互補式金氧半導體(CMOS)製程最大的優點在於它採用的是標準材料和製程，這使半導體製造商能夠確保低成本和高產出率，這對於光微機電系統發展是相當關鍵的。但是，建立於CMOS製程之微機電技術(MEMS)卻往往受限於固定的標準製程，缺乏更廣泛的應用。用標準CMOS製程平台之MEMS帶來了一些特殊的限制與製程挑戰。第一，與大部份半導體技術相較，許多MEMS元件需用到更為複雜的材料與層次；第二，建構MEMS結構需要專門的製程，而這些製程都不在原有半導體製程裡。
我們研究在於設計特殊製程於後加工程序與標準CMOS製程整合，希望能與CMOS製造方法相容。與目前標準的CMOS製程相結合可以使微機電系統研究能夠充分利用標準化生產帶來的效益，使MEMS的研究具有更優異的性能和可靠性。
同時本論文建立於台積電CMOS 0.35μm 2P4M標準製程，將我們所提出之特殊後製程的設計，應用於製作CMOS MEMS振盪器、紅外線熱輻射吸收感測器與一氧化碳氣體感測器元件之系統晶片。探討各元件其犧牲層蝕刻、石英結合MEMS振盪器元件並探討MEMS振盪器特性以及一氧化碳氣體感測器並量測等。

關鍵字： MEMS振盪器特性、一氧化碳氣體感測器、犧牲層。

Abstract
The most favorite advantages of Complementary Metal-Oxide- Semiconductor (CMOS) are based on its standard material and fabrication and therefore it will make semiconductor manufacturers low costs and high-rate production. Nevertheless MEMS of CMOS fabrication has some drawbacks which limit its applications in sensors and actuators. Comparisons with most of the semiconductor technology, the CMOS fabrication will meet limitations and challenges. The first is that MEMS components need more complicated materials and layers. The second is that designing MEMS structure requires special fabrication processes and these processes are not in the original COMS processes.
In this thesis, we propose several advanced fabrication integrating with CMOS-compatible process. It will bring profits of standardized production and has the high performance and reliability of MEMS.
We use 0.35μm 2P4M CMOS IC compatible process and propose the new
post fabrication for COMS MEMS resonators, infrared absorption sensors and
CO gas sensors. Besides we investigate the sacrificial layer of sensors and
measure the properties of MEMS resonator, CO gas sensor and so on.





Key words： MEMS resonator, CO gas sensor, sacrificial layer

中文摘要 ..................................................I
英文摘要 .................................................II
謝誌.....................................................III
目錄 .....................................................Ⅴ
表目錄 ...................................................Ⅷ
圖目錄....................................................Ⅹ

第一章 緒論
1-1 前言...................................................1
1-2 研究背景與動機..........................................2
1-3 文獻回顧................................................5
1-3-1 CMOS MEMS與石英振盪器之探究............................6
1-3-2 溶膠與凝膠製作與一氧化碳氣體感測器.......................7
1-3-3微結構之紅外線熱輻射感測器..............................11
1-4 論文架構與研究方法......................................12
第二章 CMOS MEMS與微機電後製程整合簡介
2-1 CMOS MEMS簡介.........................................14
2-1-1 CMOS 製程技術........................................14
2-2 CMOS MEMS微機電簡介....................................16
2-2-1 CMOS後製程..........................................17
2-2-2 微機電製程...........................................28
2-3 銲線 (Wire Bonding)晶粒接合技術.........................31
第三章 CMOS MEMS 製程設計之研究
3-1 CMOS MEMS製程研究......................................33
3-1-1 CMOS MEMS感測器前製程................................34
3-1-2 犧牲層製程設計.......................................37
