(44.192.10.166) 您好!臺灣時間:2021/03/05 09:54
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果

詳目顯示:::

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:徐兆逸
研究生(外文):Chao-Yi Hsu
論文名稱:氧化鋅鈷摻鋁薄膜的高頻磁電特性
論文名稱(外文):High Frequency Magnetic-electrical Properties of Al-dopped Zn1-xCoxO Thin Films
指導教授:傅昭銘傅昭銘引用關係
指導教授(外文):Chao-Ming Fu
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣大學
系所名稱:物理研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2010
畢業學年度:98
語文別:中文
論文頁數:54
中文關鍵詞:稀磁性半導體氧化鋅鈷薄膜高頻阻抗阻抗頻譜
外文關鍵詞:DMSZnCoO:Al thin filmhigh frequency ImpedanceImpedance spectrum
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:113
  • 評分評分:系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
稀磁性半導體(Diluted magnetic semiconductors)結合半導體與磁性材料的特性,預期可作為自旋電子元件應用。過渡金屬摻雜氧化鋅具有磁-光-電偶聯之物理特性,成為熱門研究稀磁性半導體材料系統。本研究探討鋁摻雜氧化鋅鈷(Zn1-X-YAlXCoYO)稀磁性半導體薄膜之高頻阻抗特性,並藉阻抗頻譜分析以探討鋁摻雜濃度對樣品磁電特性的影響。實驗上使用高頻阻抗量測儀量測鋁摻雜氧化鋅鈷薄膜的阻抗頻譜特性,並經由介電遲豫理論和古典電磁理論分析樣品的交變電磁動力學行為。
由阻抗頻譜所量測的結果顯示,阻抗頻譜特性具有磁介電體(如鑭鍶錳氧化物、鎳鋅鐵氧化物等)行為,且鋁摻雜濃度會系統化影響阻抗頻譜響應特性。為探討磁電頻率響應機制,乃先以Cole-Cole理論模型來分析實驗所得之阻抗頻譜,分析結果揭示阻抗頻譜係有多重遲豫反應貢獻。再以古典電磁理論,並考慮磁後效應與介電弛豫機制,進一步對阻抗頻譜擬合分析,分析結果表示,摻鋁氧化鋅鈷薄膜之高頻電磁行為乃由微觀磁元與介電動力學機制所貢獻。本研究結果將可提供作為日後自旋電子元件應用製作之参考。


Diluted magnetic semiconductor (DMS) is technological interest for applications of interdisciplinary materials science due to the charge and spin degrees freedom accommodated into single matter resulting in interesting magneto-optical, magnetoelectronic, and other properties. Especially, zinc oxides partially (< 10 at.%) substituting of transition metal (TM) ions has attracted much attention recently because of its potential applications in the spintronic and optoelectronic devices such as transparent conductive electrodes.
In this work, impedance spectroscopy method has been applied to characterize the Al doping effects on the electric and magnetic properties of ZnCoO thin films. The relaxation contribution from different structural origin such as grains and grain boundary has been carry out by employing the Cole impedance model. Moreover, the electromagnetic transport properties also been analyzed based on the classical electromagnetism, which taking into account the occurrence of dielectric relaxation and magnetic-after effect when the samples were subjected to alternating electromagnetic field. Further theoretical investigations of the fitting parameters suggest that the Zn1-X-YAlXCoYO may applicable to high frequency electro-magnetic devices.


口試委員會審定書 i
誌謝 ii
摘要 iii
英文摘要 iv
目錄 v
圖目錄 vii
第一章 緒論 1
1-1 氧化鋅與透明導電膜 1
1-1-1 氧化鋅特性 1
1-1-2 透明導電膜 2
1-2 稀磁性半導體 4
1-3 研究動機 6
第二章 實驗儀器介紹 8
2-1 高頻阻抗分析儀 8
2-2 阻抗基本介紹 10
第三章 電磁分析相關理論 12
3-1 電磁波在低損耗介電體傳播之阻抗近似 12
3-2 阻抗頻率響應 15
3-2-1 介電弛豫效應 15
3-2-2 磁後效應 17
3-3 阻抗理論與等校電路分析法 19
3-3-1 等效電路阻抗分析法 20
3-3-2 等效電路阻抗分析法於探討物質磁性性質應用 21
第四章 實驗結果與討論 23
4-1 氧化鋅鈷摻鋁薄膜之阻抗與導電率頻譜 23
4-2 Cole Impedance Model 適配分析 30
4-3 古典電磁學理論適配分析 42
4-4 I-V特性分析 48
第五章 結論 54
參考文獻 55


