在論文中實驗所萃取基板材料特性方法有二，第一是量測出傳輸線的Z0，再利用傳輸線特性阻抗法推導出介電常數(Dielectric Constant)；第二是利用傳輸線的相位延遲
(phase delay)與功率損耗(power loss)，搭配相關的理論與實際量測的資料(50MHz~30GHz)，在Agilent公司的ADS(Advanced Design System)與Ansoft公司的HFSS(High Frequency Structure Simulator)軟體平台上，利用Curve Fitting方法進行基板材料電性分析與推導介電常數(Dielectric Constant，DK)與介電損失Dissipation Factor，DF) ，萃取到合理的基板材料參數隨頻率變化的資料，再代回HFSS軟體進行電磁模擬，分析萃取後的模擬結果與量測資料進行驗證，確保基板材料參數隨頻率變化的資料之準確度。

中文摘要 ----- i
英文摘要 ----- ii
誌謝 ----- iii
目錄 ----- iv
表目錄 ----- viii
圖目錄 ----- ix
第一章 緒論----- 1
1.1 前言----- 1
1.2 研究動機與目的----- 3
1.3 章節介紹----- 5
第二章 電子封裝基板材料特性介紹----- 6
2.1 電子封裝基板介紹----- 6
2.1.1 有機基板----- 9
2.1.2 無機基板----- 10
2.2 材料介電理論----- 11
2.2.1 介電常數----- 15
2.2.1.1 影響介電常數的因素----- 16
2.2.2 介電損失----- 17
第三章 電子封裝傳輸線基本原理介紹----- 20
3.1 前言----- 20
3.2 傳輸線原理----- 20
3.3 無損傳輸線(Lossless Transmission Line)----- 23
3.4 低損傳輸線(Low-Loss Transmission Line)----- 24
3.5 微帶傳輸線(Microstrip Line)----- 26
3.5.1 等效介電常數----- 27
3.5.2 微帶傳輸線衰減損耗----- 30
3.5.2.1 導體損耗(Conduction Loss)----- 33
3.5.2.2 輻射損耗(Radiation Loss)----- 34
第四章 利用傳輸線結構驗證基板材料之特性----- 36
4.1 簡介----- 36
4.1.1 微帶傳輸線設計介紹----- 36
4.1.2 實驗儀器介紹及實驗步驟----- 39
4.2 傳輸線特性阻抗法----- 41
4.2.1 時域反射分析儀(TDR)的原理----- 41
4.2.2 量測結果與材料電氣特性擷取----- 44
4.2.3 材料電氣特性驗證----- 46
4.3 相位延遲法與功率損耗法----- 47
4.3.1 向量網路分析儀(VNA)的原理----- 47
4.3.1.1 散射參數(S Parameter)----- 49
4.3.1.2 向量網路分析儀誤差及校正----- 51
4.3.2 相位延遲法與功率損耗法理論----- 56
4.3.2.1 相位延遲法----- 56
4.3.2.2 功率損耗法----- 60
4.3.3 量測結果與材料電氣特性擷取----- 62
4.3.3.1 量測結果說明----- 62
4.3.3.2 模擬與量測結果比較----- 66
4.3.3.3 運用Curve Fitting方法求隨頻率變化的DK與DF---- 72
4.3.4 材料電氣特性驗證----- 74
第五章 結論及未來展望----- 81
參考文獻 ----- 83

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