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研究生:呂元評
研究生(外文):Lyu, Yuan-Ping
論文名稱:複合鈣鈦礦介電薄膜高頻特性之研究
論文名稱(外文):Study of High Frequency Characteristics of Complex Perovskite Dielectric Thin Films
指導教授:董心漢
指導教授(外文):Tung, Hsin-Han
口試委員:陳逸謙曾靜芳許正興董心漢
口試委員(外文):Chen, Yih-ChienTseng, Ching-FangHsu, Cheng-HsingTung, Hsin-Han
口試日期:100/7/20
學位類別:碩士
校院名稱:國立聯合大學
系所名稱:電機工程學系碩士班
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2011
畢業學年度:99
語文別:中文
論文頁數:211
中文關鍵詞:ZnO-doped Nd(Co1/2Ti1/2)O3射頻磁控濺鍍法介電薄膜
外文關鍵詞:ZnO-doped Nd(Co1/2Ti1/2)O3rf magnetron sputteringdielectric thin films
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本實驗以射頻磁控濺鍍法於矽基板(100)上製備ZnO-doped Nd(Co1/2Ti1/2)O3薄膜。以5 mTor固定工作壓力下,分別以射頻功率250W、350W、基板溫度100℃、200℃以及300℃、Ar/O2=10/0、9/1以及8/2氣氛下進行濺鍍薄膜10分鐘,並進行700℃、800℃不同溫度退火條件。ZnO-doped Nd(Co1/2Ti1/2)O3薄膜之試片將透過XRD、SEM、AFM分析薄膜結晶組成構造以及薄膜微結構,並以ESCA、AES、SIMS分析薄膜之元素。以Metal Insulator Metal(MIM)電容結構(Pt/ZnO-doped Nd(Co1/2Ti1/2)O3/Pt/Si)使用HP4155半導體量測儀與HP4192阻抗分析儀進行低頻下介電特性(C-V、I-V)分析,高頻則利用40A-GSG-100探針及HP8510網路分析儀進行高頻下介電特性(C-V、I-V)分析。
ZnO-doped Nd(Co1/2Ti1/2)O3 were desposited on Si (100) substrate by rf magnetron sputtering in this study. Effects of physical properties and electrical of ZnO-doped Nd(Co1/2Ti1/2)O3 thin films with fixed working pressures 5mTorr and different rf powers 250W~350W, substrate temperatures 100 oC~300 oC, argon-oxygen ratios (Ar/O2) 10/0, 9/1, 8/2 and annealing temperatures 700 oC~800 oC in air to deposite for 10 mins. The microstructre and surface morphology analyzed by X-ray diffraction, scanning electron microscopy and atomic force microscope and the compositional of thin films analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy, Auger electron spectroscopy and secondary ion mass spectrometry. The electrical properties of measurements capacitance-voltage (C–V) and current-voltage (I–V) were measured with the MIM capacitors structure (Pt/ZnO-doped Nd(Co1/2Ti1/2)O3/Pt/Si) by using a HP4192 Impedance Analyzer and a HP4155 Parameter Analyzer in low frequency and HP8510 Network Analyzer in high frequency.
