):Jy-Shan Hsu
學位類別:碩士
校院名稱:中原大學
系所名稱:應用物理研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2010
畢業學年度:98
語文別:中文
論文頁數:178
中文關鍵詞:動態液晶鬆弛彎曲態
外文關鍵詞:dymaticRelax BendPi-cell
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Pi-cell是近年來蓬勃發展的一種顯示器模組,其液晶盒之玻璃基板為同方向配向,與常見之均勻排列(Homogeneous)型液晶模組配向方向不同。由於上下基板配向方向相同的關係,使得液晶盒內部之液晶指向矢為上下對稱的分佈,此種對稱的結構使得Pi-cell具有快速反應以及視角對稱的優點。但也由於這種特殊的結構,使其操作時需要較長的暖機時間,並且需要持續供給一大於critical voltage的電壓,以確保其工作時可以穩定於彎曲態(Bend state)工作。我們已知當Pi-cell於垂直態(Stress Bend state)關閉電壓時,會短暫的穩定於鬆弛彎曲態(Relax Bend state),若可以利用鬆弛彎曲態與垂直態間做灰階的切換,則因不需保持電壓,可降低其耗電量。
在本論文中,主要是探討改變Pi-cell之液晶層厚度以及預傾角時,鬆弛彎曲態存在時間所受到的影響。實驗上,我們藉由混合PI的方式,製作不同預傾角之Pi-cell,並且利用不同的間隙物(spacer)製作出各種液晶盒厚度,量測這些參數對於鬆弛彎曲態存在時間的影響。並利用插黑技術,使Pi-cell操作時可以穩定於彎曲態,量測其不同電壓下之最低工作比(duty ratio)。我們並利用模擬程式分析Pi-cell之液晶指向矢於動態操作下的行為,以及各種製程參數與液晶參數對於鬆弛彎曲態存在時間的影響。
Pi-cell LCDs have been obtained considerable attention due to their fast response time and wide view angle. However, it requires a warming time to transfer LC molecules to the working state, which is the Bend state, and the operation voltage has to be larger than the critical voltage. The latter problem can be solved by using the Dynamic Relax Bend mode operation method, which the gray levels of pi cell are obtained between Relax Bend state and Stress Bend state. Since it does not need the holding voltage, the power consumption is reduced.

In this report, we have studied the influence of the cell gap and pretilt angle on the duration of the Relax Bend state. When the cell gap is increased, the duration of Relax Bend state becomes longer. However, the response time is also raised. When we increase the pretilt angles of pi cells by mixing homogeneous and vertical alignment polyimide, the duration of Relax Bend state is increased and the response is faster, but the phase retardation is decreased. We also use simulator to analyze the existence of Relax Bend state and the influence of cell and liquid crystal parameters on the duration of the Relax Bend state.
