|
[1] C. E. Ho, Y. M. Chen, and C. R. Kao, J. Electron. Mater., vol.28, p.1231, 1999. [2] P. Snugovsky, P. Arrowsmith, and M. Romansky, J. Electron. Mater., vol.30, p.1262, 2001. [3] R. J. Coyle, D. E. H. Popps, A. Mawer, D. P. Cullen, G. M. Wenger, and P. P. Solan, IEEE T. Compon. Pack. T., vol.26, p.724, 2003. [4] K. Zeng, R. Stierman, D. Abbott, and M. Murtuza, JOM, vol.58, p.75, 2006. [5] K. Suganuma and K. S. Kim, JOM, vol.60, p.61, 2008. [6] Z. Mei, P. Callery, D. Fisher, F. Hua and J. Glzer, Adv. Electron. Pack., vol.2, p.1543, 1997. [7] B. K. Kim, S. J. Lee, J. Y. Kim, K. Y. Ji, Y. J. Yoon, M. Y. Kim, S. H. Park, and J. S. Yoo, J. Electron. Mater., vol.37, p.527, 2008. [8] H. Roberts and K. Johal, Lead-free soldering, 9, J. Bath ed., New York: Springer Press, p.221, 2007. [9] P. T. Vianco, Circuit World, vol.25, p.6, 1998.
[10] P. G. Kim, K. N. Tu, and D. C. Abbott, J. Appl. Phys., vol.84, p.770, 1998. [11] G. Ghosh, J. Electron. Mater., vol.28, p.1238, 1999. [12] S. P. Peng, W. H. Wu, C. E. Ho, and Y. M. Huang, J. Alloy. Compd.,vol.493, p.431, 2010. [13] K. Masui and M. Kajihara, J. Alloy. Compd., vol.485, p.144, 2009. [14] J. Vizdal, A. Kroupa, J. Popovic, and A. Zemanova, Adv. Eng. Mater., vol.8, p.164, 2006. [15] C. E. Ho, W. Gierlotka, and S. W. Lin, J. Mater. Res., vol.25, p.2078, 2010. [16] C. E. Ho, S. W. Lin, and Y. C. Lin, J. Alloy. Compd., vol.509, p.7749, 2011. [17] S. W. Lin and C. E. Ho, 2010 International Conference on IEDMS. [18] K. Zeng and K. N. Tu, Mater. Sci. Eng., R38, p.55, 2002. [19] T. Laurila, V. Vuorinen, and J. K. Kivilahti, Mater. Sci. Eng., R49, p.1, 2005. [20 ] C.E. Ho, Ph.D. Thesis (National Central University, Taiwan), June, 2002. [21] C. E. Ho, S. C. Yang, and C. R. Kao, J. Mater. Sci.: Mater. Electron., vol.18, p.155, 2007. [22] M. McCormack, S. Jin, G. W. Kammlott, and H. S. Chen, Appl. Phys. Lett., vol.63, p.15, 1993. [23] S. K. Kang, D. Y. Shih, D. Leonard, D. W. Henderson, T. Gosselin, S. Cho, J. Yu, and W. K. Choi, JOM, vol.56, p.34, 2004. [24] S. K. Kang, D. Leonard, D. Y. Shih, L. Gignac, D. W. Henderson, S. Cho, and J. Yu, J. Electron. Mater., vol.35, p.479, 2006. [25] J. K. Kivilahti, IEEE T. Compon. Pack. B, vol.18, p.326, 1995. [26] S. C. Yang, C. E. Ho, C. W. Chang, and C. R. Kao, J. Mate. Res., vol.21, p.2436, 2006. [27] C. E. Ho, R. Y. Tsai, Y. L. Lin, and C. R. Kao, J. Electron. Mater., vol.31, p.584, 2002. [28] BGA Ball Shear, JESD22-B117, JEDEC Solid State Technology Association, (Edition: October 2006). [29] Y. C. Chan, M. Y. Chiu, T. H. Chung, and Z. Metallkde vol.93, p.95, 2002. [30] C. Y. Chou, S. W. Chen, and Y. S. Chang, J. Mater. Res., vol.21, p.1849, 2006. [31] S. Bader, W. Gust, and H. Hieber, Acta Metall. Mater., vol.43, p.329, 1995. [32] C. E. Ho*, L. H. Hsu, S. W. Lin, and M. A. Rahman, “Influence of Pd Concentration on the Interfacial Reaction and Mechanical Reliability of the Ni/SnAgCu-xPd System,” Journal of Electronic Materials, in press (DOI: 10.1007/s11664-011-1710-1) (submission: 2011.04.13; accepted: 2011.06.29). [33] C. Y. Liu, H. K. Kim, K. N. Tu, and P. A. Totta, Appl. Phys. Lett., vol.69, p.4014, 1996. [34] C. E. Ho, Y. W. Lin, S. C. Yang, C. R. Kao, and D. S. Jiang, J. Electron. Mater., vol.35, p.1017, 2006. [35] H. K. Kim, K. N. Tu, and P. A. Totta, Appl. Phys. Lett., vol.68, p.2204, 1996. [36] H. K. Kim and K. N. Tu, Phys. Rev. B53, p.16027, 1996. [37] K. Zeng, Meeting report on the 6th Annual Topical Research Conference on Reliability, Austin, TX, USA, 2003. [38] C. P. Lin and C. M. Chen, Microelectron. Reliab., (2011), doi:10.1016/j.microrel. 2011.03.007. [39] A. M. Minor and J. W. Morris Jr., Metall. Mater. Trans., 31A, p.798, 2000. [40] S. C. Yang, C. C. Chang, M. H. Tsai and C.R. Kao, J. Alloys Compd., vol.499, p.149, 2010. [41] W. H. Wu, H. L. Chung, B. Z. Chen, and C. E. Ho, J. Electron. Mater., vol.39, p.2653, 2010. [42] C. E. Ho, R. Zheng, G. L. Luo, A. H. Lin, and C. R. Kao, J. Electron. Mater., vol.29, pp.1175-1181, 2000.
|