3-1-3 蝕刻阻擋層製程設計...................................39
3-2 一氧化碳氣體感測器.....................................41
3-2-1 一氧化碳的特性….....................................42
3-2-2 氣體感測材料.........................................45
3-2-3 二氧化錫的氣體感測機制................................47
3-2-4 溶膠-凝膠製作之簡介...................................50
3-2-5 溶膠-凝膠製作流程.....................................53
3-3 CMOS MEMS振盪器製程設計…...............................54
3-3-1 相容性石英與CMOS MEMS整合之研究.......................62
3-3-2 石英與矽鍵合技術介紹..................................64
第四章 感測晶片之製作與量測
4-1 溝槽式電阻氣體感測器....................................73
4-1-1 溝槽式電阻氣體感測元件製程流程圖........................77
4-1-2 氣體感測元件後製程實作................................82
4-1-3實驗架設與儀器........................................84
4-1-4溝槽式電阻氣體感測器量測結果............................86
4-1-5 垂直指叉狀型電阻氣體感測器.............................89
4-1-6垂直指叉狀型電阻氣體感測器製程流程圖.....................94
4-2 紅外線熱輻射感測器......................................98
4-2-1紅外線熱輻射感測器製程流程圖...........................105
4-2-2 紅外線熱輻射感測器後製程實作..........................107
4-3 異質晶片整合研究.......................................110
4-3-1 CMOS MEMS 振盪器製程研究…...........................110
4-3-2 QMEMS 振盪器製程研究................................117
4-3-3異質晶片結合之研究....................................122
第五章 結論與未來展望
5-1 結論.................................................124
5-2 未來展望..............................................125
參考文獻..................................................127
著作.....................................................138
表目錄
表1-1 各類型氣體感測器之發展歷程……………………………………...…9
表1-2 人體感官對感測器…………………………………………………….12
表2-1 CMOS相容微感測器/致動器使用之製程平台……………………….17
表2-2 濕式與乾式蝕刻比較………………………………………………….20
表2-3 為不同材料於KOH與EDP的蝕刻速率…………………………….25
表2-4 非等向性蝕刻溶液之比較表………………………………………….25
表2-5 各蝕刻液對不同材質之蝕刻速度與針對性之材質………………….26
表2-6 TMAH蝕刻速率、温度與時間之關係表…………………………….27
表3-1 佈局驗證之說明……………………………………………………….35
表3-2 暴露於一氧化碳之濃度與時間對人體之影響……………………….44
表3-3 半導體式的氣體感測材料種類……………………………………….47
表3-4 溶膠凝膠(二氧化錫)製作流程………………………………………..54
表3-5 High Frequency-Q Product Vibrating RF MEMS Devices…………….58
表3-6 石英振盪器與MEMS振盪器比較表…………………………………60
表3-7 不同型態晶體振盪器針對頻率精度、標準頻率與穩定度………….63
表3-8 各式接合法的比較表………………………………………………….67
表4-1 溝槽式電阻氣體感測器後製程步驟………………………………….83
表4-2 量測實驗儀器設備…………………………………………………….84
表4-3 垂直指叉狀型電阻氣體感測器後製程步驟………………………….97
表4-4 氣體感測元件後製程步驟…………………………………………...108
表4-5 CMOS MEMS 振盪器後製程步驟…………………………………..117
表4-6 石英蝕刻結果……………………………118
表4-7 石英蝕刻深度結果………………………………………….119
表4-8 不同配方所影響石英蝕刻結果…………………………………….121
圖目錄
圖1-1 微結構、微感測器與微致動器之微機電元件……………………………………..2
圖1-2 (a)紅外線熱輻射吸收感測器與(b)氣體感測器晶片……………………………5
圖1-3 Si Time公司所製作之MEMS振盪器…………………………………………………7
圖1-4 微型氣體感測器………………………………………………………...8
圖2-1 TSMC 0.35μm 2P4M CMOS Cross Section View……………………..15
圖2-2 濕式蝕刻反應機制示意圖…………………………………………………………………18
圖2-3 等向性蝕刻之底切示意圖(濕式蝕刻前)……………………………..19
圖2-4 等向性蝕刻之底切示意圖(濕式蝕刻後)……………………………..19
圖2-5 等向性蝕刻對於小尺寸之蝕刻不適用示意圖(a)……………………20
圖2-6 等向性蝕刻對於小尺寸之蝕刻不適用示意圖(b) ………………..….21
圖2-7 晶片(110)與(100)非等向性蝕刻示意圖……………………………………………22
圖2-8 體型微加工結構圖示意圖…………………………………………………………………29
圖2-9 CRONOS所提供之MUMPs…………………………………………..30
