1. A. E. Romanov, W. Pompe, S. Mathis, G. E. Belts, and J. S. Speckj. J. Appl. Phys. 85 , pp.182 (1999)
2. J. dela Figuera, K. Pohl, O. Rodriguez dela Fuente, A. K. Schmid, N. C. bartelt, C. B. Carter and R. Q. Hwang , Phys. Rev. Lett. 86, pp.3819 (2001)
3. E. Koppensteiner, A. Schuh, G. Bauer, V. Holy, G. P. Watson and E. A. Fitzgerald, J. Phys. , Determination of threading dislocation density in hetero-epitaxial layers by diffuse x-ray scattering .,D: Appl. Phys. 28 , pp. A116-A120(1995)
4. F. A. Kish, F. M. Steramka, D. C. DeFevere, D. A. Vanderwater, K. G. Park, C. P. Kuo, T. D. Osentowski, M. J. Peanasky, J. G. Yu, R. M. Fletcher, D. A. Steigerwald, M. G. Craford, V. M. Robbins, Appl. Phys. Lett. 64 , pp.2839 (1994)
5. G. E. Hofler, D. A. Vandereater, D. C. DeFevere, F. A. Kish, M. D. Camras , F. M. Steranka, and I. H. Tan, Appl. Phys. Lett. 69, pp.803 (1996)
6. H. C. Lin, K. L. Chang, K. C. Hsieh, K. Y. Cheng, and W. H. Wang, J. Appl. Phys. 92, pp.4132 (2002)
7. J.Jasinsiki, Z.L.-Weber, S.Estrada, and E.Hu,Mater, Res. Soc. Symp. Proc. 722, K7. pp.15 (2002)
8. J.Jasinsiki, Z.L.-Weber,S.Estrada, and E. Hu, Mater., Appl. Phys. Lett.81, pp.3152(2002)
9. S.Estrada, H.Xing, A.Stonsa, A.Huntigton, U.Mishra, S.DenBaars, L.Coldren and E.Hu, Appl. Phys. Lett. 82, pp.820(2003)
10. 陳一凡 P型砷化鎵晶圓接合電性與界面形態之研究 交大材料碩士論文pp.2-6,(2005)
11. Q.-Y. Tong,and U. Gösele, Semiconductor wafer bonding: science and technology, Chap. 2 J. Wiley and Sons, Inc, pp. 52 (1998)
12. T. A. Michalske and E. R. Fuller, J. Am. Ceram. Soc., 68, pp.586 (1985)
13. L. R. Fisher and J. N. Israelachvili, “ Direct measurement of effect of meniscus forces on adhesion: A study of the applicability of macroscopic thermodynamics to microscopic liquid interface”, Colloids Surf., 3, pp. 303-319, December (1981)
14. Q.-Y. Tong, and U. Gösese, Semiconductor wafer bonding: science and technology, Chap. 2, John Wiley & Sons, Inc., pp. 52(1998)
15. J.N. Israelachvili, P. McGuiggan, and R. Horn, “Basic physics of interactions between surfaces in dry, humid and aqueous environments”, 1st ed International Symposium on Semiconductor Wafer bonding: Science, Technology and Applications, 92-7, The electrochemical society, Pennington, NJ, pp. 33-47, (1992)
16. K.-T. Wan, D, T. Amith, and B. R. Lawn, “Fracture and contact adhesion energies of mica-mica, and silica-silica, and mica-silica interface in dry and moist atmospheres”, J. Am. Cream. Soc., 75, pp. 667-76, March(1992)
17. 劉柏均 三五族化合物半導體晶圓接合之基本研究及應用研究交通大學材料所碩士論文, pp.8,(2005)
18. 張勝傑 砷化鎵/砷化鎵以及砷化鎵/鍺晶圓接合介面形態與電性 研究交通大學材料所碩士論文, pp.8,(2009)19. 劉柏均 三五族化合物半導體晶圓接合之基本研究及應用研究交通大學材料所碩士論文, pp.12,(2005)
20. 李天賜、林澤勝、彭成鑑、呂冠良、潘信宏 工業材料雜誌 170, pp.146-157,(2001)
21. 劉柏均 三五族化合物半導體晶圓接合之基本研究及應用研究交通大學材料所碩士論文, pp.14,(2005)
22. K. Hjort, Journal of Crystal Growth, 268 , pp.346 (2004)
23. Niklaus F. Andersson H. Enoksson P. Stemme G , Sensors & Actuators ,A-Physical, A92, pp.235 (2001)
24. 劉柏均 三五族化合物半導體晶圓接合之基本研究及應用研究交通大學材料所碩士論文, pp.21,(2005)
25. M Shimbo, K. furukawa, k. Gukuda, and K. Tanzawa, J. Appl. Phys.
60, pp.2987(1986)
26. 陳一凡 P型砷化鎵晶圓接合電性與界面形態之研究 交大材料碩士論文pp.8,(2005)
27. J. Haisma, G.A.C.M.Spierings,“Contact bonding, including direct-bonding in a historical and recent context of material acience and technology, physics and chenistry Historical review in a broader scope and cmparative outlook” , Materials science and engineering, R 37, pp.1-60, (2002)
28. Q. Y. Tong, E. Schmidt, and U. Gösele, Appl. Phys. Lett., 64, pp.625 (1994).
29. V. Antonova, O. V. Naumova, V.P. Popov and J. Stano, V. A. Skuratov, J. Appl. Phys. 93 , pp.426(2003)
30. 彭顯智 不同旋轉角度之砷化鎵晶圓接合 交通大學材料所碩士論文, pp.26-50,(2004)31. G. N. Yushin and Z. Sitar , Appl. Phys. Lett. 84, pp.3993 (2004)
32. 張岱民 N型砷化鎵/N型矽晶圓接合介面形態與電性研究交大材料碩士論文pp.17,(2009)33. 陳一凡 P型砷化鎵晶圓接合電性與界面形態之研究 交大材料碩士論文pp.47,(2005)34. 劉柏均 三五族化合物半導體晶圓接合之基本研究及應用研究交通大學材料所碩士論文, pp.53-59,(2005)35. 劉柏均 三五族化合物半導體晶圓接合之基本研究及應用研究交通大學材料所碩士論文, pp.60,(2005)
36. Oda, Holmes, H. Yamamoto, M. Seiwa, G. Kano, T. Inoue, M. Mori, H. Shinakura, and M. Oyake, Semicond , Sci. Technol, 7, pp.A215 (1992)
37. J.Lagowski, H.C.Gatos, J.M.Psrsey, K.Wada, Appl.Phys.Lett., 40, pp.342 (1982)
38. C. T. Foxton, J. A. Harvey, and B. A. Joyce, J. Phys. Chem. Solids, 34, pp.1693 (1973)