|
[1] S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994). [2] G. Y. Xu, A. Salvador, W. Kim, Z. Fan, C. Lu, H. Tang, H. Markoc, G. Smith, M. Estes, B. Goldberg, W. Yank, and S. Krishnankutty, Appl. Phys. Lett. 71, 2154 (1997). [3] T. G. Zhu, D. J. H. Lambert, B. S. Shelton, M. N. Wong, U. Chowdhury, H. K. Kwon, and R. D. Dupuis, Electron Lett. 36, 1971 (2000). [4] G. T. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, X. A. Cao, S. J. Pearton, H. Cho, J. Han, J. I. Chyi, C. M. Lee, C. C. Chuo, S. N. G. Chu, and R. G. Wilson, IEEE Trans. Electron Devices 47, 692 (2000). [5] B. S. Shelton, D. J. H. Lambert, H. J. Jang, M. M. Wong, U. Chowdhury, Z. T. Gang, H. K. Kwon, Z. Liliental-Weber, M. Benarama, M. Feng, and R. D. Dupuis, IEEE Trans. Electron Devices 48, 490 (2001). [6] A. P. Zhang, J. Han, F. Ren, K. E. Waldrio, C. R. Abernathy, B. Luo, G. Dang, J. W. Johnson, K. P. Lee, and S. J. Pearton, Electronchem. Solid-State Lett. 4, G39 (2001). [7] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N.Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 70, 868 (1997). [8] S. Nakamura, Science 281, 956 (1998). [9] Y. Arakawa, IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 8, 823 (2002). [10] S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl.Phys. 34, 797 (1995). [11] T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, and E. Kurimoto, Appl. Phys. Lett. 81, 1246 (2002). [12] H. Morkoc, Nitride Semiconductors and devices, (Springer-Verlag, Berlin, 1999). [13] E. F. Schubert, Light-Emitting Diodes, 2nd ed., pp. 212. (Cambridge University Press, Cambridge, 2006). [14] H. Morkoc, Nitride Semiconductors and Devices (Spring Verlag, Heidelberg) (1999). [15] J. I. Pankove, E. A. Miller, and J. E. Berkeyheiser, J. Lumin. 5, 84 (1972). [16] H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986). [17] H. Amano, I. Akasaki, T. Kozawa, K. Hiramatsu, N. Sawaki, K. Ikeda, and Y. Ishii, J. Lumin. 40, 121 (1988). [18] H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Jpn. J. Appl. Phys. 28, 2112 (1989). [19] S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 30, 1705 (1991). [20] S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Jwasa, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258 (1992). [21] S. Nakamura, T. Mukai, M, Senoh, S. Nagahama, and N. Jwasa, Journal of Applied Physics 74, 3911 (1993). [22] S. Nakamura, G. Fasol, Springer-Verlag, Berlin, (1997). [23] J. I. Pankove, Mater Sci Eng B61-62, 305 (1999). [24] A. Sandhu, Nature Photonics 1, 38 (2007). [25] Y. S. Tang, S. F. Hu, C. C. Lin, N. C. Bagkar, and R. S. Liu , Appl. Phys. Lett. 90, 151108 (2007). [26] Y. C. Chiu, W. R. Liu, C. K. Chang, C. C. Liao, Y. T. Yeh, S. M. Jang, and T. M. Chen, J. Mater. Chem. 20, 1755 (2010). [27] J. Han, M. H. Crawford, R. J. Shul, J. J. Figiel, M. Banas, L. Zhang, Y. K. Song, H. Zhou, and A. V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett. 73, 1688 (1998). [28] T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 37, 1358 (1998). [29] T. Nishida, and N. Kobayashi, Phys. Stat. Sol. A 176, 45 (1999). [30] H. Hirayama, J. Appl. Phys. 97, 091101 (2005). [31] M. S. Shur and A. Zukauskas, Editors, UV Solid-State Light Emitters and Detectors. Proc. NATO ARW, Series II, Vol. 144, Kluwer, Dordrecht, ISBN 1-4020-2034-1, pp. 41-58 (2004). [32] M. Kneissl, T. Kolbe, C. Chua, V. Kueller, N. Lobo, J. Stellmach, A. Knauer, H. Rodriguez, S. Einfeldt, Z. Yang, N. M. Johnson, and M. Weyers, Semicond. Sci. Technol. 