圖2-10 Wire Bond接線動作示意圖……………………………………………………………..32
圖2-11 鋁線銲線機……………………………………………………………………………………..32
圖2-12 封裝用之腳座………………………………………………………………………………….32
圖2-13 PCB接腳板………………………………………………………………………………………32
圖3-1 CMOS 微感測器設計流程圖…………………………………………………………….36
圖3-2 犧牲層製程設計………………………………………………………………………………..38
圖3-3 犧牲層製程圖案設計………………………………………………………………………..39
圖3-4 蝕刻阻擋層製程設計………………………………………………………………………..40
圖3-5 蝕刻阻擋層製程圖案設計…………………………………………………………………41
圖3-6 N型半導體蕭特基能障型吸附之能帶圖…………………………………………..49
圖3-7 N型半導體歐姆接觸型吸附之能帶圖……………………………………………….50
圖3-8 微機械共振器……………………………………………………………………………………56
圖3-9 高頻微機械共振器……………………………………………………………………………56
圖3-10 振盪器元件結構層次………………………………………………………………………61
圖3-11 石英晶體架構示意圖………………………………………………………………………62
圖3-12 TTV (Total Thickness Variation) 晶圓最大及最小的厚度差……………65
圖3-13 陽極鍵合示意圖………………………………………………………………………………70
圖3-14 共晶鍵合示意圖………………………………………………………………………………71
圖4-1 電阻感測元件設計流程…………………………………………………………………….73
圖4-2 電阻式感測元件示意圖…………………………………………………………………….74
圖4-3 感測結構局部放大圖………………………………………………………………………..75
圖4-4 溝槽式電阻氣體感測器…………………………………………………………………….75
圖4-5 CoventorWare 3D元件結構圖(1)…………………………………….…………………76
圖4-6 CoventorWare 3D元件結構圖(2)……………………………………...76
圖4-7 CIC所提供之製程步驟………………………………………………...77
圖4-8晶片蝕刻過程……………………………………………………………………………………..84
圖4-9 氣體感測晶片量測儀器架設照片圖…………………………………………………86
圖4-10 不同濃度電壓圖……………………………………………………………………………..87
圖4-11 平均不同濃度電壓圖………………………………………………………………………88
圖4-12 各濃度所產生之最高電壓………………………………………………………………89
圖4-13 感測電極結構放大圖………………………………………………………………………90
圖4-14 垂直指叉狀型電阻氣體感測器……………………………………………………….91
圖4-15 去除保護層，使Metal裸露…………………………………………………………….92
圖4-16 經由CIC後製程將Oxide Layer去除………………………………………………92
圖4-17 利用CoventorWare 2008模擬加熱器(Poly 1)結構設計…………………92
圖4-18 加熱器溫度(400 K)…………………………………………………..93
圖4-19 加熱器溫度(700 K)…………………………………………………..93
圖4-20 加熱器溫度(1200 K)…………………………………………………94
圖4-21 晶片滴附SnO2過程之照片……………………………………………………………..97
圖4-22 紅外線熱輻射感測器……………………………..……………….…99
圖4-23 蜂窩狀光子晶體結構……………………………………………………………………100
圖4-24 方型狀光子晶體結構……………………………………………………………………101
圖4-25 長條狀光子晶體結構……………………………………………………………………101
圖4-26 紅外線熱輻射感測器結構…………………………………………………………….102
圖4-27 熱電堆與加熱器結構…………………………………………………………………….102
圖4-28 無光子晶體熱電堆溫度…………………………………………………………………103
圖4-29 長條狀結構光子晶體熱電堆溫度…………………………………………………103
圖4-30 方型結構光子晶體熱電堆溫度…………………………………………………….104
圖4-31 蜂窩狀結構光子晶體熱電堆溫度………………………………………………...104
圖4-32 晶片蝕刻過程………………………………………………………………………………..110
圖3-33 CMOS MEMS振盪器設計流程圖………………………………………………….111
圖4-34 振盪器結構局部放大圖…………………………………………………………………112
圖4-35 CMOS MEMS振盪器…………………………………………………………………….112
圖4-36 MEMS振盪器結構層次圖……………………………………………………………..113
圖4-37 振盪結構模擬………………………………………………………………………………..114
圖4-38 溫度與頻率關係圖………………………………………………………………………..114
圖4-39 電極間所產生之電荷量…………………………………………………………………115
圖4-40 石英製程流程圖…………………………………………………………………………….122
圖4-41 異質晶片結合之構想圖…………………………………………………………………123

[1] Ching-Liang Dai, Pin-Hsu Kao, “CMOS-MEMS Micromechanical Resonators”，科儀新知第二十九卷第五期 97.4。
[2] 林純慈，“MEMS產業發展概況” ，2009.1.17。
[3] 方維倫教授、孫志銘、王傳蔚、蔡明翰，“CMOS MEMS微感測器之設計、製造、與整合” 產學合作暨成果發表專刊。
[4] F. Rudolf, A. Jornod, J. Bergqvist, and H. Leuthold, “Precision accelerometers with μg resolution ” ，Sensors and Actuators A, 21-23, pp 297-302, 1990.
