(3.239.33.139) 您好!臺灣時間:2021/03/05 18:53
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果

詳目顯示:::

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:林榮鍾
研究生(外文):Lin Lung-Chung
論文名稱:有機導電高分子/n型矽異質結構二極體之光伏特性研究
論文名稱(外文):Photovoltaic property of the conducting polymer/n-type Si diode
指導教授:林祐仲
學位類別:碩士
校院名稱:國立彰化師範大學
系所名稱:光電科技研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2011
畢業學年度:99
語文別:中文
論文頁數:99
中文關鍵詞:二極體紫外光處理有機高分子
外文關鍵詞:DiodeSiUltraviolet treatmentPolymer
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:257
  • 評分評分:系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔
  • 下載下載:84
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
本研究探討有機導電高分子/n型矽(PEDOT:PSS/n-Si)異質界面二極體之光伏特性。PEDOT:PSS/n-Si二極體在暗態下,經紫外光處理之後可使順偏下的電流密度增加,這是因為經紫外光照射處理降低PEDOT:PSS電阻所致。不過,經紫外光處理之二極體在逆偏下的電流密度–電壓特性曲線與未經紫外光處理之二極體相同,此顯示經紫外光處理並不影響元件漏電流特性。此外,根據元件電特性分析得知PEDOT:PSS/n-Si二極體主要的傳導機制是蕭特基放射,當元件於紫外光處理之前後所計算的位障高度值顯示兩者差異甚小。另一方面,PEDOT:PSS/n-Si二極體在照光下(AM 1.5G, 100 mW/cm2)所觀測的電流密度–電壓特性曲線顯示經紫外光處理比未經紫外光處理的元件具有更高的短路電流密度,這是因為紫外光處理減少元件串聯電阻所致。再者,經紫外光處理之後不影響開路電壓,因為串聯電阻不會影響太陽能電池的開路電壓。再根據電容–電壓特性觀測結果發現,經紫外光處理之後會導致減少電荷-捕捉-相關缺陷的數量,致使PEDOT:PSS的導電率增加。另外,經紫外光處理之後二極體的反射率有稍低於未經紫外光處理,此推斷二極體經紫外光處理之後能有效增加內部功率轉換效率。
In this study, photovoltaic property of the conducting polymer/n-type Si (PEDOT:PSS/n-Si) diode was examined. In the dark, it is shown that the ultraviolet (UV) treatment may lead to an increase in the current density measured at positive voltage, owing to the reduction in the resistance of PEDOT:PSS. However, the current density measured at negative voltage for PEDOT:PSS/n-Si diode with UV treatment is similar to that for PEDOT:PSS/n-Si diode without UV treatment. In addition, it is found that the dominant conduction mechanism is the Schottky emission for PEDOT:PSS/n-Si diode. The difference between the barrier heights of PEDOT:PSS/n-Si diode with and without UV treatment is negligible. Under illumination (AM 1.5G,100 mW/cm2), the electrical characteristics of the PEDOT:PSS/n-Si diode with UV treatment show the short circuit current density (JSC) is higher than the PEDOT:PSS/n-Si diode without UV treatment. This is because of the reduction in the series resistance (RS) of the PEDOT:PSS/n-Si diode. RS does not affect VOC of the solar cell, this suggest UV treatment does not affect VOC of the device. Based on the result of capacitance–voltage measurements, we suggested that UV treatment may lead to a decreased number of charge-trapping-related defects, thus increasing conductivity of PEDOT:PSS. On the other hand, the reflectance of the diode with UV treatment is slightly lower than the diode without UV treatment indicated that UV treatment has more significant contribution to the increase in internal power conversion efficiency.
