跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(3.236.84.188) 您好!臺灣時間:2021/08/01 18:06
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:鍾卓樺
研究生(外文):Zhong, Zhuo-Hua
論文名稱:以X光繞射研究鈦酸鑭掺鍶薄膜成長於LaAlO3基板之殘餘應力
論文名稱(外文):Residual Stress of Sr-doped Lanthanum Titanate Thin Films Grown on LaAlO3 in X-ray Diffraction
指導教授:宋皇輝李得勝李得勝引用關係
指導教授(外文):Sung, Huang-HueiLee, Der-Sheng
口試委員:宋皇輝李得勝范榮權林春榮
口試委員(外文):Sung, Huang-HueiLee, Der-ShengFan, Jung-ChuanLin, Chun-Rong
口試日期:2012-07-10
學位類別:碩士
校院名稱:大葉大學
系所名稱:電機工程學系
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2012
畢業學年度:100
語文別:中文
論文頁數:110
中文關鍵詞:鈦酸鑭掺鍶殘餘應力傳輸特性
外文關鍵詞:SrxLa1-xTiO3residual stresstransport properties
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:249
  • 評分評分:
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
  本實驗研究以X光繞射方式研究鈦酸鑭掺鍶薄膜(SrxLa1-xTiO3,x = 0.16、0.49、0.69和0.84)成長於LaAlO3 (001)基板上,討論在掺鍶量不同的情況下對鈦酸鑭掺鍶薄膜殘餘應力影響。在本實驗中首先用X-ray Ɵ-2Ɵ掃描確認薄膜的c軸垂直於LaAlO3基板上。以步進馬達的載臺作Ɵ角掃描,發現薄膜在基板平面上具有四重對稱性,並利用不對稱掃描進一步分析基板平面夾角為Y之晶面的應變對sin2Ɵ的關係。我們發現基座與薄膜之間的殘餘應力變化會由於摻雜量不同而有所不同,並與薄膜電傳輸特性有關。
In this study, we investigate the residual stress of Sr-doped LaTiO3 (SrxLa1-xTiO3, x = 0.16, 0.49, 0.69 and 0.84) thin films grown on LaAlO3 (001) substrate by X-ray diffraction method. In the experiments, firstly, we used the X-ray Ɵ-2Ɵ scan to analyze the crystal structure and the growth direction of the films. We found the films are epitaxial and the c-axis of films is perpendicular to substrate plane. The X-ray Ɵ scans were taken to verify in-plane arrangement of the films, and the data show the films are well fourfold symmetric. The X-ray asymmetry scan were studied to investigate the sin2Ɵ dependence of strain. We found the residual stress of SrxLa1-xTiO3 thin films which depend on x are correlated to the electrical transport properties.
封面內頁
簽名頁
中文摘要........................iii
英文摘要........................iv
誌謝 ..........................v
目錄..........................vi
圖目錄.........................viii
表目錄........................xiv

第一章 緒論
1.1 前言....................1
1.2 文獻回顧..................4
第二章 實驗量測原理
2.1 粉末X-ray繞射原理 .............25
2.2 PHI角掃描原理.................26
2.3 薄膜單晶樣品應變量測檢測原理........30
第三章 樣品製備與量測
3.1 樣品製備..................34
3.1.1 靶材製備................36
3.1.2 實驗流程................39
3.1.3 實驗流程敘述..............40

3.2 量測儀器及量測方式介紹...........41
3.2.1 粉末X-ray繞射分析儀..........41
3.3 PHI Scan介紹 .................42
3.3.1 量測準備................42
3.3.2 資料庫(PDF)..............44
3.3.3 選作PHI Scan的繞射峰(hkl).........45
3.3.4 PHI角計算敘述 ..............46
3.3.5薄膜應變量測量實驗步驟.........46
3.4 場發射掃描式電子顯微鏡(FE-SEM).......48
3.4.1 X-ray能量散佈分析儀(EDS)........49
3.5 電性量測..................50
3.5.1 Van Der Pauw量測............52
第四章 結果與討論
4.1 薄膜樣品成長參數與結構分析.........54
4.1.1 樣品a、b和c軸之估算 .........57
4.1.2 薄膜樣品應變分析............89
4.2 薄膜樣品傳輸特性..............91
4.2.1 磁化強度對溫度之關係(M - T).......97
第五章 結論......................103
參考文獻........................105
附錄A ........................108