[1]Y.Igasaki and H.Saito,Thin Solid Films 223.199(1991)
[2]H. Sheng, N.W. Emanetoglu, S. Muthukumar, B.V. Yakshinskiy, S. Feng, and Y. Lu, J. Electron Mater 32, 9, (2003).
[3]Han-Ki Kim, Sang-Heon Han, and Tae-Yeon Seong, Appl. Phys. Lett. 77, 11, (2000).
[4]Han-Ki Kim, Kyoung-Kook Kim, Seong-Ju Park, and Tae-Yeon Seong , J. Appl. Phys. 94, 6, (2003).
[5]Y.G. Wanga, S.P. Laua, X.H. Zhangb, H.H. Hngc, H.W. Leea, S.F. Yua, and B.K. Taya, Journal of Crystal Growth 259, 335-342, (2003).
[6]Y.R. Ryu, S. Zhu, D.C. Look, J.M. Wrobel, H.M. Jeong, and H.W. White , Journal of Crystal Growth 216 , 330-334, (2000).
[7]李玉華, “透明導電膜及其應用”, 科儀新知, 第12卷, 第一期, 94-102, (1990).
[8]J. L.Vossen, Physics of Thin Films 9, 1-64, (1997).
[9]H.L. Hartnagel, A.L. Dawar, A.K. Jain, and C. Jagadish, Institute of Physics, London, (1995).
[10]W. Water, and S.Y. Chu, Mater. Lett. 55, 67-72, (2002).
[11]S.Y. Chu, W. Water, and J.T. Liaw, J. Eur. Cera. Soc. 23, 1593-1598, (2003).
[12]水瑞鐏, “氧化鋅薄膜特性及其在通訊元件與液體感測器上之應用”, 國立成功大學電機工程學系博士論文, (2002).
[13]D.G. Baik, and S.M. Cho, Thin Solid films 354, 227-231, (1999).
[14]P. Nunes, D. Costa, E. Fortunato, and R. Martins, Vacuum 64, 293-297, (2002).
[15]S. Tuzemen, G. Xiong, J. Wilkinson, B. Mischuck, K.B. Ucer, and R.T. Williams, Physica B 308-310, 1197-1200, (2001).
[16]許華書、黃榮俊, 自旋電子之研究與發展, 物理雙月刊(廿六卷四期)
[17]胡裕民, III-V稀磁性半導體薄膜之研究與發展, 物理雙月刊(廿六卷四期)
[18]G. a. Prinz, Science 282, 1660 (1998).
[19]F. Matsukura, H. Ohno, A. Shen et al. , Phys. Rev. B 57, R2037 (1998).
[20]H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, and Y.Iye, Appl. Phys. Lett. 69, 363(1996).
[21]H. Munekata, H. Ohno, S. von Molnar, A. Segmuller, L.L. chang, and L.Esaki, Phys. Rev. Lett. 63, 1849 (1989).
[22]H. Akai, Phys. Rev. Lett. 81, 3002 (1998).
[23]H. Ohno, H. Munekata, T. Penneys S. von Molnar, and L.L. chang, Phys.Rev. Lett. 68, 2664 (1992).
[24]Dietl, T., Semicond. Sci. Technol. 377,17 (2002)
[25]A.J. Behan, A. Mokhtari, Phys.Rev. Lett. 100, 047206 (2008)
[26]S. Saha and S. B. Krupqnidhi, J. Appl. Phys. 87, 849(2000).
[27]F. A. Grant, J. Appl. Phys. 29, 76(1957).
[28]L.V. Panina, K. Mohri, K. Bushida, M. Noda, J. Appl. Phys. 76, 6198(1994).
[29]R. Valenzuela, M. Knobel, et al, J. Appl. Phys. 78, 5189(1995).
[30]Y. Inoue, Y. Miyauchi, A. Kimura, T. Kawahara, Y. Okamoto and J. Morimoto, J. J. Appl. Phys 43, 2936 (2004).
[31]A. Kinbara, H. Fujiwara. Thin films. Tokyo: Syokabo. 250(1991)
[32]Kun-YangWu, Cheng-ChuanWang and Dong-Hwang Chen, Nanotechnology 18, 305604 (2007).
[33]J. D. Jackson, Classical Electrodynamics, 2nd ed.(Wiley,New York, 1975).
[34]H.S.Hsu and J.C.A.Huang, Appl. Phys. Lett. 90, 102506 (2007).


QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
系統版面圖檔 系統版面圖檔