目 錄
中文摘要 II
Abstract III
誌謝 IV
圖目錄 VIII
表目錄 XII
第一章 簡介 1
1.1 有機薄膜材料簡介 1
1.1.1 有機薄膜的光生電流機制 7
1.1.2 PEDOT:PSS簡介 9
1.2 金屬與半導體接觸理論 13
1.2.1 金屬與半導體界面的研究與發展歷史 13
1.2.2 蕭特基接觸 15
1.2.3 金屬與半導體接面傳輸機制 19
1.2.4 歐姆接觸 24
1.3 金屬絕緣層半導體的漏電流傳導機制簡介 28
1.4 透明導電薄膜簡介 33
1.4.1 氧化銦鈰薄膜簡介 33
1.5 太陽能電池各參數簡介 35
1.6 研究動機與目的 38
第二章 實驗理論與量測儀器 39
2.1 薄膜沉積 39
2.1.1 電子束蒸鍍法原理 39
2.1.2 直流濺鍍系統 41
2.2 電流-電壓及電容-電壓量測法 44
2.3 四點探針簡介 45
2.3.1 四點探針量測原理 45
2.3.2 片電阻 48
2.4 紫外光-可見光分光光譜儀簡介 49
2.4.1 紫外光-可見光分光光譜儀原理 49
2.4.2 紫外光-可見光分光光譜儀量測系統介紹 49
2.5 掃描式電子顯微鏡之原理 52
2.6 橢圓儀量測原理與應用 55
2.6.1 橢圓儀量測原理 55
2.6.2 橢圓儀量測應用 56
2.6.3 橢圓儀量測架設 56
第三章 實驗步驟 59
3.1 實驗流程 59
3.1.1 清洗n型矽試片 59
3.1.2 旋轉塗佈機沉積PEDOT:PSS薄膜 60
3.1.3 電子束蒸鍍機沉積氧化銦鈰薄膜 60
3.1.4 直流濺鍍機沉積銦薄膜 61
3.1.5 薄膜分析 61
第四章 實驗結果與討論 64
4.1 暗態下電流密度-電壓的特性曲線分析 64
4.2 照光下電流密度-電壓的特性曲線分析 66
4.3 電容-電壓的特性曲線分析 68
4.4 反射光譜與橢圓儀分析 70
4.5 電流密度-電壓的特性曲線模擬 73
第五章 結論 78
參考文獻 80


圖目錄
圖1.1-1、常見的四種導電高分子材料結構。 3
圖1.1-2、美國柯達公司製作之有機小分子多層異質界面OLED元件結構示意圖。 4
圖1.1-3、Alq3化學結構示意圖。 4
圖1.1-4、Diamine化學結構示意圖。 5
圖1.1-5、PPV化學結構示意圖。 5
圖1.1.1-1、單層結構能階示意圖。 8
圖1.1.1-2、不同施體和受體材料能階排列示意圖。 8
圖1.1.1-3、施體-受體型能階示意圖。 8
圖1.1.2-1、PEDOT:PSS化學結構示意圖。 10
圖1.1.2-2、PEDOT:PSS經紫外光處理之後,提高功函數示意圖。 11
圖1.1.2-3、PEDOT:PSS經紫外光處理之後,提高元件的電流密度-電壓特性曲線圖。 11
圖1.1.2-4、有機電晶體經紫外光照射處理之後,汲極電流-汲極電壓特性曲線(a)左邊為無紫外光照射處理,(b)中間照射254 nm,和(c)右邊照射365 nm。 12
圖1.2.2-1、金屬功函數大於n型半導體功函數接觸前能帶示意圖。 17
圖1.2.2-2、金屬功函數大於n型半導體功函數接觸後能帶示意圖。 17
圖1.2.2-3、金屬功函數小於p型半導體功函數接觸前能帶示意圖。 18
圖1.2.2-4、金屬功函數小於p型半導體功函數接觸後能帶示意圖。 18
圖1.2.3-1、金屬與半導體載子傳輸以(a)熱游子放射,(b)熱游子場放射,和(c)場放射機制示意圖。 23
圖1.2.4-1、金屬功函數小於n型半導體功函數接觸前能帶示意圖。 25
圖1.2.4-2、金屬功函數小於n型半導體功函數接觸後能帶示意圖。 25
圖1.2.4-3、金屬功函數大於p型半導體功函數接觸前能帶示意圖。 26
圖1.2.4-4、金屬功函數大於p型半導體功函數接觸後能帶示意圖。 26
圖1.2.4-5、金屬與半導體特徵接觸電阻示意圖。 27
圖1.3-1、蕭特基放射理論於MIS結構示意圖。 32
圖1.3-2、普爾-法蘭克理論於MIS結構示意圖。 32
圖1.5-1、太陽能電池元件的等效電路圖。 37
圖1.5-2、電流-電壓特性曲線的各參數關係圖。 37
圖2.1.1-1、真空蒸鍍示意圖。 40
圖2.1.1-2、電子束蒸鍍靶材示意圖。 41
圖2.1.2-1、直流濺鍍系統示意圖。 43
圖2.1.2-2、濺射過程示意圖。 43
圖2.2-1、電流-電壓量測機台(型號是Keithley Model-4200-SCS/F)。 44
圖2.3.1-1、兩點探針硬體結構示意圖。 47
