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研究生:胡欽泓
研究生(外文):Chin-Hung Hu
論文名稱:石英爐管法低溫成長之氧化銦奈米結構薄膜的合成及特性研究
論文名稱(外文):Synthesis and characterization of indium oxide nanostructured thin films by low-temperature furnace method
指導教授:林泰源林泰源引用關係
指導教授(外文):Tai-Yuan Lin
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣海洋大學
系所名稱:光電科學研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2010
畢業學年度:98
語文別:中文
論文頁數:109
中文關鍵詞:氧化銦
外文關鍵詞:IN2O3
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本論文利用兩階段高溫爐管法於300。C成長氧化銦(In2O3)奈米結構薄膜並研究其結晶性質。從X‐射線繞射譜得知第一階段未通氧氣前,成長時間為10分鐘或30分鐘之氮化銦(InN)薄膜,其成長擇優取相晶面(preferentially orientend crystal plane)為烏采結構(wurtzite)結構之(101)面,所有樣品均發現有繞射強度較弱之氧化銦(In2O3),其擇優取相晶面為立方體(cubic)之(222)面。其中,當氨氣流量為75 sccm時,氮化銦/氧化銦的相對繞射強度最強。當第二階段通入氧氣將樣品氧化後,所有樣品皆被置換為氧化銦薄膜。其中,第一階段成長時間為10分鐘之樣品其氧化銦(In2O3)優取相晶面為立方體(cubic)之(222)面,第一階段成長時間為30分鐘之樣品其氧化銦(In2O3)優取相晶面為立方體(Cubic)之(123)面。
我們發現,當第一階段之氨氣流量為75sccm所製得的樣品,經氧化後可製成氧化銦(In2O3)奈米線。因此,本論文透由兩階段高溫爐管法於300。C成長出氧化銦(In2O3)奈米線。
中文摘要
英文摘要
致謝
目錄
圖目錄
表目錄
第一章緒論
1-1 前言
1‐2研究動機與背景
1‐3氧化銦(In2O3)的晶體結構
1-4參考文獻
第二章 實驗儀器與實驗原理
2‐1氧化銦(In2O3)製備方法
2‐1‐1 主動式反應蒸鍍法
2‐1‐2 直流磁控濺鍍法
2‐1‐3 熱蒸發法
2‐1‐4 化學氣相沉積法(chemical vapor deposition,
CVD)
2‐2 晶體成長機制
2‐2‐1 氣–固(vapor–solid,VS)機制
2‐2‐2 氣–液–固(vapor–liquid–solid,VLS)機制
2‐3拉曼散射(Raman scattering)原理
2‐4拉曼散射(Raman scattering)光譜原理
2‐5 X‐射線繞射儀原理
2‐6 X‐射線繞射儀
2‐7掃描式電子顯微鏡
2-8 X光能譜
2‐9 光激螢光(Photoluminescence,PL)發光光譜
2‐10光激螢光(Photoluminescence,PL)儀器架構
2‐11石英爐製程系統
2‐11‐1 典型石英爐製程
2‐11‐2 兩區溫度(Two‐temperature) 石英爐製程
2‐12參考文獻
第三章 實驗步驟
3‐1 實驗流程
3‐2樣品清洗
3‐3氮化銦(InN)製程
3‐4 氧化銦(In2o3)製程
3‐5 參考文獻
第四章 實驗結果與討論
4‐1 X‐射線繞射譜分析
4‐2掃描式電子顯微鏡結果分析
4-3 X光能譜分析
4‐4 光激發螢光(Photoluminescence,PL)發光光譜分析
4‐5拉曼光譜分析
4‐6參考文獻
第五章 結論

1-3 參考文獻
[1]I. Vurgaftman, J. R. Meyer and L. R. Ram-mohan, J .Appl .Phy, 89,
11 (2001)
[2]奈米材料和奈米結構 張立德、牟季美著 滄海書局出版
[3] Y. F. Zhang, Y. H. Tang, N. Wamg , D. P. Yu, C. S. Lee, I. Bello,
and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett., 72, 1835 (1998).
[4] W. Q. Han, S. S. Fan, Q. Q. Li, B. L. Gu, X. B. Zhang, and D. P. Yu,
Appl. Phys. Lett., 71, 2271 (1997).
[5] Q. Lu, J. Hu, K. Tang, and Y. Qian, Appl. Phys. Lett., 75, 507 (1999).
[6] X. T. Zhou, N. Wang, H. L. Lai, H. Y. Peng, I. Bello, N. B. Wong, C.
S.Lee, Appl. Phys. Lett., 74, 3942 (1999).