[5] E.Peeters, S.Vergote, B.Puers, and W.Sansen, “A highly symmetrical capacitive micro-accelerometer with single degree of freedom response”, Transducers’91, San Francisco, CA, June.24~28, 1991, pp 97 -100.
[6] R. P. Feynman, “There，s Plenty of Room at the Bottom,”J. Microelectromechanical Systems 1(1), 60-66 (1992).
[7] Dr. Aaron Partridge、John McDonald，“替代石英晶體的MEMS振盪器” 。
[8] W. C. Tang, T. H. Nguyen, and R. T. Howe, IEEE Microelectro Mechanical Systems Workshop, 53 (1989).
[9] 戴慶良、高斌栩 “CMOS-MEMS 微機械式共振器”，科儀新知第二十九卷第五期 97.4。
[10] 蔡嬪嬪、曾明漢，“氣體感測器之簡介、應用及市場”，材料與社會，第68期 (1992) 50。
[11] Markus Graf, Diego Barrettino, Martin Zimmermann, Andreas Hierlemann, Henry Baltes, Simone Hahn,Nicolae Bârsan, and Udo Weimar,“CMOS Monolithic Metal–Oxide Sensor System Comprising a Microhotplateand Associated Circuitry”, IEEE SENSORS JOURNAL, VOL. 4, NO. 1, FEBRUARY(2004).
[12] 李勝利，“各類型偵測感應器簡介”。
[13] 吳朗，“感測器原理與應用”，1991年。
[14] Phillip E. Allen, Douglas R. Holberg, “CMOS analog circuit design”, pp.29-30, New York, Oxford, 1987.
[15] 賴振群，“以標準積體電路及後加工程序設計製作半導體微感測器之研究”，台灣大學應用力學研究所碩士論文，1996。
[16] 羅正忠、張鼎張譯，“半導體製程技術導論”，2003年5月。
[17] CIC CMOS-MEMS, CIC: www.cic.org.tw.
[18] 電子工程專輯，“CMOS MEMS 製程技術則代表單一元件新的里程碑”，2006年4月15日。
[19] 徐文祥，“微機電系統技術與應用”精密儀器發展中心出版，1993年7月。
[20] T. Baum, D. J. Schiffrin, “AFM study of surface finish improvement by ultrasound in the anisotropic etching of Si<100> in KOH for micromachining applications”, J. Micromech. Microeng. Number 4, pp. 338-342, (1997).
[21] W. Fang and J. A. Wickert, " Determining mean and gradienstresses in thin film using micromachined cantilevers",Journal of Micromechanics and Microengineering, vol.6, pp.301-309, 1996.
[22] 方維倫，朱懷遠，“利用矽晶片製造與整合微系統的思維與架構”。
[23] R. P. van Kampen, and R. F. Wolffenbuttel, “effects of (110)-oriented corner compensation structures on membrane quality anin (100)-silicon using aqueous KOH”, Journal of MicrMicroengineering, vol. 5, no.2, pp. 91–94, 1995.
[24] 楊啟榮，陳柏穎，“微機電製程之溼式矽微加工技術”。
[25] 鄧俊泳，馮勇健，“TMAH單晶矽蝕刻特性研究”。
[26] 劉文俊，許紹開，“微機電產品之微致動器與製程技術趨勢(一) ”，工研院IEK系統能源組，2004年10月。
[27] 謝慶堂，丁志明，楊志輝，鐘震桂，“微機電封裝技術之簡介”，工業材料雜誌193期，2003年1月。
[28] R.T. Howe, and R.S. Muller, “Polycrystalline Silicon Micromechanical Beams,” Proc. Electrochemical Society Spring Meeting, Montreal, Canada, May 1982, pp. 184-185.
