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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:詹景翔
研究生(外文):CHAN, CHING-HSIANG
論文名稱:硒化鎘奈米晶體之光學特性研究
論文名稱(外文):Optical Properties of Colloidal CdSe Nanocrystals
指導教授:石豫臺石豫臺引用關係
學位類別:碩士
校院名稱:國立彰化師範大學
系所名稱:物理學系
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2009
畢業學年度:98
語文別:中文
論文頁數:113
中文關鍵詞:硒化鎘奈米晶體時間解析光激螢光光譜生命期高壓相變
外文關鍵詞:CdSeNanocrystaltime-resolved photoluminescence (TRPL)lifetimehigh pressure
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本論文主要利用光激螢光光譜、時間解析光激螢光光譜以及拉曼光譜等量測技術研究CdSe/ZnS奈米晶體在不同溫度與壓力等變因下之光學特性。藉由穿透式電子顯微鏡觀測,可確定這些奈米晶體其粒徑在2.66到6.01 nm之間。
常溫常壓環境下的光激螢光光譜顯示樣品的螢光隨著晶體粒徑縮小而藍移,這可歸因於量子侷限效應之影響。時間解析光激螢光光譜量測結果得出樣品的載子生命期約介於7.2ns-8.5ns之間,這大致與文獻報導的結果相符。另外,利用雙指數衰減公式擬合量測結果,發現當奈米晶體未包覆硫化鋅殼層或者暴露於大氣時,長生命期所占比例會大為增加,這顯示長生命期與表面能態密不可分,此結果呼應X. Wang[X. Wang, L. Qu, J. Zhang, X. Peng and M. Xiao, Nano Letters, 3:1103 (2003)]的看法,成為本論文主要模型。
高壓環境下的光激螢光圖譜顯示樣品的螢光訊號隨著壓力增加而藍移並伴隨強度減衰。當晶體相變後,螢光也就消失。加壓導致晶格常數縮短,而粒徑的縮小也使奈米晶體的量子侷限效應增強,此二者為晶體能隙改變的共同因素。文中對兩效應的影響有深入的討論。另外也以拉曼光譜與光激螢光光譜交叉對照定出高壓相變點,以探討粒徑大小或硫化鋅包覆層對相變點的影響。高壓時間解析光激螢光圖譜顯示樣品中載子的生命期隨著加壓過程有延長的趨勢,並在接近相
變點時出現轉折,我們進一步利用雙指數公式擬合量測的結果,並對兩個生命期之消長作深入探討。
變溫螢光光譜顯示,當溫度增加時,樣品的能隙值由於晶格之熱膨脹及聲子和電子之間的交互作用而呈現下降趨勢。而螢光訊號強度減弱則與熱活化能有關。我們也將奈米晶體能隙隨溫度變化的關係使用三種公式來擬合,以定出樣品的各個特性參數值,所得結果皆顯示硒化鎘晶體奈米化之後,晶體粒徑扮演著舉足輕重的腳色。變溫時間解析光激螢光研究發現,於低溫時小粒徑樣品有較強的表面效應,而隨著溫度上升,除了加劇了聲子和電子之間的交互作用,也造成晶格之熱膨脹,兩效應彼此拉鋸,造成在不同粒徑的晶體中,載子的生命期隨著溫度上升而有不同的變化趨勢。
We study the optical properties of colloid core/shell CdSe/ZnS nanocrystals with different sizes by taking photoluminescence (PL) and time-resolved photoluminescence (TRPL) measurements under high pressure. From the PL spectra, a blueshift of the PL peaks was observed as the applied pressure increased. The pressure-dependence of the energy gaps of CdSe/ZnS nanocrystals was discussed.
Temperature-dependent optical properties of CdSe nanocrystals were characterized by taking PL measurements. From the PL spectra, the energy gaps of nanocrystals were determined and shown to increase as the size increased. A redshift of the PL peaks was observed as the temperature increased. The temperature dependence of the energy gaps, determined from the PL spectra, was fitted according to Varshni’s, O’Donnell’s, and Pässler’s relations. The fitting parameters related to phonon energy and dispersion of CdSe nanocrystals were discussed.