圖2.3.1-2、四點探針硬體結構示意圖。 47
圖2.4.2-1、紫外光-可見光分光光譜儀量測硬體結構示意圖。 51
圖2.5-1、掃描式電子顯微鏡構造示意圖。 54
圖2.6.2-1、偏振光束在界面或薄膜上反射或穿透時出現的偏振轉換。 58
圖3.1-1、實驗流程圖。 59
圖3.1.3-1、ICO薄膜在波長為380~760 nm的穿透率光譜。 63
圖3.1.4-1、元件結構示意圖。 63
圖4.1-1、暗態下PEDOT:PSS/n-Si二極體的J-V特性曲線圖(a)紫外光處理之前,(b)經紫外光處理之後,和(c)為擬合曲線。 65
圖4.1-2、ICO/PEDOT:PSS/n-Si結構能帶示意圖。 65
圖4.2-1、照光下PEDOT:PSS/n-Si二極體的J-V特性曲線圖(a)紫外光處理之前和(b)經紫外光處理之後。 67
圖4.3-1、PEDOT:PSS/n-Si二極體在1 MHz的C-V特性曲線圖,紫外光處理之前(a)暗態和(b)照光下;經紫外光處理之後(c)暗態和(d)照光下。 69
圖4.3-2、MIS結構Pt-SiO2-GaN二極體在10 KHz的C-V特性曲線圖。 69
圖4.4-1、ICO/PEDOT:PSS/n-Si的反射率圖(a)紫外光處理之前和(b)經紫外光處理之後。 71
圖4.4-2、ICO/n-Si的折射率圖(a)紫外光處理之前和(b)經紫外光處理之後。 72
圖4.4-3、ICO/PEDOT:PSS/n-Si的折射率圖(a)紫外光處理之前和(b)經紫外光處理之後。 72
圖4.5-1、(a)紫外光處理之前和(b)經紫外光處理之後,暗態下的J-V與擬合J-V特性曲線圖。 74
圖4.5-2、(a)紫外光處理之前和(b)經紫外光處理之後,照光下的J-V與擬合J-V特性曲線圖。 75
圖4.5-3、經紫外光處理之後,照光下(a)J-V特性曲線,(b)擬合J-V特性曲線,和(c)n=1的擬合J-V特性曲線。 76
圖4.5-4、(a)A1/CHR/ITO元件和(b)In/CHR/ITO元件,照光下的J-V特性曲線。 77
圖4.5-5、Al/CuPc/ITO太陽能電池(a)暗態下和(b)照光下的J-V特性曲線。 77


表目錄
表1.1-1、小分子與高分子材料比較表。 6
表1.1.2-1、PEDOT:PSS型號為483095的特性表。 12
表4.2-1、PEDOT:PSS/n-Si經紫外光處理之前後比較表。 67
表4.5-1、經紫外光處理之前後,暗態及照光J-V特性曲線的擬合參數彙整。 76
表4.5-2、經紫外光處理之後,照光下J-V特性曲線與n=1的擬合參數彙整。 76


[1] W. D. Gill, “Drift mobilities in amorphous charge‐transfer complexes of trinitrofluorenone and poly‐n‐vinylcarbazole,” J. Appl. Phys. 43, 5033 (1972).
[2] 陳金鑫和黃孝文, “有機電激發光半導體與元件,” (五南, 臺北, 2005)。
[3] W. Brutting, “Physics of Organic Semiconductors,” (Wiley-VCH, Berlin, 2005).
[4] 陳俊宏, “生活科技教育月刊二○○四年三十七卷第三期,” (國立高雄師範大學工業科技教育學系, 高雄, 2004)。
[5] S. Günes, H. Neugebauer, and N. S. Sariciftci, “Conjugated polymer-based organic solar cells,” Chem. Rev. 107, 1324 (2007).
[6] C. K. Chiang, C. R. Fincher, Jr., Y. W. Park, A. J. Heeger, H. Shirakawa, E. J. Louis, S. C. Gau, and A. G. MacDiarmid, “Electrical Conductivity in Doped Polyacetylene,” Phys. Rev. Lett. 39, 1098 (1977).
[7] C. W. Tang and S. A. Vanslyke, “Organic electroluminescent diodes,” Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987).