[29] H.C. Nathanson, W.E. Newell, R.A. Wickstrom, and J.R. Davis, Jr., “ The Resonant Gate Transistor,” IEEE Trans. on Electorn Devices, vol. ED-14, pp.117, 1967.
[30] K.S.J. Pister, M.W. Judy, S.R. Burgett, and R.S. Fearing, “Microfabricated Hinges,”Sensors and Actuators A, vol.A33, pp.249-256, 1999.
[31] Najafi K., “Smart sensor”, Journal of Micormechanics and Micro engineerings, vo1.1,pp.86-103,1991.
[32] 蔡嬪嬪，“氣體微感測器的新動向-微機電元件產品開發” ，工業材料，第150期，pp.92-95，1999。
[33] 蔡嬪嬪，“化學微感測器-氣體微感測器” ，電子月刊，第二卷，第四期，pp.63-66，1996。
[34] Jia Z., Po L., Song Z., Feng Z., Yiping H., Pengyuan Y., Minhang B., “A novel MEMS gas sensor with effective combination of high selectivity and high selectivity”, Applications of Ferroelectrics,2002. ISAF 2002. Proceedings of the 13th IEEE International Symposium on ,28 May-1 June2002 Pages: 471-474.
[35] MEMS Resonators look to displace Quartz resonators.
[36] W. C. Tang, T. H. Nguyen, M. W. Judy and R. T. Howe,“Eelctrostatic-comb Drive of Lateral Polysilicon Resonators ”,Sensors and Actuators, A21-23, pp. 328-331, 1990.
[37] C. T. C. Nguyen and R. T. Howe, “ Quality Factor Control for Micromechanical Resonators ” , IEEE Electron Devices Meeting, pp.505-508, 1992.
[38] C.-C. Lo, Thesis, Carnegie Mellon University, 2008.
[39] J. Teva, G. Abadal, J. Verd, F. Torres, J. L. Lopez, F. Perez-Murano, and N. Barniol, “From VHF to UHF CMOS-MEMS monolithically integrated resonators”,Tech Digest, MEMS’08, Tucson, Arizona, Jan, 13-17,2008, pp. 82-85.
[40] C. T. C. Nguyen and R. T. Howe, “ Design and Performance of CMOSMicromechanical Resonator Oscillators ”, IEEE InternationalFrequency Control Symposium, pp. 127-134, 1994.
[41] C. T. C. Nguyen, “ Micromenchanical Resonators for Oscillators and
[42] Filters ”, IEEE Ultrasonics Symposium, pp. 489-499, 1995.
[43] 喻韋強，“CMOS 可調頻率微機械式共振器的設計和製作”，國立中興大學機械工程研究所論文，94.6.。
[44] Clark T.-C. H. Nguyen, “MEMS Technology for Timing and Frequency Control”, IEEE Transactionson Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control, vol. 54, no. 2, pp. 251-270, February, 2007.
[45] F. D. Bannon III, J. R. Clark, and C. T.-C. Nguyen, “High-Q HF micro-electromechanical filters” ,IEEEJournal of Solid-State Circuits, vol. 35, no. 4, pp. 512-526, April 2000.
[46] Y.-W. Lin, S. Lee, S.-S. Li, Y. Xie, Z. Ren, and C. T.-C. Nguyen, “Series-resonant VHF micromechanicalresonator reference oscillators”, IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 39, no. 12, pp. 2477-2491, Dec. 2004.
[47] S.-S. Li, Y.-W. Lin, Y. Xie, Z. Ren, and Clark T.-C. Nguyen, “Small % bandwidth design of a 431-MHznotched-coupled micromechanical hollow-disk ring mixer-filter”, Proceedings, IEEE InternationalUltrasonics Symposium, Rotterdam, the Netherlands, Sept. 18-21, 2005, pp. 1295-1298.
[48] 石文尚，方玉明，朱文俊，“平板式靜電微執行器的靜態Pull In現象”， 2010.05.30。
[49] Aaron Partridge、David Hsieh，“MEMS振盪器技術設計大要”。
[50] 台灣大學電機系，“石英晶體振盪器原理說明” ，2006.9.19。
[51] Jin-Chern Chiou、Li-Jung Shieh、Yung-Jiun Lin, “CMOS-MEMS prestress vertical cantilever resonator with electrostatic driving and piezoresistive sensing”
[52] A. Smith, J. M. Laurent, D. S. Smith and J. P. Bonnet, Thin Solid Films, 5 (1998)17-21.