The lifetimes of carriers in CdSe/ZnS nanocrystals were determined by TRPL measurements. The pressure- and temperature-dependence of lifetimes was also investigated.
第一章 緒論…………………………………………………1
1.1 半導體奈米晶體……………………………………… 2
1.2 硒化鎘的晶體結構…………………………………… 3
1.3 硒化鎘奈米晶體之合成………………………………5
1.4 硒化鎘的量子點發光特性與應用………………………6
1.5 硒化鎘量子點之表面修飾………………………………8
1.6 在高壓下硒化鎘研究……………………………………10
第二章 基本原理………………………………………………13
2.1 量子侷限效應……………………………………………13
2.2 光激螢光基本原理………………………………………14
2.3 溫度對能隙的影響………………………………………16
2.4 時間解析光激螢光光譜…………………………………21
2.5 拉曼光譜實驗原理…………………………………24
第三章 實驗方法………………………………………………27
3.1 樣品介紹…………………………………………………27
3.2 穿透式電子顯微鏡………………………………………30
3.3 光激螢光光譜量測………………………………………31
3.4 時間解析光激螢光光譜量測……………………………33
3.5 高壓光譜量測……………………………………………35
3.6 拉曼光譜量測……………………………………………41
3.7 變溫光激螢光光譜量測…………………………………43
第四章 結果與討論……………………………………………47
4.1 硒化鎘奈米晶體於常溫常壓下之特性量測……………47
4.1.1 穿透式電子顯微鏡量測結果…………………47
4.1.2 不同粒徑下之光激螢光光譜量測結果………48
4.1.3 時間解析光激螢光光譜量測結果……………49
4.2 高壓下硒化鎘奈米晶體之光學特性……………54
4.2.1 光激螢光光譜…………………………………54
4.2.2 高壓拉曼光譜…………………………………70
4.2.3 時間解析光激螢光光譜………………………77
4.3 硒化鎘奈米晶體之變溫光學特性………………87
4.3.1 光激螢光光譜…………………………………87
4.3.2 時間解析光激螢光光譜………………………99
第五章 結論……………………………………………105
參考文獻………………………………………………108

圖目錄
圖 1.2.1 ZB(zinc blende)晶格結構圖………………………………3
圖 1.2.2 WZ(wurtzite)晶格結構圖……………………………………4
圖 1.2.3 RS(rocksalt)晶格結構圖..…………………………………4
圖 1.3.1 奈米晶體粒徑分佈不均造成之光譜增寛效應…………………6
圖 1.5.1 CdSe量子點粒徑對應表面原子比例示意圖…………………….8
圖 1.5.2 核殼型量子點的(a)概要外形和(b)能階示意圖…………………9
圖 2.2.1 (a)塊材及(b)奈米級之半導體其能帶和光激螢光過程示意圖…15
圖 2.3.1 GaAs的能隙Eg(T)隨溫度變化的關係圖…………………18
圖 2.4.1 脈衝雷射激發源發射每發雷射與螢光光子訊號被偵測到的時間差反覆疊加出之光子出現機率分佈曲線……………………………………22
圖 2.4.2 TCSPC運作原理…………………………………………23
圖 2.5.1 拉曼光譜示意圖…………………………………………25
圖 2.5.2 縱向晶格振動示意圖………………………………………26
圖 2.5.3 橫向晶格振動示意圖…………………………………………26
圖 3.1.1 CdSe / ZnS量子點螢光波長530±5nm………………………27
圖 3.1.2 CdSe / ZnS 量子點螢光波長570±5nm………………………28
圖 3.1.3 CdSe / ZnS量子點螢光波長610±5nm…………………………28