目錄
中文摘要 Ⅰ
英文摘要 Ⅲ
致謝 Ⅴ
目錄 Ⅶ
圖目錄 ⅩⅢ
表目錄 ⅩⅩⅠ
第一章 Pi-cell簡介 1
1.1. Pi-cell的結構與轉態 3
1.2. Pi-cell之光學特性 6
1.3. Pi-cell之優缺點與應用 7
第二章 理論背景與模擬簡介 9
2.1. 文獻探討 9
2.1.1自由能密度與臨界電壓 10
2.1.2自由能密度與流速 14
2.1.3背流效應 17
2.1.4插黑技術 19
2.2. 模擬軟體介紹 22
第三章 量測系統 27
3.1. 液晶盒間隙量測系統 27
3.1.1量測原理 27
3.1.2實驗架設 32
3.2. 外加電壓與穿透率量測系統 34
3.2.1外加電壓與穿透率之量測原理 34
3.2.2實驗架設 37
3.3. 動態量測系統 38
3.3.1量測方法 38
3.3.2實驗架設 39
3.4. 相位延遲量測系統 40
3.4.1實驗架設 40
第四章 Pi-cell樣品製備 45
4.1. 液晶盒製作方法 45
4.2. 高預傾角配向膜之製作方法 48
第五章 Pi-cell動態量測 51
5.1. 改變液晶盒厚度 51
5.1.1液晶盒厚度與RB state存在時間的關係 55
5.1.2液晶盒厚度與反應時間的關係 58
5.1.3結果與討論 61
5.2. 改變預傾角 63
5.2.1預傾角與RB state存在時間的關係 68
5.2.2預傾角與反應時間的關係 72
5.2.3結果與討論 77
5.3. 改變驅動電壓 79
5.3.1改變插黑電壓大小 79
5.3.2改變工作比(Duty ratio) 82
5.3.3結果與討論 84
第六章 Pi-cell動態模擬 85
6.1. 模擬方法 85
6.1.1模擬參數設定 88
6.1.液晶指向矢的動態分析 88
6.1.3動態模擬資料擷取之定義 95
6.2. 改變液晶盒厚度 97
6.2.1液晶盒厚度與穿透率的關係 97
6.2.2液晶盒厚度與RB state存在時間的關係 101
6.2.3液晶盒厚度與反應時間的關係 102
6.2.4結果與討論 103
6.3. 改變預傾角 105
6.3.1預傾角與穿透率的關係 105
6.3.2預傾角與RB state存在時間的關係 110
6.3.3預傾角與反應時間的關係 111
6.3.4結果與討論 116
6.4. 上下預傾角不相等 119
6.4.1預傾角差值與穿透率的關係 119
6.4.2預傾角差值與RB state存在時間的關係 122
6.4.3預傾角差值與反應時間的關係 123
6.4.4結果與討論 125
6.5. 以固定相位延遲方式,分析tRB與反應時間之關係 127
6.5.1改變液晶盒厚度 128
6.5.2改變ne 133
6.5.3結果與討論 137
6.7. 改變彈性常數(k11, k22, k33) 138
6.8. 改變旋轉黏滯係數 140
第七章 結論 143
參考資料 145
附錄 A 調變波型原理 148
附錄 B 不同電壓下Pi-cell 可穩定於Bend state 的時間 151
附錄 C 模擬液晶盒厚度對於反應時間造成的誤差 152
附錄 D 利用RB state 與SB state 間作灰階切換 154
附錄 E 流速圖 155
符號表 157

圖目錄
圖 1 1 延展態與彎曲態排列型Pi-cell。 1
圖 1 1 光學補償彎曲模組示意圖。 2
圖 1.1 1 Pi-cell液晶盒模組之操作模式。 4
圖 1.1 2 Pi-cell動態操作示意圖。 5
圖 1.2 1 彎曲排列型Pi-cell之光學自我補償特性示意圖。 6
圖 2.1 1 不同預傾角之Gibbs’自由能與外加電壓之關係曲線。 12
圖 2.1 2 臨界電壓與預傾角之關係曲線。 13
圖 2.1 3 Pi-cell於SB state關閉電壓時,液晶指向矢轉動示意圖。 15
圖 2.1 4 模擬預傾角與defect流速的關係圖。 16
圖 2.1 5 模擬液晶盒厚度與defect流速的關係圖。 16
圖 2.1 6 均勻排列液晶層之液晶分子流動示意圖。 17
圖 2.1 7 Pi-cell 液晶層之液晶分子流動示意圖。 18
圖 2.1 8 Pi-cell轉態示意圖。 19
圖 2.1 9(a)Pi-cell於SB state關閉後時間與穿透率關係圖。 20
