|
K. Vanormelingen, Ph.D. thesis, KULeuven (2004). K. K. Ng, W. T. Lynch, IEEE Trams. Electron Devices 34 (1987), p. 503. S. P. Murarka, Intermetallics 3 (1995), p. 173. J. C. Barbour, A. E. M. J. Fischer, J. F. van der Veen, J. Appl. Phys. 62 (1987), p. 2582. Z. Ma, L. H. Alien, D. D. J. Allman, Thin Solid Films 253 (1994), p. 451. J. B. Lasky, J. S. Nakos, O. J. Cain, P. J. Geiss, IEDM Trans. Electron Devices 38 (1991), p. 262. Y. Nara, M. Deura, K. Goto, T. Yamazaki, T. Fukano, T. Sugii, IEICE Trans. Electron.E78C (1995), p. 293. L. Zhang, Y. Du, H. Xu, Z. Pan, Calphad 30 (4) (2006), p 470. R. Pretorius, C. C. Theron, A. Vantomme, J. W. Mayer, Crit. Rev. solid state 24 (1) (1999), p. 1. G. V. Samsonov and I. M. Vinitokii, Handbook of Refractory Compounds (1960). G. J. van Gurp and C. Langereis, J. Appl. Phys. 46 (1975), p. 4301. G. Van Gurp, W. Van der Weg, and D. Sigurd, J. Appl. Phys. 49 (1978), p. 4011. K. Maex, M. Van Rossum, Properties of metal silicides, no. 14, INSPEC, 1995. D. Smeets, Ph.D. thesis, KULeuven (2007). D. Smeets, G. Vanhoyland, J. D’Haen, A. Vantomme, J. Phys. D: Appl. Phys. 42 (2009), p. 235402. L. Haderbache, P. Wetzel, C. Pirri, J. C. Peruchetti, D. Bolmont, G. Gewinner, Appl. Phys. Lett. 53 (1988), p. 1384. R. Stadler, D. Vogtenhuber, R. Podloucky, Phys. Rev. B 60 (1999), p. 17112. Z. He, D. J. Smith, P. A. Bennett, Phys. Rev. Lett. 93 (2004), p. 256102-1. P. A. Bennett, S. A. Parikh, D. G. Cahill, J. Vac. Sci. Technol. A 11(4) (1993), p. 1680. C. W. Lim, I. Petrov, J. E. Greene, Thin Solid Film 515 (2006), p. 1340. J. Tersoff, R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 70 (1993), p. 2782. D. E. Jesson, G. Chen, K. M. Chen, S. J. Pennycook, Phys. Rev. Lett. 80 (1998), p. 5156. M. Kästner, B. Voigtländer, Phys. Rev. Lett. 82 (1999), p. 2745. Y. C. Chu, L. H. Wu, C. J. Tsai, Mater. Chem. Phys. 109 (2008), p271. L. J. Schowalter, J. R. Jimenez, L. M. Hsiung, K. Rajan, S.Hashimoto, R. D. Thompson, S. S. Iyer, J. Crystal Growth 111 (1991), p 948. R. Stalder, C. Schwarz, H. Sirringhaus, H. von Kanel, Surf. Sci. 271 (1992), p 355. S. L. Hsia, T. Y. Tan, P. L. Smith, G. E. McGuire, J. Appl. Phys. 70 (12) (1991), p. 7579. M. L. A. Dass, D. B. Fraser and C. S. Wei, Appl. Phys. Lett. 58 (1991), p. 1308. Y. Tsuji, M. Mizukami and S. Noda, Thin Solid Films 516 (2008), p. 3989. J. S. Byun, J. J. Kim,W. S. Kim, H. J. Kim, J. Electrochem. Soc. 142 (1995), p. 2805. B. Gebhardt, M. Falke, G. Beddies, H.-J. Hinneberg, Microelectronic Eng. 37/38 (1997), p. 483. R. T. Tung, Appl. Phys. Lett. 68 (1996), p. 3461. J. Baten, M. Offenberg, U. Emmerichs, P. Balk, Appl. Surf. Sci. 39 (1989), p. 266. A. Ishizaka, Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133 (1986), p. 666. R. T. Tung, J. Appl. Phys, Part 1 36 (1997), p. 1650. A. Vantomme, S. Degroote, J. Dekoster, G. Langouche, and R. Pretorius, Appl. Phys. Lett. 74 (1991), p. 3137. D. K. Sarkar, I. Rau, M. Falke, H. Giesler, S. Teichert, G. Beddies, and H. J. Hin-neberg, Appl. Phys. Lett.78 (2001), p. 3604. R. T. Tung, F. Schrey, S. M. Yalisove, Appl. Phys. Lett. 55 (1989), p. 2005. J. R. Jimenez, L. J. Schowalter, L. M. Hsiung, K. Rajan , S. Hashimoto, R. D. Thompson, S. S. Iyer, J. Vac. Sci. Technol. A 8 (1990), p. 3014. S. Mantl, J. Phys. D 31 (1998), p. 1. A. E. White, K. T. Short, R. C. Dynes, J. P. Garno, J. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 50 (1987), p. 95. L. H. Wu, C. J. Tsai, Electrochem. Solid St. 12 (2009), p. H72. Y. C. Chu, Ph.D. thesis, NTHU (2008). K. C. Kim, J. Vac. Sci. Technol. A 19(5) (2001), p. 2632.
|