[8] C. W. Tang, S. A. Vanslyke, and C. H. Chen, “Electroluminescence of doped organic thin films,” J. Appl. Phys. 65, 3610 (1989).
[9] J. H. Burroughes, D. D. C. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P. L. Burns, and A. B. Holmes, “Light-emitting diodes based on conjugated polymers,” Nature 347, 539 (1990).
[10] M. Pope, H. P. Kallmann, and P. M Agnante, “Electroluminescence in Organic Crystals,” J. Chem. Phys. 38, 2042 (1963).
[11] P. Peumans, A. Yakimov, and S. R. Forrest, “Small molecular weight organic thin-film photodetectors and solar cells” J. Appl. Phys. 93, 7 (2003).
[12] E. Vitoratos, S. Sakkopoulos, E. Dalas, N. Paliatsas, D. Karageorgopoulos, F. Petraki, S. Kennou, and S. A. Choulis, “Thermal degradation mechanisms of PEDOT:PSS,” Org. Electron. 10, 61 (2009).
[13] N. Koch, A. Vollmer, and A. Elschner, “Influence of water on the work function of conducting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) /poly (styrenesulfonate),” Appl. Phys. Lett. 90, 043512 (2007).
[14] H. K. Lee, J. K. Kim, and O. Ok Park, “Effects of UV light-irradiated buffer layer on the performance of polymer solar cells,” Org. Electron. 10, 1641 (2009).
[15] A. Benor, S. Takizawa, P. Chen, C. P. Bolívar, and P. Anzenbacher, “Dramatic efficiency improvement in phosphorescent organic light- emitting diodes with ultraviolet-ozone treated poly(3,4- ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate),” Appl. Phys. Lett. 94, 193301 (2009).
[16] J. M. Choi, D. K. Hwang, J. M. Hwang, J. H. Kim, and S. Im, “Ultraviolet-enhanced device properties in pentacene-based thin-film transistors,” Appl. Phys. Lett. 90, 113515 (2007).
[17] 李嗣涔, 管傑雄, 和孫台平, “半導體元件物理,” (三民, 臺北, 2005).
[18] W. Schottky, “Halbleitertheorie der Sperrschicht,” Naturwiss. 26, 843 (1938).
[19] N. F. Mott, “Note on the contact between a metal and an insulator or semi-conductor,” (Cambridge Univ. Press, Cambridge, 1938).
[20] M. Shur, “Physics of Semiconductor Devices,” (Prentice Hall, Britain, 1990).
[21] H. Morkoc, “Nitride Semiconductors and Devices,” (Springer, Berlin, 1999).
[22] D. A. Neamen, “Semiconductor Physics and Devices 3rd Ed.,” (McGraw Hill, New York, 2002).
[23] F. A. Padovani and R. Stratton, “Field and thermionic-field emission in Schottky barriers,” Solid-State Electron. 9, 695 (1966).
[24] A. Y. C. Yu, “Electron tunneling and contact resistance of metal-silicon contact barriers,” Solid-State Electron. 13, 239 (1970).
[25] N. Koshizaki, H. Umehara, T. Sasaki, U. Pal, and T. Oyama, “Nanostructure and photoluminescence property of Si/MgO and Si/ZnO co-sputtered films,” Nanostruct. Mater. 12, 975 (1999).
[26] D. Franta and I. Ohlidal, “Optical characterization of inhomogeneous thin films of ZrO2 by spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry,” Surf. Interface Anal. 30, 574 (2000).
[27] L. Yan, C. M. Lopez, R. P. Shrestha, and E. A. Irene, “Magnesium oxide as a candidate high-κ gate dielectric,” Appl. Phys. Lett. 88, 142901 (2006).
[28] B. E. Gnade, S. R. Summerfelt, D. Crenshaw, O. Auciello, and R. Waser, “Defects in High-κ gate dielectric,” (Kluwer Ademic Publisher, New York, 1995).
[29] A. J. Moulson and J. M. Herbet, “Electroceramics,” (Chapman & Hall, New York, 1990).
[30] L. L. Hencb and J. K. West, “Understanding Solids,” (John Wiley & Sons, New York, 1990).
[31] M. W. Barsoum, “Fundamentals of Ceramics,” (McGraw-Hill, New York, 1997).
[32] W. D. Kingery, H. K. Bowen, and D. R. Uhlmann, “Kinetics of High-Temperature Process,” (John Wiley & Sons, New York, 1991).