目錄
致謝 I
中文摘要 II
ABSTRACT IIII
目錄 IV
表目錄 VII
圖目錄 VIII
第一章緒論 1
1-1 研究背景與目的 1
第二章 理論 3
2-1 複合鈣鈦礦介電材料 3
2-2 電漿理論 4
2-3 濺鍍 7
2-3-1直流濺鍍 8
2-3-2射頻濺鍍 9
2-4 薄膜沉積理論 12
2-5介電特性 15
2-5-1極化與介電常數 15
2-5-2介電損失 18
2-5-3漏電流機制 19
2-5-4高頻量測模型 22
第三章 實驗方法與流程 27
3-1 ZnO-doped Nd(Co1/2Ti1/2)O3薄膜製作 28
3-1-1靶材製作 28
3-1-2基板清洗 29
3-1-3薄膜濺鍍與薄膜熱處理 30
3-2薄膜特性量測 31
3-2-1薄膜物理特性 31
3-2-2低頻量測分析 34
3-2-3高頻量測分析 34



第四章 實驗結果與討論 35
4-1 ZnO-doped Nd(Co1/2Ti1/2)O3未退火薄膜分析 35
4-1-1未退火之ZnO-doped Nd(Co1/2Ti1/2)O3薄膜X光繞射分析 35
4-1-2未退火之ZnO-doped Nd(Co1/2Ti1/2)O3薄膜化學鍵結分析 36
4-1-2-1薄膜XPS化學鍵結分析 36
4-1-2-2薄膜縱深成份分析 37
4-2 退火700℃之ZnO-doped Nd(Co1/2Ti1/2)O3薄膜物理特性 38
4-2-1退火700℃之薄膜X光繞射分析 38
4-2-2退火700℃之薄膜表面形貌結構分析 48
4-2-2-1退火700℃之薄膜沈積速率分析 63
4-2-2-2退火700℃之薄膜元素組成分析分析 71
4-2-3退火700℃之薄膜表面粗糙度分析 74
4-3 退火700℃之ZnO-doped Nd(Co1/2Ti1/2)O3低頻電性分析 89
4-3-1退火700℃之薄膜低頻漏電流分析 89
4-3-2退火700℃之薄膜低頻介電常數與介電損分析 97
4-5 退火800℃之ZnO-doped Nd(Co1/2Ti1/2)O3薄膜物理特性 99
4-5-1退火800℃之薄膜X光繞射分析 99
4-5-2退火800℃之薄膜表面形貌結構分析 108
4-5-3退火800℃之薄膜表面粗糙度分析 123
4-6 退火800℃之ZnO-doped Nd(Co1/2Ti1/2)O3低頻電性分析 138
4-6-1退火800℃之薄膜低頻漏電流分析 138
4-6-2退火800℃之薄膜低頻介電常數與介電損分析 146
第五章結論 148
參考文獻 153







表目錄
表3-1 實驗所使用之藥品 28
表3-2 XRD繞射分析儀型號與操作參數 32
表4-1退火700℃,射頻功率250W,不同參數下之繞射峰值強度比例 71
表4-2退火700℃,射頻功率350W,不同參數下之繞射峰值強度比例 71
表4-3射頻功率350W、Ar/O2 =10/0之ESD元素組成分析 71
表4-4射頻功率350W、Ar/O2 =9/1之ESD元素組成分析 72
表4-5射頻功率350W、Ar/O2 =8/2之ESD元素組成分析 72
表4-6射頻功率250W、基板溫度300℃,二次相結晶之EDS元素組成分析 73
表4-7射頻功率350W、基板溫度300℃,二次相結晶之EDS元素組成分析 73
表4-8退火700℃後,射頻功率250W下之薄膜介電常數 98
表4-9退火700℃後,射頻功率350W下之薄膜介電常數 98
表4-10退火700℃後,射頻功率250W下之薄膜介電損失 98
表4-11退火700℃後,射頻功率350W下之薄膜介電損失 98
表4-12退火800℃,射頻功率250W,不同參數下之繞射峰值強度比例 71
表4-13退火800℃,射頻功率350W,不同參數下之繞射峰值強度比例 71
表4-14退火800℃後,射頻功率250W下之薄膜介電常數 147
表4-15退火800℃後,射頻功率350W下之薄膜介電常數 147
表4-16退火800℃後,射頻功率250W下之薄膜介電損失 147
表4-17退火800℃後,射頻功率350W下之薄膜介電損失 147






圖目錄
圖2-1低壓真空放電管示意圖... 6
圖2-2濺鍍粒子與靶材交互作用示意圖 10
圖2-3氬氣對不同元素之濺射率 10
圖2-4常見射頻濺鍍系統 11
圖2-5阻抗匹配網 11
圖2-6薄膜成長機制示意圖 12
圖2-7 SZM(Suptter-Zone Model)模型示意圖 14
圖2-8四種極化與介電損失對頻率之關係圖 17
圖2-9四種極化機制示意圖 17
圖2-10實際電容相變化關係圖 18
圖2-11能障限制傳導機制示意圖 21
圖2-12本體限制傳導機制示意圖 21