圖 2.1 9(b)使用插黑方法所量測之穿透率與時間關係圖。 20
圖 2.1 10 使用插黑技術與一般驅動Pi-cell方法之電壓 20
圖 2.1 11 平均相位延遲與插黑電壓比率的關係圖。 21
圖 2.2 1 模擬液晶盒之示意圖。 22
圖 2.2 2 液晶盒動態模擬程式靜態分佈初始化流程圖 24
圖 2.2 3 液晶盒動態模擬程式動態計算流程圖 25
圖 3.1 1 光入射兩平行玻璃之路徑示意圖 28
圖 3.1 2 光在液晶盒中多重返射示意圖 29
圖 3.1 3 液晶盒間隙量測實驗架設示意圖 32
圖 3.1 4 液晶盒間隙量測實驗架設圖 32
圖 3.1 5 液晶盒間隙量測實驗中,入射角與穿透率關係圖 33
圖 3.2 1 均勻排列型液晶盒模組示意圖 34
圖 3.2 2 水平配向液晶盒之外加電壓與穿透率實驗曲線。 36
圖 3.2 3 外加電壓與穿透率量測系統之架設示意圖。 37
圖 3.2 4 外加電壓與穿透率量測系統之實驗架設圖。 37
圖 3.3 1 示波器接收之訊號圖。 38
圖 3.3 2 動態量測系統裝置圖。 39
圖 3.4 1 相位量測系統裝置圖 40
圖 3.4 2 旋轉檢偏器輸出訊號與Photo-diode detector接收訊號比較。 41
圖 3.4 3 液晶盒之電壓與相位延遲關係圖。 43
圖 4-1 液晶盒樣品壓合與注入液晶示意圖。 47
圖 4-2 混合垂直PI重量百分比與均勻排列液晶盒之預傾角關係圖。 50
圖 4-3 Pi-cell樣品未施加電壓時之觀察箱照片。 50
圖 5.1 1 Dnd與穿透光顏色的關係圖。 52
圖 5.1 2 液晶盒樣品置於背光源前拍攝Splay state、RB state與SB state的照片。 54
圖 5.1 3 量測不同液晶盒厚度樣品於SB state關閉電壓時,穿透率與時間的關係。 56
圖 5.1 4 液晶盒厚度與的RB state存在時間的關係圖。 57
圖 5.1 5 液晶盒厚度與的關閉電壓反應時間的關係圖。 59
圖 5.1 6 液晶盒厚度與的開啟電壓反應時間的關係圖。 60
圖 5.2 1 Pi-cell樣品未加電壓時之觀察箱照片。 64
圖 5.2 2 Pi-cell加電壓時轉態過程之觀察箱照片。 65
圖 5.2 3 不同預傾角之Pi-cell於SB state時之觀察箱照片。 66
圖 5.2 4 Pi-cell於Relax Bend state時之觀察箱照片。 67
圖5.2 5 觀察Pi-cell扭轉發生情形之觀察箱照片。 67
圖 5.2 6 Pi-cell之時間對穿透率關係圖。 68
圖 5.2 7 不同預傾角Pi-cell樣品之RB state存在時間量測結果。 70
圖 5.2 8 Pi-cell之預傾角與RB state存在時間關係圖。 71
圖 5.2 9 (a)反應時間取樣示意圖,(b)關閉電壓反應時間toff的取樣方法,(c)開啟電壓反應時間ton取樣方法。 72
圖 5.2 10 不同預傾角Pi-cell樣品之外加電壓反應時間量測結果。 73
圖 5.2 11 Pi-cell之預傾角與外加電壓反應時間的關係圖。 74
圖 5.2 12 不同預傾角Pi-cell樣品之關閉電壓反應時間量測結果。 75
圖 5.2 13 Pi-cell之預傾角與關閉電壓反應時間的關係圖。 76
圖 5.3 1 插黑電壓與RB state存在時間的關係。 80
圖 5.3 2 量測插黑電壓與外加電壓反應時間的關係圖。 81
圖 5.3 3 量測插黑電壓與關閉電壓反應時間的關係圖。 81
圖 5.3 4 插黑電壓示意圖。 82
圖 5.3 5 量測插黑週期與插黑時間的關係圖。 83
圖 6.1 1 模擬Pi-cell由twist state外加電壓至SB state後,轉換至RB state之結構示意圖。 86
圖 6.1 2 模擬程式所設定之電壓訊號圖。 87
圖 6.1 3 液晶指向矢夾角示意圖。 88
圖 6.1 4 Pi-cell動態模擬圖。 89
圖 6.1 5 彎曲排列型Pi-cell液晶盒內部之液晶指向矢轉動示意圖。 90
圖 6.1 6 模擬關閉電壓時液晶模組內之流速圖。 91
圖 6.1 7 模擬關閉電壓時,液晶指向矢之極角與方位角的變化。 92
圖 6.1 8 模擬關閉電壓時,液晶指向矢排列之極座標圖。 93
圖 6.1 9 Pi-cell之動態模擬圖。 95
圖 6.1 10 Pi-cell之電壓與穿透率之關係圖。 96
圖 6.2 1 模擬Pi-cell於動態操作時,不同液晶盒厚度之穿透率與時間的關係圖。 97