[53] M. Stjernstr om, J. Roeraade, “Method for fabrication of microfluidic systems inglass”, Journal of Micromechanics and Microengineering., 8,pp.33-38 (1998).
[54] A. Han, K. W. Oh, S. Bhansali, H. T. Henderson, C. H. Ahn, “A low temperature biochemically compatible bonding technique using fluoropolymers for biochemicalmicrofluidic systems”, MEMS 2000 IEEE, pp. 414-418(2000).
[55] 賴建芳, 林裕成, “微機電系統製程之接合技術”, 機械月刊, 第二 十五卷第十一期, pp. 314-321, 民國八十八年十一月
[56] Y. C. Su, L. Lin, “Localized plastic bonding for micro assemebly, packaging and liquid encapsulation”, IEEE, pp. 50-53 (2001).
[57] R. T. Kelly, A. T. Woolley, “Thermal Bonding of Polymeric Capillary Electrophoresis Microdevices in Water”, Analytical Chemistry, 75, pp.1941-1945 (2003).
[58] Z. Chen, Y. Gao, J. Lin, R. Su, Y. Xie, “Vacuum-assisted thermal bonding of plastic capillary electrophoresis microchip imprinted with stainless steel template”, Journal of Chromatography A, pp. 239-245(2004).
[59] A. Berthold, L. Nicola, P.M. Sarro, M.J. Vellekoop, “Glass-to-glass anodic bonding with standard IC technology thin films as intermediate layers”, Sensors and Actuators A, 82, pp. 224-228 (2000).
[60] 陳瑭原，“塑膠微流體晶片低溫接合技術之研發及在塑膠微型幫浦之應用”，南台科技大學機械工程研究所碩士學位論文，九十五年六月。
[61] 林明憲，矽晶圓半導體材料技術，全華科技圖書股份有限司，pp2.62-2.74,(1999)。
[62] http://www.gequartz.com/
[63] 劉丙寅，晶圓異質接合機制探討及發展現況，機械工業雜誌269期，pp.5-20，(2005)。
[64] Q.-Y. Tong and U. Gösele, “Semiconductor Wafer Bonding: Science and Technology”, Wiley, New York, (1999).
[65] 李天錫，晶圓鍵合技術及其應用，工業材料雜誌170期，pp.146-157，(2001)。
[66] 楊啟榮博士，“IC構裝與MEMS接合技術”， 國立台灣師範大學機電科技學系。
[67] D. Sparks et al, “Wafer-to-wafer bonding of nonplanarized MEMS surfaces using solder”, J. Micromech. Microeng., 11, 630,(2001).
[68] Y. T. Cheng, L. Lin, and K. Najafi, J. Microelectromech. “Localized silicon fusion and eutectic bonding for MEMS fabrication and packaging”, J. Microelectromech. Syst., 9, 3, (2000).
[69] H. Morkoc et al,“Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies”, J. Appl. Phys., 76, 1363, (1994).
[70] G. Wallis and D.I. Pomerantz, “Field Assisted Glass-Metal Sealing”, J.Appl. Phys., Vol 40, No. 10, pp. 3946-3949, (1969).
[71] H.J.Quenzer and W.Benecke. “Low-temperature silicon wafer bonding”,Sens.Actuators,vol.A32,pp,340-344,(1992).
[72] P. D. Persans et al, “Siloxane-based polymer epoxies for optical waveguides”, in Applications of Photonic Technology 6, ed. R. Lessard and G. Lampropoulos, SPIE Vol. 5260, 331 (2003).
[73] F. Niklaus, “ Adhesive Wafer Bonding for Microelectronic andMicroelectromechanical Systems”, Ph.D. thesis, Royal Institute ofTechnology, (2002).
[74] Y. Kwon, “Wafer Bonding for 3D Integration, Ph.D. thesis”, Rensselaer Polytechnic Institute, (2003).
[75] 曾貴民，“以CMOS標準製程技術製作氣體感測器之研究”， 中原大學電子工程學系碩士論文。
[76] Sze, S. M., Semiconductor Sensor, John Wiley & Sons, New York,pp.1-15, 1994.