圖 3.2.1 電子顯微鏡原理……………………………………………………30
圖 3.3.1 光激螢光光譜實驗裝置圖…………………………………………32
圖 3.3.2 顯微光激螢光光譜量測實驗裝置圖…………………………32
圖 3.4.1 時間解析光激螢光光譜實驗裝置圖…………………………34
圖 3.5.1 鑽石高壓砧內部結構…………………………………………36
圖 3.5.2 光學顯微鏡系統與鑽石高壓砧………………………………36
圖 3.5.3 紅寶石螢光壓力計中三價鉻離子的能階圖………… ………38
圖 3.5.4 鑽石常壓螢光激發光譜,激發波長375nm……………………39
圖 3.5.5 紅寶石常壓螢光訊號,激發波長375nm………………………39
圖 3.5.6 紅寶石螢光壓力計之螢光訊號…………………………………40
圖 3.6.1 拉曼實驗光路架設圖………………………………………………42
圖 3.7.1 變溫光激螢光光譜實驗裝置圖……………………………………44
圖 3.7.2 封閉式循環冷卻系統………………………………………………45
圖 3.7.3 冷卻端………………………………………………………………46
圖4.1.1.1 TEM量測結果與激發後之發光相片…………………………… 47
圖4.1.2.1 常溫常壓時各樣品螢光光譜,激發波長375nm…………………48
圖 4.1.3.1 不同粒徑之CdSe/ZnS奈米晶體其光激螢光強度隨時間變化的關係圖,樣品溶於甲苯。……………………………………………49
圖 4.1.3.2 不同粒徑之CdSe/ZnS奈米晶體其光激螢光強度隨時間變化的關係圖,樣品暴露於大氣。…………………………………………53
圖 4.1.3.3 粒徑3.51nm之CdSe/ZnS奈米晶體於不同環境下之光激螢光強度隨時間變化關係圖。……………………………………………53
圖 4.2.1.1 粒徑2.66nm之高壓螢光光譜…………………………………54
圖 4.2.1.2 粒徑3.51nm之高壓螢光光譜…………………………………54
圖 4.2.1.3 粒徑4.79nm之高壓螢光光譜…………………………………55
圖 4.2.1.4 粒徑6.01nm之高壓螢光光譜…………………………………55
圖 4.2.1.5 各粒徑樣品壓力與光譜訊號能量關係圖………………………57
圖4.2.1.6 塊材CdSe/ZnS壓力與光譜訊號能量關係圖……………………58
圖4.2.1.7 E0值與粒徑變化關係圖………………………………………59
圖4.2.1.8 α值與粒徑變化關係圖…………………………………………59
圖4.2.1.9 β值與粒徑變化關係圖…………………………………………60
圖4.2.1.10 各粒徑相變前能隙變化比較圖………………………………65
圖4.2.1.11 各粒徑相變前能隙變化比較圖………………………………68
圖 4.2.1.12 比較加壓後各粒徑晶格距離與ΔEg(L) …………………69
圖 4.2.1.13 比較加壓後ΔEg(D) ………………………………………69
圖 4.2.2.1 (a)CdSe高壓相變後電阻值急遽縮小(b)CdSe之rocksalt結構 70
圖 4.2.2.2 拉曼光譜所使用之激發雷射與各粒徑螢光波長關係…………71
圖 4.2.2.3 粒徑4.79nm之拉曼頻移光譜與壓力趨勢圖……………………72
圖 4.2.2.4 粒徑6.01nm之拉曼頻移光譜與壓力趨勢圖……………………72
圖 4.2.2.5 不同粒徑其rocksalt與wurtzite結構之比例對壓力關係圖74
圖 4.2.2.6 各粒徑PL螢光消失之對應壓力………………………………76
圖 4.2.2.7 包覆與未包覆ZnS之CdSe於各粒徑相變壓力比較圖…………76
圖 4.2.3.1 高壓下光激螢光強度隨時間變化的關係圖……………………78
圖 4.2.3.2 粒徑2.66nm之壓力對生命期關係圖……………………………79
圖 4.2.3.3 粒徑3.51nm之壓力對生命期關係圖……………………………79
圖 4.2.3.4 粒徑4.79nm之壓力對生命期關係圖……………………………80
圖 4.2.3.5 粒徑6.01nm之壓力對生命期關係圖………………………80