圖2-13以CPW微小化探針量測示意圖 25
圖2-14上電極圖形示意圖 25
圖2-15電性結構等效電路圖 25
圖2-16寄生電阻與頻率之相關圖 26
圖3-1實驗流程圖 27
圖3-2以固態反應法製作靶材之流程 28
圖4-1不同基板溫度、射頻功率、固定氣氛Ar/O2 = 10/0、,未退火條件下之薄膜X光繞射分析圖 36
圖4-2射頻功率350W、Ar/O2 = 10/0、基板溫度200℃,未退火之薄膜X光光電子全能譜分析圖 37
圖4-3射頻功率350W、Ar/O2 = 10/0、基板溫度200℃,未退火之薄膜縱深成份分析圖 38

圖4-4退火700℃、射頻功率250W、Ar/O2 =10/0,在不同基板溫度下之薄膜X光繞射分析圖 40
圖4-5退火700℃、射頻功率250W、Ar/O2 =9/1,在不同基板溫度下之薄膜X光繞射分析圖 40
圖4-6退火700℃、射頻功率250W、Ar/O2 =8/2,在不同基板溫度下之薄膜X光繞射分析圖 41
圖4-7退火700℃、射頻功率350W、Ar/O2 =10/0,在不同基板溫度下之薄膜X光繞射分析圖 41
圖4-8退火700℃、射頻功率350W、Ar/O2 =9/1,在不同基板溫度下之薄膜X光繞射分析圖 42
圖4-9退火700℃、射頻功率350W、Ar/O2 =8/2,在不同基板溫度下之薄膜X光繞射分析圖 42
圖4-10 Co3O4之JCPDs Card粉末繞射分析檔 43
圖4-11退火700℃、射頻功率250W、基板溫度100℃,在不同氣氛下之薄膜X光繞射分析圖 45
圖4-12退火700℃、射頻功率250W、基板溫度200℃,在不同氣氛下之薄膜X光繞射分析圖 45
圖4-13退火700℃、射頻功率250W、基板溫度300℃,在不同氣氛下之薄膜X光繞射分析圖 46
圖4-14退火700℃、射頻功率350W、基板溫度100℃,在不同氣氛下之薄膜X光繞射分析圖 46
圖4-15退火700℃、射頻功率350W、基板溫度200℃,在不同氣氛下之薄膜X光繞射分析圖 47
圖4-16退火700℃、射頻功率350W、基板溫度300℃,在不同氣氛下之薄膜X光繞射分析圖 47
圖4-17退火700℃、射頻功率250W、Ar/O2 =10/0、不同基板溫度之SEM圖 50
圖4-18退火700℃、射頻功率250W、Ar/O2 =9/1、不同基板溫度之SEM圖 51
圖4-19退火700℃、射頻功率250W、Ar/O2 =8/2、不同基板溫度之SEM圖 52
圖4-20退火700℃、射頻功率350W、Ar/O2 =10/0、不同基板溫度之SEM圖 53
圖4-21退火700℃、射頻功率350W、Ar/O2 =9/1、不同基板溫度之SEM圖 54
圖4-22退火700℃、射頻功率350W、Ar/O2 =8/2、不同基板溫度之SEM圖 55
圖4-23退火700℃、射頻功率250W、基板溫度100℃、不同氣氛下之SEM圖 57
圖4-24退火700℃、射頻功率250W、基板溫度200℃、不同氣氛下之SEM圖 58
圖4-25退火700℃、射頻功率250W、基板溫度300℃、不同氣氛下之SEM圖 59
圖4-26退火700℃、射頻功率350W、基板溫度100℃、不同氣氛下之SEM圖 60
圖4-27退火700℃、射頻功率350W、基板溫度200℃、不同氣氛下之SEM圖 61
圖4-28退火700℃、射頻功率350W、基板溫度300℃、不同氣氛下之SEM圖 62
圖4-29退火700℃、Ar/O2 =10/0、射頻功率250W、同基板溫度之SEM剖面圖 65
圖4-30退火700℃、Ar/O2 =9/1、射頻功率250W、不同基板溫度之SEM剖面圖 66
圖4-31退火700℃、Ar/O2 =8/2、射頻功率250W、不同基板溫度之SEM剖面圖 67
圖4-32退火700℃、Ar/O2 =10/0、射頻功率350W、不同基板溫度之SEM剖面圖 68
圖4-33退火700℃、Ar/O2 =9/1、射頻功率350W、不同基板溫度之SEM剖面圖 69
圖4-34退火700℃、Ar/O2 =8/2、射頻功率350W、不同基板溫度之SEM剖面圖 70
圖4-35退火700℃、Ar/O2 =10/0、射頻功率250W、不同基板溫度AFM分析圖 76
圖4-36退火700℃、Ar/O2 =9/1、射頻功率250W、不同基板溫度AFM分析圖 77
圖4-37退火700℃、Ar/O2 =8/2、射頻功率250W、不同基板溫度AFM分析圖 78
圖4-38退火700℃、Ar/O2 =10/0、射頻功率350W、不同基板溫度AFM分析圖 79
圖4-39退火700℃、Ar/O2 =9/1、射頻功率350W、不同基板溫度AFM分析圖 80
圖4-40退火700℃、Ar/O2 =8/2、射頻功率350W、不同基板溫度AFM分析圖 81