[33] 吳朗, “電子陶瓷(介電),” (全欣,臺北,1994)。
[34] M. Ohring, “Materials Science of thin Films,” (Academic Press, New York, 1992).
[35] 李雅明, “固態電子學,” (全華,臺北,1995)。
[36] C. A. Mead, “Erratum: Transport of hot electrons in thin gold films,” Phys. Rev. 9, 46 (1962).
[37] M. A. Lampert, “Simplified theory of space-charge-limited currents in an insulator with traps,” Phys. Rev. 103, 1648 (1956).
[38] C. A. Mead, “Electron transport mechanisms in thin insulating films,” Phys. Rev. 128, 2088 (1962).
[39] J. G. Simmons, “Potential barriers and emission-limited current flow between closely spaced parallel metal electrodes,” J. Appl. Phys. 35, 2472 (1964).
[40] K. L. Chopra, “Avalanche-induced negative resistance in thin oxide films,” J. Appl. Phys. 36, 184 (1965).
[41] S. M. Sze, “Current transport and maximum dielectric strength of silicon nitride films,” J. Appl. Phys. 38, 2951 (1967).
[42] J. G. Simmons, “Poole-Frenkel effect and Schottky effect in metal-insulator-metal systems,” Phys. Rev. 155, 657 (1967).
[43] S. M. Hu, D. R. Kerr, and L. V. Gregor, “Evidence of hole injection and trapping in silicon nitride films prepared by reactive sputtering,” Appl. Phys. Lett. 10, 97 (1967).
[44] S. Z. Weng, W. S. Hu, C. H. Kuo, Y. T. Tao, L. J. Fan, and Y. W. Yang, “Anisotropic field-effect mobility of pentacene thin-film transistor: Effect of rubbed self-assembled monolayer,” Appl. Phys. Lett. 89, 172103 (2006).
[45] 陳儒賢, “不同介電材料之表面能對pentacene複晶薄膜所產生之應力的研究,” (國立成功大學光電科學與工程研究所碩士論文, 臺南, 2006)。
[46] 朱建安, “氧化銦鈰之電子束成膜技術研究及其於有機薄膜電晶體應用探討,” (國立彰化師範大學光電科技研究所碩士論文, 彰化, 2010)。
[47] 黃惠良, 蕭錫鍊, 周明奇, 林堅楊, 江雨龍, 曾百亨, 李威儀, 李世昌, 和林唯芳, “太陽電池Solar Cells,” (五南, 臺北, 2008)。
[48] M. C. Arenas, N. Mendoza, H. Cortina, M. E. Nicho, and H. Hu, “Influence of poly3-octylthiophene (P3OT) film thickness and preparation method on photovoltaic performance of hybrid ITO/CdS/P3OT/Au solar cells,” Sol. Energy Mater. Sol. Cells 94, 29 (2010).
[49] F. Khan, S. N. Singh, and M. Husain, “Effect of illumination intensity on cell parameters of a silicon solar cell” Sol. Energy Mater. Sol. Cells 94, 1473 (2010)
[50] C. J. Ko, Y. K. Lin, F. C. Chen, and C. W. Chu, “Modified buffer layers for polymer photovoltaic devices,” Appl. Phys. Lett. 90, 063509 (2007).
[51] H. W. Tsai, Z. Pei, and Y. J. Chan, “A conductor/insulator/conductor complex layer at anode for current enhancement in a polymer solar cell,” Appl. Phys. Lett. 93, 073310 (2008).
[52] M. M. de Kok, M. Buechel, S. I. E. Vulto, P. van de Weijer, E. A. Meulenkamp, S. H. P. M. de Winter, A. J. G. Mank, H. J. M. Vorstenbosch, C. H. L. Weijtens, and V. van Elsbergen, “Modification of PEDOT:PSS as hole injection layer in polymer LEDs,” Phys. Stat. Sol. A 201, 1342 (2004).
[53] H. J. Snaith, H. Kenrick, M. Chiesa, and R. H. Friend, “Morphological and electronic consequences of modifications to the polymer anode ‘PEDOT:PSS’,” Polymer 46, 2573 (2005).
[54] M. P. de Jong, L. J. van Ijzendoorn, and M. J. A. de Voight, “Stability of the interface between indium-tin-oxide and poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/ poly (styrenesulfonate) in polymer light-emitting diodes,” Appl. Phys. Lett. 77, 2255 (2000).