圖 4.2.3.6 各粒徑生命期轉折點於能隙隨壓力改變圖之對照…………81
圖 4.2.3.7 粒徑2.66nm經雙指數擬合之長短生命期對壓力關係圖……83
圖 4.2.3.8 粒徑3.51nm經雙指數擬合之長短生命期對壓力關係圖……83
圖 4.2.3.9 粒徑4.79nm經雙指數擬合之長短生命期對壓力關係……… 84
圖 4.2.3.10 粒徑6.01nm經雙指數擬合之長短生命期對壓力關係圖……84
圖 4.2.3.11 粒徑2.66nm經雙指數擬合之長短生命期比重(A1/A2)對壓力關係85
圖 4.2.3.12 粒徑3.51nm經雙指數擬合之長短生命期比重(A1/A2)對壓力關係85
圖 4.2.3.13 粒徑4.79nm經雙指數擬合之長短生命期比重(A1/A2)對壓力關係86
圖 4.2.3.14 粒徑6.01nm經雙指數擬合之長短生命期比重(A1/A2)對壓力關係86
圖 4.3.1.1 粒徑2.66nm樣品之變溫光激螢光光譜圖……………………88
圖 4.3.1.2 粒徑3.51nm樣品之變溫光激螢光光譜圖……………………88
圖 4.3.1.3 粒徑4.79nm樣品之變溫光激螢光光譜圖……………………88
圖4.3.1.4 不同粒徑樣品其能隙對溫度之關係圖…………………………89
圖 4.3.1.5 粒徑2.66nm之能隙隨溫度變化圖及Varshni關係式擬合結果90
圖 4.3.1.6 粒徑2.66nm之能隙隨溫度變化圖及O’Donnell關係式擬合結果…90
圖 4.3.1.7 粒徑2.66nm之能隙隨溫度變化圖及Pässler關係式擬合結果91
圖 4.3.1.8 粒徑3.51nm之能隙隨溫度變化圖及Varshni關係式擬合結果91
圖 4.3.1.9 粒徑3.51nm之能隙隨溫度變化圖及O’Donnell關係式擬合結果92
圖 4.3.1.10 粒徑3.51nm之能隙隨溫度變化圖及Pässler關係式擬合結果92
圖 4.3.1.11 粒徑4.79nm之能隙隨溫度變化圖及Varshni關係式擬合結果93
圖 4.3.1.12 粒徑4.79nm之能隙隨溫度變化圖及O’Donnell關係式擬合結果93
圖 4.3.1.13 粒徑4.79nm之能隙隨溫度變化圖及Pässler關係式擬合結果94
圖 4.3.2.1 不同粒徑CdSe其生命期對溫度關係圖………………………99
圖 4.3.2.2 不同粒徑CdSe/ZnS奈米晶體之生命期對溫度關係圖………100
圖 4.3.2.3 不同粒徑CdSe/ZnS奈米晶體之短生命期對溫度關係圖……101
圖 4.3.2.4 不同粒徑CdSe/ZnS奈米晶體之長生命期對溫度關係圖……102
圖 4.3.2.5 不同粒徑CdSe/ZnS奈米晶體之A1/A2對溫度關係圖………103

表目錄
表 4.1.2.1 常溫常壓下各樣品光激螢光光譜的發光波長與半高寬…………49
表 4.1.3.1 各粒徑於常溫常壓下之雙指數衰減擬合結果,樣品溶於甲苯…50
表 4.1.3.2 比較常溫下包覆與否之雙指數螢光衰減擬合結果………………52
表 4.1.3.3 各粒徑樣品於常溫常壓下之雙指數衰減擬合結果,樣品暴露於大氣……………………………………………………………52
表 4.1.3.4 粒徑4.79nmCdSe/ZnS樣品於不同環境下之雙指數衰減擬合結果……………………………………………………………52
表 4.2.1.1 各樣品發光能量對外加壓力關係式,並與塊材數值作對照…58
表4.2.1.2 各粒徑相變前晶格常數與晶胞體積隨壓力變化表………………63
表 4.2.1.3 各樣品加壓前後粒徑、由粒徑換算之螢光波長與對應能隙之估算64
表4.2.1.4 各粒徑加壓過程各參數變化與兩效應所對應能隙影響…………67
表4.3.1.1 各粒徑對三種擬合關係式之相關係數…………………………94
表4.3.1.2 各粒徑樣品對Varshni關係式之擬合參數表……………………95
表4.3.1.3 各粒徑樣品對O’Donnell關係式之擬合參數表…………………96
表4.3.1.4 各粒徑樣品對Pässler關係式之擬合參數表……………………97
第一章
[1.1]Y. L. Qu, W. Ji, Y. G.. Zheng, and J. Y. Ying, Appl. Phys. Lett. 90, 133112 (2007).