圖4-41退火700℃、射頻功率250W、基板溫度100℃、不同氣氛之AFM分析圖 83
圖4-42退火700℃、射頻功率250W、基板溫度200℃、不同氣氛之AFM分析圖 84
圖4-43退火700℃、射頻功率250W、基板溫度300℃、不同氣氛之AFM分析圖 85
圖4-44退火700℃、射頻功率350W、基板溫度100℃、不同氣氛之AFM分析圖 86
圖4-45退火700℃、射頻功率350W、基板溫度200℃、不同氣氛之AFM分析圖 87
圖4-46退火700℃、射頻功率350W、基板溫度300℃、不同氣氛之AFM分析圖 88
圖4-47退火700℃、射頻功率250W、Ar/O2=10/0、不同基板溫度下之漏電流機制分析圖 91
圖4-48退火700℃、射頻功率250W、Ar/O2=9/1、不同基板溫度下之漏電流機制分析圖 92
圖4-49退火700℃、射頻功率250W、Ar/O2=8/2、不同基板溫度下之漏電流機制分析圖 93
圖4-50退火700℃、射頻功率350W、Ar/O2=10/0、不同基板溫度下之漏電流機制分析圖 94
圖4-51退火700℃、射頻功率350W、Ar/O2=9/1、不同基板溫度下之漏電流機制分析圖 95
圖4-52退火700℃、射頻功率350W、Ar/O2=8/2、不同基板溫度下之漏電流機制分析圖 96
圖4-53退火800℃、射頻功率250W、Ar/O2 =10/0,不同基板溫度下之薄膜X光繞射分析圖 101
圖4-54退火800℃、射頻功率250W、Ar/O2 =9/1,不同基板溫度下之薄膜X光繞射分析圖 101
圖4-55退火800℃、射頻功率250W、Ar/O2 =8/2,不同基板溫度下之薄膜X光繞射分析圖 102
圖4-56退火800℃、射頻功率350W、Ar/O2 =10/0,不同基板溫度下之薄膜X光繞射分析圖 102
圖4-57退火800℃、射頻功率350W、Ar/O2 =9/1,不同基板溫度下之薄膜X光繞射分析圖 103

圖4-58退火800℃、射頻功率350W、Ar/O2 =8/2,不同基板溫度下之薄膜X光繞射分析圖 103
圖4-59退火800℃、射頻功率250W、基板溫度100℃,不同氣氛下之薄膜X光繞射分析圖 105
圖4-60退火800℃、射頻功率250W、基板溫度200℃,不同氣氛下之薄膜X光繞射分析圖 105
圖4-61退火800℃、射頻功率250W、基板溫度300℃,不同氣氛下之薄膜X光繞射分析圖 106
圖4-62退火800℃、射頻功率350W、基板溫度100℃,不同氣氛下之薄膜X光繞射分析圖 106
圖4-63退火800℃、射頻功率350W、基板溫度200℃,不同氣氛下之薄膜X光繞射分析圖 107
圖4-64退火800℃、射頻功率350W、基板溫度300℃,在不同氣氛下之薄膜X光繞射分析圖 107
圖4-65退火800℃、射頻功率250W、Ar/O2 =10/0、不同基板溫度之SEM圖 110
圖4-66退火800℃、射頻功率250W、Ar/O2 =9/1、不同基板溫度之SEM圖 111
圖4-67退火800℃、射頻功率250W、Ar/O2 =8/2、不同基板溫度之SEM圖 112
圖4-68退火800℃、射頻功率350W、Ar/O2 =10/0、不同基板溫度之SEM圖 113
圖4-69退火800℃、射頻功率350W、Ar/O2 =9/1、不同基板溫度之SEM圖 114
圖4-70退火800℃、射頻功率350W、Ar/O2 =8/2、不同基板溫度之SEM圖 115
圖4-71退火800℃、射頻功率250W、基板溫度100℃、不同氣氛下之SEM圖 117
圖4-72退火800℃、射頻功率250W、基板溫度200℃、不同氣氛下之SEM圖 118
圖4-73退火800℃、射頻功率250W、基板溫度300℃、不同氣氛下之SEM圖 119
圖4-74退火800℃、射頻功率350W、基板溫度100℃、不同氣氛下之SEM圖 120
圖4-75退火800℃、射頻功率350W、基板溫度200℃、不同氣氛下之SEM圖 121
圖4-76退火800℃、射頻功率350W、基板溫度300℃、不同氣氛下之SEM圖 122
圖4-77退火800℃、Ar/O2 =10/0、射頻功率250W、不同基板溫度AFM分析圖 124
圖4-78退火800℃、Ar/O2 =9/1、射頻功率250W、不同基板溫度AFM分析圖 125
圖4-79退火800℃、Ar/O2 =8/2、射頻功率250W、不同基板溫度AFM分析圖 126
圖4-80退火800℃、Ar/O2 =10/0、射頻功率350W、不同基板溫度AFM分析圖 127
圖4-81退火800℃、Ar/O2 =9/1、射頻功率350W、不同基板溫度AFM分析圖 128