[7] W. Q. Han, S. S. Fan, Q. Q. Li, and Y. D. Hu, Science., 277, 1287,
(1997)
[8]C.H.Liang and L.C.Chen Appl.Phys.Lett., 81 , 23 , (2002)
[9]Jun Zhang, Lide Zhang, Xinsheng Peng and Xiangfeng Wang
J.Mater.Chem., 12, 802-804 , (2002)
[10]J.Y.Lao, J.Y.Huang, D.Z.Wang, and Z.F.Ren Nano Lett. , 3, 235 ,
(2003)
[11]D Banerjee, J Y Lao, D ZWang, J Y Huang, D Steeves, B Kimball
and Z. F. Ren Nanotechnology 15 , 404-409 , (2004)
[12]A. C. Fechete, W. Wlodarski, A. S. Holland, K. K. Zadeh, 5th IEEE
Conference on Nanotechnology, Nagoya, Japan, July (2005)
[13]Margherita Mazzera, Mingzheng Zha, Davide Calestani,Andrea Zappettini, Laura Lazzarini, Giancarlo Salviati and Lucio Zanotti, Nanotechnology 18 (2007)
5
[14] Jun Zhang ,Xin Qing ,Feihong Jiang ,Zhenhong Dai ,Chem. Phys. Lett. 371 311–316 (2003)
[15]Chao Li, Daihua Zhang, Song Han, Xiaolei Liu, Tao Tang, and Chongwu Zhou, Adv. Mater 2 15 (2003)
[16]Jingyu Lao, Jianyu Huang, Dezhi Wang, and Zhifeng Ren, Adv. Mater 1 16 (2004)
[1]M. Penzaa, S. Cozzib, M. A. Taglientea, L. Mirenghi, Thin Solid
Films 349, 71-77 (1999)
[2]G. Kiriakidis, H. Ouacha, and N. Katsarakis , Rev.Adv.Mater. Sci. 4 ,
32-40(2003)
[3]G. Kiriakidis, N. Katsarakis, M. Bender, E. Gagaoudakis and V.
Cimalla , Mater. Phys. Mech. 1, 83-97 (2000)
[4]A. C. Fechete, W. Wlodarski, A. S. Holland, K. K. Zadeh, 5th IEEE
Conference on Nanotechnology, Nagoya, Japan, July (2005)
[5]G. Cheng, E.Stern, S. Guthrie,M. A. Reed, R. Klie, Y. Hao, G. Meng,
L. Zhang, Appl. Phys. A, 85, 233 (2006)
[6]Y. Hao, G. Meng, C. Ye, and L. Zhang, Crystal Growth & Design, 4,
1617-1621 (2005)
[7]Y. Wu and P. Yang, J. Am. Chem. Soc., 123, 3165(2001)
[8]G. Cheng, E. Stern, D. T. Evans, and M. A. Reed, Appl.Phys. Lett , 87,
253103 (2005)
[9]R. S. Wanger, and W. C. Ellos, Appl. Phys. Lett., 4, 89(1964)
[10]T. Tang, S. Han, W. Jin, X. Liu, C. Li, D. Zhang, and C. Zhou, 2,
pp.205-207(2003)
[11] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices 2nd edition,
McGraw-Hill 2005.
3-5 參考文獻
[1]N. Chao, Z. Rong, X. Z. Li, X. X. Qiang, L. Bin, F. D. Yi, L. Q. Jia, H.
Ping, G. S. Lin, S. Yi, Z. Y. Dou, Chin. Phys. Lett. 25, 5, 1780-1783 (2008)
4-6參考文獻
[1]Z. H. Lan, W.M.Wang,C.L.Sun,S.C.Shi,C.W.Hsu,T.T.Chen,K.H.Chen
,C. C. Chen, Y.F.Chen, L.C.Chen, Journal of Crystal Growth 269,
87-97 (2004)
[2]Guoxiu Wang, Jinsoo Park,David Wexler, Min Sik Park, and
Jung-Ho Ahn , Inorg. Chem. 46 , 4778-4780 (2007)
[3] J.X. Wang, H.Y. Chen, Y. Gao, D.F. Liu, L. Song, Z.X. Zhang,
X.W. Zhao, X. Y. Dou, S. D. Luo, W.Y. Zhou, G. Wang, S.S. Xie
,J. Appl. Phys. 284, 73-79, (2005)
[4] D. Liu, W. W. Lei, B. Zou, S. D. Yu, J. Hao, K. Wang, B. B. Liu, Q.
L. Cui and G. T. Zou, J. Appl. Phys. 104, 083506, (2008)
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