[1]S. Leoni, L. Craco, A. Ormeci, and H. Rosner, Solid State Sciences 8, 1138 (2006)
[2]Masatoshi Imada, Atsushi Fulimori, Yoshinori Tokura, Rev. Mod. Phys., 70, 1059 (2008)
[3]陳星宇,”掺鍶LaTiO3薄膜之磊晶成長與特性研究”,大葉大學碩士論文,2007
[4]B. Vilquin, T. Kanki, T. Yanagida, H. Tanaka, T. Kawai, Applied Surface Science 244, 494 (2005)
[5]Franklin J. Wong, Seung-Hyub Baek, Rajesh V. Chopdekar, Virat V. Mehta, Ho-Won Jang, Chang-Beom Eom, and Yuri Suzuki, Phys. Rev. B 81, 161101(R) (2010)
[6]林政學,”應力對鈦酸鑭掺鍶薄膜之傳輸特性研究”,大葉大學碩士論文,2010
[7]蔡俊璋,”鈦酸鑭薄膜成長於不同基座之X光PHI角掃描及應變研究”,大葉大學碩士論文,2011
[8]C. C. Hays, J.-S. Zhou, J. T. Markert, and J. B. Goodenough, Phys. Rev. B 60, 10367 (1999)
[9]Y. Tokura, Y. Taguchi, Y. Okada, Y. Fujishima, and T. Arima, Phys. Rev. Lett. 70, 2126 (1992)
[10]A.Ohtomo, D.A.Müller, J. L. Grazul, and H. Y. Hwang, Appl. Phys. Lett. 80, 3922 (2002)
[11]Y. Okada, T. Arima, and Y. Tokura, Phys. Rev. B 48, 9677 (1993)
[12]S. Liang, D.J. Wang, J.R. Sun, and B.G. Shen, Solid State Communication 148, 386 (2008)
[13]B. Vilquin, T. Kanki, T. Yanagida, H. Tanaka, T. Kawai, Solid State Communication 136, 328-332 (2005)
[14]Hiroaki Muta, Ken Kurosaki, and Shinsuke Yamanaka, Journal of Alloys and Compounds 350, 292 (2003)
[15]T. Katsufuji, Y. Taguchi, and Y. Tokura, Phys. Rev. B 56,10146 (1997)
[16]J Li, F. B. Wang, P. Wang, M. J. Zhang, H. Y. Tian, and D. N. Zheng, Phys. Rev. B 75, 195109 (2007)
[17]V. N. Bogomolov, E. K. Kudinov, and Y. A. Firsov, Sov. Phys. Solid State 9, 2502 (1968)
[18]Bing H. Hwang, S.Y. Chiou, Thin Solid Films 304, 286-293 (1997)
[19]Lamartine Meda, Klaus H. Dahmen, Saaleh Hayek, Hamid Garmestani, Journal of Crystal Growth 263, 185 (2004)
[20]吳翼貽, “儀中心簡訊”, 第十三卷第六期, 1992
[21]許樹恩、吳泰伯, “X光繞射原理與材料結構分析”, 中國材料科學學會
[22]B. D. Cullity, S. R. Stock, “Elements of X-ray diffraction” Pearson Prentice Hall, (2001)
[23]美國國家標準和技術院(National Institute for Standards and Technology, NIST)
[24]J.R Sun, H.W. Yeung, H.k. Wong, T. Zhu, B.G. Shen, Eur. Phys.J. B 35 (2003) 481.
[25] J. Hemberger, H.-A. Krug von Nidda, V. Fritsch, J. Deisenhofer, S. Lobina, T. Rudolf, P. Lunkenheimer, F. Lichtenberg, A. Loidl, D. Bruns, and B. Bu¨chner, Phys. Rev. Lett. 91, 066403 (2003)

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top