[1.2]L. Z. Chen, C. H. Liu, C. H. Hu, and S. S. Fan, Appl. Phys. Lett. 92, 263104 (2008).
[1.3]J. R. Gao, M. Hajenius, F. D. Tichelaar, T. M. Klapwijk, B. Voronov, E. Grishin, G. Gol'tsman, C. A. Zorman, and M. Mehregany, Appl. Phys. Lett. 91, 062504 (2007).
[1.4]喬玉林,奈米微粒的潤滑和自修復技術 (國防工業出版社, 北京,2005).
[1.5]S. H. Kim, G. Markovich, S. H. Choi, K. L. Wang and J. R. Heath, Appl. Phys. Lett. 74:317 (2001)
[1.6]D. L. Klein, R. Roth, A. K. L. Lim, A. P. Alivisatos and P. L. McEuen. Nature, 389:699 (1997)
[1.7]M. Klude, T. Passow, R. Kroger and D. Hommel. Electron. Lett, 37:1119 (2001)
[1.8]K. Walzer, U. J. Quaade, D. S. Ginger, N. C. Greenham and K. Stokbro. J. Appl. Phy., 92:1343 (2002)
[1.9]Chan C W and Nie S M. Science, 281:2016 (1998)
[1.10]J. K. Furdyna,J. Appl. Phys., 64,R29 (1988)
[1.11]O. Zakharov,Phys.Rev.B 51, 4926 (1995)
[1.12]D. W. Palmer, www.semiconductors.co.uk, 2008.03.
[1.13]Y.N. Xu and W.Y. Ching, Phys. Rev. B 48, 4335(1993).
[1.14]S. H. Tolbert, J. Chem. Phys, 102, 4642 (1995).
[1.15]楊文胜, 高明遠, 白玉白. 〝奈米材料與生物技術〞,P28~33 (化學工業,2004)
[1.16]C. B. Murray, D. J. Norris and Bawendi. J. Am. Chem. Soc, 115:8706 (1993)
[1.17]Peng Z A, Peng X. J. Am. Chem. Soc, 123:183 (2001)
[1.18]Qu L, Peng Z A, Peng X. Nano Leter, 1:333 (2001)
[1.19]Peng Z A, Peng X. J. Am. Chem. Soc, 124:343 (2002)
[1.20]Battaglia D, Peng X. Nano Leter, 2:1027 (2002)
[1.21]Yu W W, Peng X. Angew Chem, 114:2474 (2002)
[1.22]Peng X. Chem Eur J, 8:335 (2002)
[1.23]黃國瑋, 〝懸浮性II-VI族化合物半導體奈米粒子之合成與鑑定〞, 台灣大學化學研究所 (2003)
[1.24]Ben G. Streetman and Sanjay Banerjee. 〝Solid State Electronic Devices〞(Prentice hall,2000)
[1.25]Q. Wang, J. Luminescence 118, 91(2006).