圖4-82退火800℃、Ar/O2 =8/2、射頻功率350W、不同基板溫度AFM分析圖 129
圖4-83退火800℃、射頻功率250W、基板溫度100℃、不同氣氛之AFM分析圖 132
圖4-84退火800℃、射頻功率250W、基板溫度200℃、不同氣氛之AFM分析圖 133
圖4-85退火800℃、射頻功率250W、基板溫度300℃、不同氣氛之AFM分析圖 134
圖4-86退火800℃、射頻功率350W、基板溫度100℃、不同氣氛之AFM分析圖 135
圖4-87退火800℃、射頻功率350W、基板溫度200℃、不同氣氛之AFM分析圖 136
圖4-88退火800℃、射頻功率350W、基板溫度300℃、不同氣氛之AFM分析圖 137
圖4-89退火800℃、射頻功率250W、Ar/O2=10/0、不同基板溫度下之漏電流機制分析圖 140
圖4-90退火800℃、射頻功率250W、Ar/O2=9/1、不同基板溫度下之漏電流機制分析圖 141
圖4-91退火800℃、射頻功率250W、Ar/O2=8/2、不同基板溫度下之漏電流機制分析圖 142
圖4-92退火800℃、射頻功率350W、Ar/O2=10/0、不同基板溫度下之漏電流機制分析圖 143
圖4-93退火800℃、射頻功率350W、Ar/O2=9/1、不同基板溫度下之漏電流機制分析圖 144
圖4-94退火800℃、射頻功率350W、Ar/O2=8/2、不同基板溫度下之漏電流機制分析圖 145


參考文獻

[1]C.F. Tseng, C.H. Hsu, C.L. Huang, J. Am. Ceram. Soc, Vol. 90, pp. 1619-1622, 2007
[2]Cheng-Hsing Hsu, Yin-Shin Chang, Journal of Alloys and Compounds, Vol. 479, pp. 714–718, 2009
[3]黃森宏, ”添加氧化鋅於Nd(Co1/2Ti1/2)O3微波介電材料之研製與應用” 大葉大學電信工程學系研究所, 2007
[4]何毅達, ”以射頻磁控濺鍍法製備ZnO-doped Nd(Co1/2Ti1/2)O3介電薄膜之研究” 國立聯合大學電機工程學系研究所, 2010
[5]M. Takata and K. Kageyama, J. Am.Ceram. Soc, Vol. 72 pp. 1955–1959, 1989
[6]S. Kucheiko, H. J. Kim, and D. H. Jung, Jpn. J. Appl. Phys, Vol. 35, pp. 668–672, 1996
[7]J. Takahashi, K. Kageyama, T. Fujii, T. Yamada, and K. Kodaira, J. Mater. Electron, Vol. 8 pp. 79–84, 1997
[8]S. Y. Cho, C. H. Kim, D. W. Kim, K. S. Hong, J. H. Kim, J. Mater. Res. Vol. 14, pp. 2484-2487, 1999
[9]D. L. Cairns, I. M. Reaney, N. Otten, D. Iddles, and T. Price, J. Eur. Ceram. Soc, Vol. 268, pp. 875–882, 2006
[10]Brain Campman, “Glow Discharge Process”, Chapter 3, John Wiley & Sons, 1980
[11]J. R. Roth, “Industrial Plasma Engineering”, Vol. 1: Principles, Institute of Physics Publishing, London, 1995
[12]Brain Campman, “Glow Discharge Process”, Chapter 5, John Wiley & Sons, 1980
[13]M. Konuma, “Plasma Techniques for Film deposition”, Alpha Science International Ltd, U. K., 2005
[14]D. M. Mattox, Journal of Vacuum Science Technology A, 7 (3) 1105-1114, 1989
[15]Krishna Seshan, “Handbook of Thin Film Deposition Process and Technologies”, Noyes Publications, U.S.A, 2002.