[55] W. H. Kim, A. J. Mäkinen, N. Nikolov, R. Shashidhar, H. Kim, and Z. H. Kafafi, “Molecular organic light-emitting diodes using highly conducting polymers as anodes,” Appl. Phys. Lett. 80, 3844 (2002).
[56] A. Moliton and J. M. Nunzi, “How to model the behaviour of organic photovoltaic cells,” Polym. Int. 55, 583 (2006).
[57] J. M. Nunzi, “Organic photovoltaic materials and devices,” C. R. Phys. 3, 523 (2002).
[58] Y. J. Lin, F. M. Yan, C. Y. Huang, W. Y. Chou, J. Chang, and Y. C. Lien, “Increasing the work function of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) doped with poly (4-styrenesulfonate) by ultraviolet irradiation,” Appl. Phys. Lett. 91, 092127 (2007).
[59] A. Moujoud, S. H. Oh, K. Y. Heo, K. W. Lee, and H. J. Kim, “Indium zinc oxide ohmic contact to poly(3,4-ethylenedioxythiophene) : poly (styrenesulfonate) induced by UV light,” Org. Electron. 10, 785 (2009).
[60] D. k. Schroder, “Semiconductor material and device characterization,” (John Wiley & Sons, New York, 2006)
[61] 汪建民, “材料分析,” (中國材料科學學會, 新竹, 1998)。
[62] D. Zhang, Y. He, and C. Z. Wang, “Structure and optical properties of nanostructured zinc oxide films with different growth temperatures,” Opt. Lett. 42, 556 (2010).
[63] Y. J. Lin, B. C. Huang, Y. C. Lien, C. T. Lee, C. L. Tsai, and H. C. Chang, “Capacitance– voltage and current–voltage characteristics of Au Schottky contact on n-type Si with the conducting polymer,” J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 165104 (2009).
[64] K. Y. Cheong, J. H. Moon, H. J. Kim, W. Bahng, and N. K. Kim, “Current conduction mechanisms in atomic-layer-deposited HfO2/nitrided SiO2 stacked gate on 4H silicon carbide,” J. Appl. Phys. 103, 084113 (2008).
[65] Y. P. Gong, A. D. Li, X. Qian, C. Zhao, and D. Wu, “Interfacial structure and electrical properties of ultrathin HfO2 dielectric films on Si substrates by surface sol–gel method,” J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 015405 (2009).
[66] R. P. Ortiz, A. Facchetti, and T. J. Marks, “High-k organic, inorganic, and hybrid dielectrics for low-voltage organic field-effect transistors,” Chem. Rev. 110, 205 (2010).
[67] D. J. Pinner, R. H. Friend, and N. Tessler, “Transient electroluminescence of polymer light emitting diodes using electrical pulses,” J. Appl. Phys. 86, 5116 (1999).
[68] C. K. Yang, C. M. Yang, H. H. Liao, S. F. Horng, and H. F. Meng, “Current injection and transport in polyfluorene,” Appl. Phys. Lett. 91, 093504 (2007).
[69] Y. Irokawa, “Hydrogen-induced change in the electrical properties of metal-insulator-semiconductor Pt–GaN diodes” J. Appl. Phys. 108, 094501 (2010).
[70] Y. J. Lin, “Hysteresis-type current–voltage characteristics of indium tin oxide/ poly (3,4-ethylenedioxythiophene) doped with poly (4-styrenesulfonate)/indium tin oxide devices,” J. Appl. Phys. 103, 063702 (2008).
[71] E. H. Nicollian and J. R. Brews, “MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology,” (John Wiley & Sons, New York, 1991).
[72] G. D. Sharma, S. K. Gupta, and M. S. Roy, “Electrical and Photoelectrical properties of chromotrope 2R thin film devices, using different electrodes,” J. Phys. Chem. Solids 58, 195 (1997).
[73] G. D. Sharma, “Electrical and photoelectrical properties of Schottky barrier devices using the chloro aluminium phthalocyanines,” Synth. Met. 74, 227 (1995).
[74] J. Kyokanea, R. Aoyagia, and K. Yoshinob, “Application to electronic devices using organic thin films by ion-beam-evaporation method,” Synth. Met. 85, 1393 (1997).

連結至畢業學校之論文網頁點我開啟連結
註: 此連結為研究生畢業學校所提供,不一定有電子全文可供下載,若連結有誤,請點選上方之〝勘誤回報〞功能,我們會盡快修正,謝謝!
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
無相關期刊
 
系統版面圖檔 系統版面圖檔