|
[1] G. Horowitz, J. Mat. Res. 19, 1946 (2004). [2] T. Dobbertin, M. Kroeger, D. Heithecker, D. Schneider, D. Metzdorf, H. Neuner, E. Becker, H.-H. Johannes, and W. Kowalsky, Appl. Phys. Lett. 82, 284 (2003). [3] C. L. Chen, R. F. Chung, C. C. Chung, 機械工業雜誌 258期, 110 (2008). [4] K. Nomoto, N. Hirai, N. Yoneya, N. Kawashima, M. Noda, M. Wada, and J. Kasahara, IEEE T. Electron Dev. 52, 1519 (2005). [5] L. Zhou, S. Park, B. Bai, J. Sun, S. C. Wu, T. N. Jackson, S. Nelson, D. Freeman, and Y. Hong, IEEE Electron Dev. Lett. 26, 640 (2005). [6] Photo from Engadget, http://www.engadget.com/2007/05/24/sonys-worlds-first-16-7-million-color-flexible-oled/ [7] F. Ebisawa, T. Kurokawa, and S. Nara, J. Appl. Phys. 54, 3255 (1983). [8] A. Assadi, C. Svensson, M. Willander, and O. Inganas, Appl. Phys. Lett. 53, 195 (1988). [9] F. Garnier, G. Horowitz, X. Z. Peng, D. Fichou. Adv. Mater. 2, 592-594 (1990). [10] G. Horowitz, X. Z. Peng, D. Fichou, and F. Garnier, Syn. Met. 51, 419 (1992). [11] Y. Y. Lin, D. J. Gundlach, S. F. Nelson, and T. N. Jackson, IEEE Electron Dev. Lett. 18, 606 (1997). [12] M. P. Hong, B. S. Kim, Y. U. Lee, K. K. Song, J. H. Oh, J. H. Kim, T. Y. Choi, M. S. Ryu, and K. Chung, S. Y. Lee, B. W. Koo, J. H. Shin, E. J. Jeong, and L. S. Pu, SID 05 DIGEST, 23 (2005). [13] O. D. Jurchescu, J. Baas, T. T. M. Palstra, Appl. Phys. Lett. 84, 3061(2004). [14] P. C. Kuo, A. Jamshidi-Roudbari, and Mitiadis Hatalis, J. Appl. Phys. 106, 114502 (2009) [15] J. Paloheimo, E. Punkka, H. Stubb, P.Kuivalainen, in Lower Dimensional Systems and Molecular Devices, Proceedings of NATO ASI, Spetses, Greece (Ed: R. M. Mertzger), Plenum, New York (1989). [16] Z. Bao, A. Dodabalapur, A. J. Lovinger, Appl. Phys. Lett. 69, 4108 (1996). [17] H. Sirringhaus, N. Tessler, R. H. Friend, Science, 280, 1741 (1998). [18] F. Ebisawa, T. Kurokawa, S. Nara, J. Appl. Phys. 54, 3255 (1983). [19] J. H. Burroughes, C. A. Jones, R. H. Friend, Nature, 335, 137 (1988). [20] R. Hajlaoui, G. Horowitz, F. Garnier, A. Arce-Brouchet, L. Laigre, A. Elkassmi, F. Demanze, F. Kouki, Adv. Mater. 9, 389 (1997). [21] J. H. Schn, C. Kloc, B. Batlogg, Org. Electron. 1, 57 (2000). [22] Tsuyoshi Sekitani, Yusaku Kato, Shingo Iba, Hiroshi Shinaoka, and Takao Someya, Appl. Phys. Lett. 86, 073511 (2005) [23] C. D. Dimitrakopoulos, A. R. Brown, A. Pomp, J. Appl. Phys. 80, 2501 (1996). [24] G. Horowitz, Adv. Mater., 10, 365 (1998). [25] J. Jang, S. H. Kim, S. Nam, D. S. Chung, C. Yang, W. M. Yun, C. E. Park, and J. B. Koo, Appl. Phys. Lett. 90, 143306 (2008). [26] R. C. Haddon, A. S. Perel, R. C. Morris, T. T. M. Palstra, A. F. Hebard, R. M. Fleming, Appl. Phys. Lett., 67, 121 (1995). [27] G. Guillaud, M. Al Sadound, M. Maitrot, Chem. Phys. Lett., 167, 503 (1990). [28] Z. Bao, A. J. Lovinger, J. Brown, J. Am. Chem. Soc., 120, 207 (1998). [29] Streetman Banerjee, “Solid State Electronic Devices”, 5th edition, Prentice Hall, (1999) [30] H. Fuchigami, A. Tsumura, H. Koezuka, Appl. Phys. Lett., 63, 1372 (1993). [31] A. R. Brown, D. M. de Leeuw, E. J. Lous, E. E. Havinga, Synth. Met., 66, 257 (1994). [32] E. M. Suuberg, J. Chem. Eng. Data, 43, 486–492 (1998). [33] M. C. Wang, T. C. Chang, P. T. Liu, S. W. Tsao, and J. R. Chen ,Electrochem. Soc.,10(3), J49-J51 (2007). [34] I. H. Peng, P. T. Liu, and T. B. Wu, Appl. Phys. Lett., 95, 041909(2009). [35] Morrison Body, “Organic Chemistry”, 6th edition, 502, (1992). [36] P. G. Le Comber and W. E. Spear, Phys. Rev. Lett., 25, 509-511, (1970). [37] S. H. Won, J. K. Cheng, C. B. Lee, and J. Jang, J. Electrochem. Soc. 151, G167 (2004). [38] Z. Suo, E. Y. Ma, H. Gleskova, and S. Wagner, Appl. Phys. Lett.,74,1177 (1999). [39] D. A. Neamen, “Semiconductor Physics and Devices :Basic Principles”, 3rd, McGraw-Hill, chapter 11 (2003). [40] Photo from Nanotechology Now, http://www.nanotech-now.com/Art_Gallery/antonio-siber.htm [41] G. Manivannan, R. Chagkakoti, and R. A. Lessard, J. phys. Chem., 97, 7228, (1993). [42] S. Lee, B. Koo, J. Shin, E. Lee, and H. Park, H. Kima, Appl. Phys. Lett., 88, 162109 (2006). [43] S. J. Choi, J.-H. Kim, and H. H. Lee, IEEE electron Dev. Lett., 30, 5 (2009). [44] P. V. Necliudov et al. Solid-State Electronics, 47, 259 (2003). [45] H. Gleskova, S. Wagner, W. Soboyejo, and Z. Suo, J. Appl. Phys.92,6224(2002). [46] S. H. Won, J. K. Chung, C. B. Lee, H. C. Nam, J. H. Hur, and J. Jang, J. Electrochem. Soc., 151, G167 (2004). [47] H. Gleskova, P. I. Hsu, Z. Xi, J. C. Sturm, Z. Suo, and S. Wagner, J. Non-Cryst. Solids, 338–340, 732 (2004). [48] G. D. Cody, C. R. Wronski, B. Abeles, R. B. Stephens, and B. Brooks, Sol. Cells,2, 227 (1980).
|