[1.26]C. B. Murry, D. J. Norris, M. G. Bawendi, J. Am. Chem. Soc. 115, 8706 (1993)
[1.27]M. A. Hines, P. Guyot-Sionnest, J. Phys. Chem., 100, 468 (1996)
[1.28]A. Kongkanand, K. Tvrdy, K. Takechi, M. Kuno, and P. V. Kamat, J. Am. Chem. Soc., 130, 4007 ( 2008).
[1.29]S. Coe,Nature 420, 800 (2002).
[1.30]Li J J, Wang Y A, Guo W, Keay J C, Mishima T D, Johnson M B, Peng X. J. Am. Chem Soc, 125:12567 (2003)
[1.31]D B attaglia, Li J J, Wang Y A, Peng X. Angew Chem Int Ed, 42:5035 (2003)
[1.32]D. V. Talapin, I. Mekis, S. Gotzinger, A. Kornowski, O. Benson and H. Weller. J. Phys. Chem. B 108:18826 (2004)
[1.33]K. K. Zhuravlev,Physica B 394,1,(2007).
[1.34]L. L. Sun and W.Z. Shi, Physica B 381, 109(2006).
[1.35]A. L. Edwards and H. G. rickamer, Phys. Rev. 122, 1149 (1961)
[1.36]S.Minomura ,J. Appl. Phys. 33, 3196 (1962)
[1.37]A. Jayaraman,W.Klement,Jr.,and .C.Kennedy,Phys.Rev.130,2277 (1963)
[1.38]A. Onodera, Rev. Phys. Chem. Jpn. 39, 65 (1969).
[1.39]J. Ihm, A. Zunger, and M. L. Cohen, J. Phys. C 12, 4409 (1961).
[1.40]O. Zakharov, Phys. Rev. B 51, 4926 (1995).
[1.41]C.Kittel, Introduction to Solid State Physics. 6th Ed. (John Wiley.New York. 1986).
[1.42]D. Zaziski, S. Prilliman, E. C. Scher, M. Casula, J. Wickham, S. M. Clark, and A. P. Alivisatos, Nano Lett. 4, 943 (2004).
[1.43]S. H. Tolbert and A. P. Alivisatos, Z. Phys. D 26,56(1993).
[1.44]Z. W. Chen, C. Q. Sun, J. Phys. Chem. C 112 , 2423 (2008).
[1.45]C. Q.Sun, Progress in Solid State Chemistry, 35,1 (2007).
[1.46]V. M. Dzhagan, and M. Y. Valakh, Nanotechnology, 19, 305707(2008).
[1.47]I. H. Campbell and P.M. Fauchet, Solid State Commun. 58, 739 (1986).
第二章
[2.1]H. M. Schmidt and H. Weller, Chemical Physics Letters, 129, 615 (1986)
[2.2]Y. Kayanuma, Solid State Communications,59,405(1986)
[2.3]Y. P. Varshni, Physica 34, 149 (1967).
[2.4]L. Viña, S. Logothetidis, and M. Cardona, Phy. Rev. B 30, 1979(1984).
[2.5]K. P. O’Donnell and X. Chen, Appl. Phys. Lett. 58, 2924 (1991).
[2.6]R. Pässler, Phys. Stat. Sol. (b) 193, 135 (1996).
[2.7]R. Pässler, Solid State Electronics 39, 1311 (1996).
[2.8]Pässler, phys. Stat. Sol. B 200, 155 (1997)
[2.9]R. Pässler, J. Appl. Phys. 88, 2570 (2000).
[2.10]Michael Wahl and Rainer Erdmann, Laser Focus World, Supplement:Optoelectronics World, July 2000, p.S15-S18 (2000).