26, 014036 (2011). [33] APSYS by Crosslight Software Inc, Burnaby, Canada: http://www.crosslight.com. [34] W. S. Wong, T. Sands, N. W. Cheung, M. Kneissl, D. P. Bour, P. Mei, L.T. Romano, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 75, 1360 (1999). [35] W. Y. Lin, D. S. Wuu, K. F. Pan, S. H. Huang, C.E. Lee, W.K. Wang, S. C. Hsu, Y. Y. Su, S. Y. Huang, and R. H. Horng, IEEE Photonics Technol. Lett. 17, 1809 (2005). [36] H. Goto, S. W. Lee, H. J. Lee, H.-J. Lee, J. S. Ha, M. W. Cho, and T.Yao, Phys. Status Solidi. C 5, 1659 (2008). [37] D. J. Rogers, F. Hosseini Teherani, A. Ougazzaden, S. Gautier, L. Divay, A. Lusson, O. Durand, F. Wyczisk, G. Garry, T. Monteiro, M. R. Correira, M. Peres, A. Neves, D. McGrouther, J. N. Chapman, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 91, 071120 (2007). [38] J. Park, K. M. Song, S. R. Jeon, J. H. Baek, and S. W. Ryu, Appl. Phys. Lett. 94, 221907 (2009). [39] H. Morkoç, Handbook of Nitride Semiconductors and Devices (Wiley, New York), Vol. 3. pp. 39 (2008). [40] S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 62, 2390 (1993). [41] E. F. Schubert, Light-Emitting Diodes, 2nd ed. (Cambridge University Press, Cambridge), pp. 146. (2006). [42] E. F. Schubert, I. D. Goepfert, W. Grieshaber, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 71, 921 (1997). [43] H. C. Yang, T. Y. Lin, M. Y. Huang, and Y. F. Chen, J. Appl. Phys. 86, 6124 (1999). [44] S. N. Lee, T. Sakong, W. S. Lee, H. S. Paek, J. K. Son, E. Yoon, O. H. Nam, Y. Park, J. Cryst. Growth. 261, 249 (2004). [45] E. Oh, H. S. Park, Y. Park, Appl. Phys. Lett. 72, 70 (1998). [46] M. G. Cheong, K. S. Kim, C. S. Kim, R. J. Choi, H. S. Yoon, N. W. Namgung, E. K. Suh, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 80, 1001 (2002). [47] M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, B. N. Sverdlov, A. Botchkarev, H. Morkoc, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 68, 1883 (1996). [48] U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, H. Obloh, A. Ramakrishnan, B. Santic, and P. Schlotter, Appl. Phys. Lett. 72, 1326 (1998). [49] S. N. Lee, J. K. Son, T. Sakong, W. Lee, H. Paek, E. Yoon, J. Kim, Y. Cho, O. Nam, and Y. Park, Journal of Crystal Growth. 272, 455 (2004). [50] Kremzov R., private communications (2009). [51] E. F. Schubert, Light-Emitting Diodes, 2nd ed., pp. 86. (Cambridge University Press, Cambridge, 2006). [52] A. Y. Kim, W. Götz, D. A. Seigerwald, J. J. Wierer, N. F. Gardner, J. Sun, S. A. Stockman, P. S. Martin, M. R. Krames, R. S. Kern, and F. M. Steranka, Phys. Status Solidi A 188, 15 (2001). [53] A. A. Efremov, N. I. Bochkareva, R. I. Gorbunov, D. A. Larinovich, Yu. T. Rebane, D. V. Tarkhin, and Yu. G. Shreter, Semiconductors 40, 605 (2006). [54] V. Rozhansky and D. A. Zakheim, Phys. Status