圖 6.2 2 Pi-cell於RB state之液晶盒厚度與相位延遲關係圖。 99
圖 6.2 3 Pi-cell於RB state之液晶盒厚度與穿透率關係圖。 100
圖 6.2 4 模擬Pi-cell於動態操作時,液晶盒厚度與RB state存在時間關係圖。 101
圖 6.2 5 模擬液晶盒厚度與反應時間的關係圖 102
圖 6.3 1 模擬不同預傾角之Pi-cell於動態操作時,穿透率T與時間t的關係圖。 106
圖 6.3 2 模擬不同預傾角之Pi-cell於RB state時,其內部液晶指向矢之傾角分佈圖。 106
圖 6.3 3 模擬Pi-cell於RB state時預傾角與相位延遲關係圖。 107
圖 6.3 4 模擬Pi-cell於RB state與SB state時,預傾角與穿透率之關係圖。 108
圖 6.3 5 模擬Pi-cell於RB state時,預傾角 與對比度之關係圖。 109
圖 6.3 6 模擬不同0時之tRB 110
圖 6.3 7 模擬Pi-cell於動態操作時,預傾角與反應時間(光學定義)的關係圖。 111
圖 6.3 8 模擬Pi-cell於動態操作時,由光學定義反應時間所需之穿透率差值與預傾角之關係圖。 113
圖6.3 10 Pi-cell於動態操作時,以指向矢定義關閉電壓之反應時間計算方法示意圖。 115
圖 6.3 11 模擬Pi-cell於動態操作下,預傾角與反應時間(指向矢定義)的關係圖。 115
圖 6.4 1 模擬上下預傾角為非對稱排列之Pi-cell於動態操作之穿透率與時間關係圖。 120
圖 6.4 2 模擬預傾角差值改變時,RB state之液晶層與指向矢傾角的關係。 121
圖 6.4 3 模擬不同預傾角差值時,平均預傾角與RB state存在時間的關係。 122
圖 6.4 4 模擬改變預傾角差值時,關閉電壓反應時間與平均預傾角的關係。 123
圖 6.4 5 模擬改變預傾角差值的情形下,關閉電壓時x方向流速與平均預傾角的關係。 124
圖 6.5 1 模擬相同液晶盒厚度的條件下,預傾角與向為延遲及穿透率變化的關係圖。 128


圖 6.5 2 計算Pi-cell於RB state時,在固定dRB的條件下,預傾角與其相對應之液晶盒厚度的關係圖。 129
圖 6.5 3 模擬Pi-cell於動態操作時,在固定dRB的條件下,液晶指向矢於x方向之流速vx與液晶層之關係圖。 130
圖 6.5 4 模擬Pi-cell於動態操作時,藉由改變液晶盒厚度固定dRB,分析預傾角與RB state存在時間的關係。 131
圖 6.5 5 模擬Pi-cell於動態操作時,藉由改變液晶盒厚度來固定相位延遲。 132
圖 6.5 6 模擬Pi-cell於固定dRB時,預傾角與折射率之關係圖。 133
圖 6.5 7 模擬Pi-cell於動態操作時,藉由調整折射率來固定相位延遲之方式,分析預傾角與RB state存在時間之關係圖。 134
圖 6.5 8 模擬Pi-cell於動態操作下,藉由調整折射率來固定相位延遲之方式,分析預傾角與反應時間(光學定義)的關係圖。 135
圖 6.5 9 模擬Pi-cell於動態操作下,藉由調整折射率固定相位延遲之方式,分析預傾角與反應時間(指向矢定義)的關係圖。 136
圖 6.6 1 改變液晶之彈性常數,分析Pi-cell於動態操作時,RBstate之存在時間的變化。 139
圖 6.6 2 改變液晶之彈性常數,分析Pi-cell於動態操作時,關閉電壓之反應時間。 139
圖 6.7 1 模擬不同旋轉黏滯係數的情形下,關閉時各液晶層之指向使於 x方向的流速圖。 141
圖 6.7 2 模擬旋轉黏滯係數與RB state存在時間的關係。 141
圖 6.7 3 模擬旋轉黏滯係數與反應時間的關係。 142


表目錄
表 2.1.1 模擬Gibbs’自由能之Pi-cell參數(LC:E7) 10
表 4.1 ZLI-2293液晶參數表 49
表 5.1.1 實驗所使用樣品之空液晶盒厚度 51
表 5.2.1 液晶參數 63
表 5.3.1 樣品資訊 79
表 5.3.2 Pi-cell可穩定於Bend state之最小工作比與工作時間 83
表 6.1.1 模擬使用之液晶參數表 85
表 6.1.2 液晶指向矢於不同時間點之角度分析 94
參考資料
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