[77] 陳瓊方，宋文舉，“一氧化碳中毒”，中民國兒童胸腔醫學會會刊第3卷第1期民國91年3月第1-10頁。
[78] 王守芃，余榮彬，湯大同， “一氧化碳氣體監測器評估”，勞工安全衛生研究季刊，第三期，第三卷，(1995)61。
[79] K. Wark, C. F. Warner and W. T. Davis, “Air pollution：its origin and control”,Addison-Wesley Pub. CO.,Massachuesetts(1998).
[80] 許木嶺，錢新南，“一氧化碳中”，中毒國防醫學，第31卷，第3期，民國89年9月，第195-201頁。
[81] 化工技術 136 期/金屬中心 ITIS 計畫整理。
[82] J. C. Manifacier and J. Gasiot, Journal of Physics E：Scientific Instruments,9(1976)1002-1004.
[83] Theo Hahn: Proc. 1987 International Tables for Crystallography Vol.A Space-Group Symmetry, Second Editon P575.
[84] S. R. Morrison: Sensors and Technol.,2(1982)329.
[85] H. Ihokuro: Sensors and Technol., 3(1983)73.
[86] S. Sakaki, I. Doi and H.Mitsufuji：Denchisochi Kenkyukai Shiryou EDD75-50(1975).
[87] M. Egashira, T. Matsumoto and Y. Shimizu: Sensors and Actuators, 14(1988)205.
[88] H. Ogawa, M. Nishida and A. Abe: J. Appl. Phys., 53(1982) 4448.
[89] M. Ippommatsu, H. Ohnishi, H. Sasaki and T. Matsumoto: J.Appl. Phys., 69(1991)8368.
[90] Hans Pink, Ludwig Treinger and Lutz Vite, “Preparation of fast detecting SnO2 gas sensor”, Japanese Journal of Applied Physics, vo1.19, no.3, pp.513-517,3 March 1980.
[91] Ramon A.P, Webster J.G, “sensor and signal conditioning” John Wiley & Sons,2001.
[92] 李俊遠，“氣體感測器介紹”，工業材料，第124期，pp.82-84，1997。
[93] 林鴻明，曾世杰，“奈米半導體材料之特殊氣體感測性質”，工業材料，第157期，pp.163-169，2000。
[94] S.M. Sze “Semiconductor Sensors” Chap. 8P386.1994,John Wiely & Sons,Inc
[95] J. Wateson, K. Ihokura, “The tin dioxide gas sensor,” Meas. Sci. Technol., Vol. 4, pp. 711-719, 1993.
[96] 陳慧英，黃定加，朱琴億，“溶膠凝膠法在薄膜製備上之應用”，化工技術，無機薄膜之製備與應用專輯，第80期11月(1999)152。
[97] Hughes, R.C.；Boyle, T.J.；Gardner, T.J.；Binker, C.J.；Thomas, R. “Thin film porous membranes for catalytic sensors”, Solid State Sensors and Actuators, 1997. TRANSDUCERS, 97 Chicago. ,1997 International Conference on, Volume:1, 16-19 June 1997 Pages:518-584 vol.1
[98] Davis, S.R.；Wilson, A.；Wright, J.D. “Flammable gas sensors based on sol-gel materials”, Circuits, Devices and systems, IEE Proceedings [see also IEE Proceedings G-Circuits, Devices and Systems], Volume:145, Issue:5,Oct.1998 Pages:379-382.
[99] Y. Kobayashi, M. Okamoto and A. Tomita:J. Mater. Sci.,31(1996)6125.
[100] J. D. Mackenzie, “Glasses from Melts and Glasses from Gels”,J. Non-Crystalline Solids, 48 (1982) 1.
[101] J. F. Goodman and S. J. Gregg:J. Chem. Soc.,237(1960)1162.
[102] R. S. Hiratsuka, S. H. Pulcinelli and C. V. Santilli: J. Non-Crys. Solids, 121(1990)76.
[103] R. S. Hiratsuka, C. V. Santilli and D. V. Silva: J. Non-Crys. Solids, 147-148(1992)67.
[104] R. S. Hiratsuka, S. H. Pulcinelli and C. V. Santilli: J. Non-Crys. Solids, 121 (1990) 76.
[105] 范成至，”以二氧化錫為氣體感測材料之特性探討”，國立交通大學光電工程研究所碩士論文，1994
[106] Design and Application of CMOS MEMS @ CIC(下), IC DESIGN MAGAZINE, 2002