[16]張勁燕,“半導體製程設備”,五南圖書,民國八十九年
[17]R. F. Bunshah, “Deposition Technologies for Films and Coatings”, Noyes Publications, U.S.A., 1982
[18]J. Venables, Rep. Prog. Phys., Vol. 47, pp. 399-459, 1984
[19]John A. Thornton, J. Vac. Sci. Technol., pp. 666~670, 1974
[20]魏炯權,“電子材料工程”,全華科技圖書,民國九十四年
[21]謝煜弘,“電子材料”,新文京開發出版股份有限公司,民國九十四年
[22]A. J. Moulson and J. M. Herbert, “Eletroceramics”, John Wiley & Sons, 1990
[23]S. M. Sze, ”Physics of Semiconductor Devices”, Wiley Interscience,
2007
[24]Zhengxiang Ma, Andrew J. Becker, P. Polakos, Harold Huggins, John Pastalan, Hui Wu, K. Watts, Y. H. Wong, and P. Mankiewichk, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 45, pp. 1811-1816, 1998
[25]D. C. Dube, J. Baborowski, P. Muralt, and N. Setter, Appl. Phys. Lett., Vol. 74, pp. 3546-3548, 1999
[26]林麗君,“X光繞射原理及其應用”,工程材料86期,民國八十三年
[27]許樹恩、吳泰伯,“X光繞射原理與材料結構分析”,精密儀器發展中心,民國八十二年
[28]汪建民,“材料分析”,中國材料科學學會,民國八十七年
[29]S. M. Sze,”Physics of Semiconductor Devices”,Wiley Interscience
[30]Seong Moon Cho, Duk Young Jeon, Thin Solid Films, Vol. 338, pp. 149-154, 1999
[31]Matthew N. O. Sadiku, “Elements of Electromagnetics”, Oxford, 2007

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1. 粘孝堉、王元仁、夏郭賢(2002)。應用品質機能展開改善學校招生之研究。技術及職業教育雙月刊,69,36-42。
2. 孫仲山、吳思達(2006)。技職教育政策檢討與策進。教育資料集刊,31,1-51。
3. 侯世光、黃進和(2007)。我國技職教育之發展與展望。教育資料集刊,35,49-69。
4. 林琴珠、吳榕峰(2002)。全國職業學校學生技藝競賽實施之探討。技術及職業教育雙月刊,69,56-60。
5. 林家五(2006)。認定與認同在組織中的運作歷程:利益關係者理論的觀點。人力資源管理學報,6(3),119-142。
6. 簡惠閔 (2003)。從利害關係人之角度看教師評鑑-Scriven評鑑觀之應用。教育資料與研究,53,38-47。
7. 鄭友超、郭政源(2000)。國中技藝班學生出路探討分析。技術及職業教育雙月刊,57,60-62。
8. 廖婉鈞、林月雲、虞邦祥(2009)。知覺組織利害關係人重要程度與組織績效之關係:企業責任作為之中介效果。管理學報,26(2),213-232。
9. 楊雅文(1998)。臺南市國中技藝教育班學生職業成熟及其相關因素之研究。國立成功大學教育研究所碩士論文,未出版,台南。
10. 黃政傑(2001)。職校招生不足問題及其因應之道。技術及職業教育雙月刊,62,12-17。
11. 陳昆仁(2002)。國中技藝教育班學生學習環境滿意度之調查研究。教育資料與研究,44,89-93。
 
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