第三章
[3.1]Additional product information (PlasmaChem Company)
[3.2]D. V. Talapin,A. L. Rogach, A. Kornowski, M. Haase and H. Weller, Nano Letters.1,207 (2001)
[3.3]N. Gaponik, D. V. Talapin, A. L. Rogach, L. Hoppe, E. V. Shevchenko, A. Kornowski, A. Eychmuller, and H. Weller, J Phys Chem B 106,7177 (2002)
[3.4]N. Gaponik, I. L. Radtchenko, G. B. Sukhorukov and H. Weller, Adv Matter 14,879 (2002)
[3.5]L. Rogach, M. T. Harrison, S. V. Kershaw, A. Kornowski, M. G. Burt, A. Eychmuller, H. Weller, Phys Stat Sol(B) 224,153(2001)
[3.6]Q. Lianhua and P. Xiaogang, J. Am. Chem. Soc 124,9,2049(2002)
[3.7]T. Suski and W. Pall, High Pressure in Semiconductor Physics Ⅱ,1st ed.(Academic Press, New York,1998)
[3.8]Peter I. Dorogokupets, Artem R. Oganov*Herald of the Department of Earth Sciences RAS 1,21 (2003)
[3.9]Closed cycle refrigerator system manual, User’s manual (Janis Research Company, Inc., Wilmington, 2002).
第四章
[4.1]X. Wang, L. Qu, J. Zhang, X. Peng and M. Xiao, Nano Letters, 3:1103 (2003)
[4.2]X. Wang, J. Zhang, A. Nazzal, M. Darragh, M. Xiao. Appl. Phys. Lett. 81:4829 (2002)
[4.3]M. Dahan, T. Laurence, F. Pinaud, D. Chemla, A. P. Alivisatos, M. Sauer and S. Weiss. Opt. Lett. 26:825 (2001)
[4.4]P. Michler, A. Imamoglu, M. D. Mason, P. J. Carson, G. F. Strouse and S. K. Buratto. Nature 406:968 (2000)
[4.5]V. I. Klimov, D. W. Mcbranch, C. A. Leatherdal, M. G. Bawendi. Phys. Rev. B 60:13740 (1999)
[4.6]J. Zhang, X. Wang, M. Xiao. Opt. Lett 27:1253 (2002)
[4.7]G. Schlegel, J. Bohnenberger, I. Potapova, A. Mews. Phys. Rev. Lett. 89:137401 (2002)
[4.8]M. G. Bawendi, P. J. Carroll, W. L. Wilson, L. E. Bruce. J. Chem. Phys. 96:946 (1992)
[4.9]C. Landes, C. Burda, and M. A. Elsayed. J. Phys. Chem. B 105:2981 (2001)
[4.10]A. Javier, D. Magana, T. Jennings, and G. F. Strouse, Appl. Phys. Lett 83 1423 (2003)
[4.11]D.Errandonea, D.Martinez-Garcia, A.Segura, J.Haines, E.Machado-charry,E.Canadell, J.C.Chervin, and A.chevy Phys. Rev. B 77:045208 (2008)
[4.12]C. Q.Sun, W. H.Zhong ,J. Phys. Chem. B, 108, 1080(2004)
[4.13]Heidrun Sowa, Solid State Sciences 7, 1384 (2005)
[4.14]W. W. Yu, L. Qu, W. Guo, and X. Peng, Chem. Mater., 15, 2854 (2003)
[4.15]H. M. Fan, Z. H. Ni, and Y. P. Feng, Appl. Phys.Lett. 90, 021921 (2007)
[4.16]K. Jacobs, Science, 293, 1803 (2001)
[4.17]黃裕閔, Optical Properties of Colloidal CdSe Nanocrystals Under
High Pressure, 國立彰化師範大學物理研究所碩士論文(2008)
[4.18]D. Valerini, A. Creti, M. Lomascolo, L. Manna, R. Cingolani and M. Anni. Phys. Rev. B 71:235409 (2005)
[4.19]A. Klochikhin, A. Reznitsky, B. Dal Don, H. Priller, H. Kalt, C. Klingshirn, S. Permogorov and S. Ivanov. Phys. Rev. B 69:085308 (2004)
[4.20]O. Labeau, P. Tamarat, and B. Lounis, Phys. Rev. Lett. 90, 257404 (2003)
[4.21]C. de Mello Donegá, M. Bode, and A. Meijerink, Phys. Rev. B 74, 085320 (2006)
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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