Solidi C 3, 2160 (2006). [55] V. Rozhansky and D. A. Zakheim, Phys. Status Solidi A 204, 227 (2007). [56] K. Akita, T. Kyono, Y. Yoshizumi, H. Kitabayashi, and K. Katayama, J. Appl. Phys. 101, 033104 (2007). [57] M. F. Schubert, S. Chhajed, J. K. Kim, E. F. Schubert, D. D. Koleske, M. H. Crawford, S. R. Lee, A. J. Fischer, G. Thaler, and M. A. Banas, Appl. Phys. Lett. 91, 231114 (2007). [58] I.A. Pope, P.M. Smowton, P. Blood, J.D. Thomson, M.J. Kappers, and C.J. Humphreys, Appl. Phys. Lett. 82, 2755 (2003). [59] M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007). [60] I. V. Rozhansky and D. A. Zakheim, Phys. Status Solidi A 204, 227 (2007). [61] M.F. Schubert, J. Xu, J.K. Kim, E.F. Schubert,M.H. Kim, S. Yoon, S.M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 041102 (2008). [62] K. J. Vampola, M. Iza, S. Keller, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys, Lett. 94, 061116 (2009). [63] K. Ding, Y. P. Zeng, X. C .Wei, Z. C. Li, J. X. Wang, H. X. Lu, P. P. Cong, X. Y. Yi, G. H.Wang, and J. M. Li, Appl Phys B 97, 465 (2009). [64] C. H. Wang, J. R. Chen, C. H. Chiu, H. C. Kuo, Y. L. Li, T. C. Lu, and S. C. Wang, IEEE Photon. Technol. Lett. 22, 236 (2010). [65] N.F. Gardner, G.O. Mueller, Y.C. Shen, G. Chen, and S. Watanabe, Appl. Phys. Lett. 91, 243506 (2007). [66] Y. C. Shen, G. O. Muller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 141101 (2007). [67] K. A. Bulashevich and S. Y. Karpov, Phys. Status Solidi C 5, 2066 (2008). [68] A. David and M. J. Grundmann, Appl. Phys, Lett. 96, 103504 (2010). [69] B. Monemar and B. E. Sernelius, Appl. Phys. Lett. 91, 181103 (2007). [70] X.A. Cao, Y. Yang, and H. Guo, J. Appl. Phys. 104, 093108 (2008). [71] Y. Yang, X. A. Cao, and C. Yan, IEEE Transactions On Electron Devices 55, 1771 (2008). [72] A. A. Efremov, N. I. Bochkareva, R. I. Gorbunov, D. A. Lavrinovich, Yu. T. Rebane, D. V. Tarkhin, and Yu. G. Shreter, Semiconductors 40, 605 (2006). [73] Y. K. Kuo, J. Y. Chang, M. C. Tsai, and S. H. Yen, Appl. Phys. Lett. 95, 011116 (2009). [74] Hader, J. V. Moloney, B. Pasenow, S. W. Koch, M. Sabathil, N. Linder, and S. Lutgen, Appl. Phys. Lett. 92, 261103 (2008). [75] R. Davis, A. Roskowski, E. Preble, J. Speck, B. Heying, J. Freitas, E. Glaser, and W. Carlos, Proc. IEEE 90, 993 (2004). [76] S. L. Chuang and C. S. Chang, Phys. Rev. B 54, 2491 (1996). [77] I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003). [78] Y. P. Varshni, Physica 34, 149 (1967). [79] K. Osamura, S. Naka, and Y. Murakami, J. Appl. Phys. 46, 3432 (1975). [80] M. E. Aumer, S. F. LeBoeuf, F. G. McIntosh, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 75, 3315 (1999). [81] C. G. Van de Walle and J. Neugebauer, Nature 423, 626 (2003). [82] V. Fiorentini, F. Bernardini, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 80, 1204 (2002). [83] J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 77, 250 (2000). [84] S. F. Chichibu, A. C. Abare, M. S. Minsky, S. Keller, S. B. Fleischer, J. E. Bowers, E.Hu,U. K. Mishra, L. A. Coldren, S. P. DenBaars, and T. Sota, Appl. Phys. Lett. 73, 2006 (1998). [85] C. M. Caughey and R. E. Thomas, Proc. IEEE 55, 2192 (1967). [86] M. Farahmand et al. IEEE Trans. Electron Devices 48, 535 (2001). [87] I. H. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996). [88] T. Mukai and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 5735 (1999). [89] R. H. Horng, W. K. Wang, S. C. Huang, S. Y. Huang, S. H. Lin, C. F. Lin, and D. S. Wuu, J. Cryst. Growth 298, 219 (2007). [90] D. Morita, M. Yamamoto, K. Akaishi, K. Matoba, K. Yasutomo, Y. Kasai, M. Sano, S. i. Nagahama, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 5945 (2004). [91] Q. Shan, Q. Dai, S. Chhajed, J. Cho, and E. F. Schubert, J. Appl. Phys. 108, 084504 (2010). [92] APSYS by Crosslight Software Inc., Burnaby, Canada: http://www.crosslight.com. [93] J. J. Wu, X. X. Han, J. M. Li, H. Y. Wei, G. W. Cong, X. L. Liu, Q. S. Zhu, Z. G. Wang, Q. J. Jia, L. P. Guo, T. D. Hu, and H. H. Wang, Optical Materials 28, 1227 (2006). [94] S. Yamaguchi, M. Kariya, T. Kashima, S. Nitta, M. Kosaki, Y. Yukawa, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Rev. B 64, 035318 (2001). [95] S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode: GaN based Light Emitters and Lasers, Spring-Verlag, Berlin and Heidelberg (1997). [96] E. F. Schubert, Light Emitting Diodes, 1st ed. (Cambridge University Press, Cambridge, 2003). [97] J. Han, M. H. Crawford, R. J. Shul, J. J. Figiel, L. Zhang, Y. K. Song, H. Zhou, and A. V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett. 73, 1688 (1998). [98] W. S. Wong, T. Sands, N. W. Cheung, M. Kneissl, D. P. Bour, P. Mei, L.T. Romano, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 75, 1360 (1999). [99] W. Y. Lin, D. S. Wuu, K. F. Pan, S. H. Huang, C.E. Lee, W.K. Wang, S. C. Hsu, Y. Y. Su, S. Y. Huang, and R. H. Horng, IEEE Photonics Technol. Lett. 17, 1809 (2005). [100] H. Goto, S. W. Lee, H. J. Lee, H.-J. Lee, J. S. Ha, M. W. Cho, and T.Yao, Phys. Status Solidi C 5, 1659 (2008). [101] D. J. Rogers, F. Hosseini Teherani, A. Ougazzaden, S. Gautier, L. Divay, A. Lusson, O. Durand, F. Wyczisk, G. Garry, T. Monteiro, M. R. Correira, M. Peres, A. Neves, D. McGrouther, J. N. Chapman, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 91, 071120 (2007). [102] J. Park, K. M. Song, S. R. Jeon, J. H. Baek, and S. W. Ryu, Appl. Phys. Lett. 94, 221907 (2009). [103] M. H. Lo, P. M. Tu, C. H. Wang, C. W. Hung, S. C. Hsu, Y. J. Cheng, H. C. Kuo, H. W. Zan, S. C. Wang, C. Y. Chang, and S. C. Huang, Appl. Phys. Lett. 95, 041109 (2009). [104] D. D. Koleske, M. E. Coltrin, S. R. Lee, G. Thaler, K. C. Cross, and M. J. Russell, Proc. SPIE 6841, 68410H (2007). [105] P. Puech, F. Demangeot, J. Frandon, C. Pinquier, M. Kuball, V. Domnich, and Y. Gogotsi., J. Appl. Phys. 96, 2853 (2004). [106] S. Hearne, E. Chason, J. Han, J.A. Floro, J. Figiel, J. Hunter, H. Amano, and I.S.T. Tsong, Appl. Phys. Lett. 74, 356 (1999). [107] K. Kusakabe, A. Kikuchi, and K. Kishino, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L192 (2001). [108] J. R. Chang, T. H. Yang, J. T. Ku, S. G. Shen, Y. C. Chen, Y. Y. Wong, and C.Y. Chang, J. Cryst. Growth 311, 1997 (2009). [109] A. Krost and A. Dadgar, phys. stat. sol. (a) 194, 361 (2002).
|