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研究生:胡瀚
研究生(外文):Han Hu
論文名稱:以第一原理計算研究III-V族半導體二元合金及三元合金之準粒子能帶結構
指導教授:梁贊全
口試委員:蔡炎熾薛宏中
口試日期:2011-07-25
學位類別:碩士
校院名稱:國立中正大學
系所名稱:物理學系暨研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2011
畢業學年度:99
語文別:中文
論文頁數:57
中文關鍵詞:GW修正方法
外文關鍵詞:GWA
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本論文主要III-V族化合物的結構計算,使用LDA方法以及GWA的修正。
第一章 前言 1
第二章 理論計算與方法 10
2-1密度泛函理論 <The Density Functional Theory DFT> 10
2-1-1 Hohenberg – Kohn Theory 10
2-1-2 Kohn – Sham Theory 11
2-1-3 Local Density Approximation (LDA) 區域密度近似方法 11
2-2 能帶理論 (The Band Theory) 12
2-2-1贗勢方法 (The Pseudopotential Method) 14
2-2-2 PAW 方法(The Projrctor Augmented-wave Method) 15
2-3 GW 近似 (The GW Approximation ; GWA) 15
第三章 計算結果 19
3-1 模型建構與參數設定 19
3-2 III-V 族材料的結構差異性 22
3-3 二元纖鋅礦III-V 族合金能帶結構 27
3-3-1 LDA 計算的能帶結構 27
3-3-2 GW 計算的能帶結構 34
3-4 III-V 族三元合金在閃鋅礦結構的能帶結構 39
3-4-1 LDA 的計算結果 39
3-4-2 GW 修正計算結果 43

[結論] 55

[References] 57

[References]
1.First-principle Calculation of Structure and Electronic Properties of Wurtzite AlxGa(1-x)N,InxGa(1-x)N and InxAl(1-x)N Random Alloys. Phys. Stat. sol.No.1 ,315-319 (2002)
2.Gate-controlled carrier injection into hexagonal boron nitride PHYSICAL REVIEW B 83, 073405 (2011)
3.Towards efficient band structure and effective mass calculations for III-V direct band-gap semiconductors PHYSICAL REVIEW B 82, 205212 (2010)
4.Electronic excitations_density-functional versus many-body Greens-function approaches REVIEWS OF MODERN PHYSICS, VOLUME 74, APRIL 2002
5.P. Hohenberg and W. Kohn, Phys.rev 136, B864 (1964)
6.W. Kohn and L. J. Sham, Phys. Rev. 140, A4466 (1965)
7.Numerical data and functional relationships in science and technology. New series. Group III: crystal and state physics. Semiconductors. Physics of group IV elements and III-V compounds, Vol.17, edited by O. Madelung, Landolt-Bornstein (1982)
8.Development of green,yellow, and amber light emitting diodes using InGaN multiple quantum well structures Applied Physics Letters 90, 151109 (2007)
9.L.E.Ramos,L.K.Teles,L.M.R.Scolfaro,J.L.P.Castineira,A.L.Rosa1,
J.R.Leite, Phys. Rev. B 63,165210 (2001)
10.Determination of the band gap and the split-off band in wurtzite GaAs using Raman and photoluminescence excitation spectroscopy PHYSICAL REVIEW B 83, 125307 (2011)
11.以第一原理計算研究III-V族半導體二元及三元合金之能帶結構 周世章 (2010)
12.以第一原理研究III-V族半導體之準粒子能帶研究 劉庭嘉 (2010)
13.Properties, Processing, and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors, edited by J.H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H.Amano, and C. Wetzel (EMIS Data Reviewa Series No. 23, 1999)
14.T. Lei, T. D. Moustakes, R, J. Graham, L. Hultman and J. E. Berkowitz, J. Appl. Phys. 71, 4933 (1992)
15.M. Ferhat, B. Bouhafs, A. Zaoui and H. Aourag, J. Phys. :Condens. Matter 10,7995 (1998)
16.Quasiparticleband structure of AlN and GaN Physics Review B 1993 Volume 48 Number 16 (1993 10 1) Angel Rubio, Jennifer L. Corkill, Marvin L. Cohen, Eric L. Shireley, and Steven G. Louie

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