臺灣博碩士論文加值系統

手機鏡頭製程最佳化之改善，經由品管改善手法、PDCA（Plan-Do-Check-Act）手法及各項的改善措施，只能以局部或是一段製程的方式進行改善。使得無法將產品良率提升至更高的目標水準。只有六標準差（6 Sigma）能以全面性之DMAIC流程及手法，將手機鏡頭製程品質更進一步的向上提升。
以六標準差DMAIC之手法為主要架構，利用特性要因圖（Cause and Effect Diagram）對於點膠製程進行分析以及探討，找出影響製程的關鍵因子並且配合變異數理論分析（ANOVA），瞭解製造過程中的參數對於點膠特性的影響。接著以全因子實驗設計進行實驗分析，求得最佳製程參數組合後對製程進行改善。
獲得影響製程能力之關鍵因素及其最佳組合水準，並藉著完整的品質管制策略及作為，掌握關鍵因素的投入，提昇其製程能力。

The process yield rate improvements of Mobile Phone Lens, through quality improvement methods, PDCA（Plan-Do-Check-Act）methods and other improvement solutions, but it is only can be improved partially or a section of the process improvement. Cause the yield rate of product to the target. It only can takes one step ahead to enhance the process yield rate of Mobile Phone Lens with six sigma overall DMAIC process and tactics.
Thus, Six Sigma（D-M-A-I-C）will be the main structure of this research. First, use Causes &; Effects Chart to analyze and dispensing process; also try to find out the key factor that affects the manufacturing process. Analysis of variance（ANOVA）are employed to investigate performance characteristics during dispensing operations. Second, use full factorial experimental design to conduct experiment, getting the best parameter combination, and improving the manufacturing process. Finally, use Control Chart to monitor the quality after improvement to ensure the effect. To optimum parameter combination and get key factor that have most important influence of quality.

摘要 i
ABSTRACT ii
誌謝 iii
名詞解釋 iv
目錄 v
圖目錄 viii
表目錄 xi
第一章　緒論 1
1-1　研究背景 1
1-2　研究動機 2
1-3　研究目的 3
1-4　研究架構 4
1-5　研究對象 5
第二章　影像感測器基礎理論 6
2-1　影像感測器的進程 6
2-2　CCD說明 6
2-3　CMOS說明 7
2-4　CCD與CMOS特點比較分析 8
第三章　光學鏡頭設計原理與研究方向 12
3-1　光學鏡頭的定義 13
3-2　鏡頭模組製程簡介 13
3-3　設計流程 14
3.3.1　鏡片組成及元件配置 15
3.3.2　Sensor特性與Lens設計關係 18
3.3.3　晶圓級鏡頭堆疊 19
3.3.4　晶片級鏡頭堆疊 23
3-4　調制傳遞函數 26
3-5　晶圓級鏡頭模組製程 36
第四章　研究方法 41
4-1　六標準差 41
4-2　六標準差研究架構流程 43
4-3　界定階段（Define） 45
4.3.1　手機鏡頭品質的特性 45
4.3.2　現狀問題分析 45
4.3.3　設定目標 49
4-4　衡量階段（Measure） 51
4-5　分析階段（Analyze） 52
4.5.1　光學機台量測績效（Impro4 Tool Measured Performance） 54
4.5.2　點膠機台績效 59
4-6　改善階段（Improve） 62
4.6.1　實驗設計（Design of Experiment，DOE） 62
4.6.2　全因子實驗法（Full-factorial Experiments） 64
4.6.3　效應常態機率圖與柏拉圖 64
4.6.4　全因子實驗ANOVA Table 67
4.6.5　殘差檢定 67
4-7　控制階段（Control） 73
4-8　實驗結果 76
4-9　財務效益 77
第五章　結論與未來展望 79
5-1　結論 79
5-2　未來展望 80

〔1〕鍾慶宇，「手機相機模組發展趨勢」，光電科技雜誌，91頁，民國九十三年七月。
〔2〕林世穆，「百萬像素級的手機取像鏡頭模組」，光電科技雜誌，67頁，民國九十四年三月。
〔3〕鄭嘉隆，「CMOS優勢立現」，新通訊元件雜誌，40頁，民國九十四年一月。
〔4〕徐永珍，「後來居上的CMOS 影像感測器」，物理雙月刊，24~29頁，民國九十九年二月。
〔5〕光電科技工業協進會PIDA，「2003年雷射及其他光電應用產業及技術動態調查報告」，國科會委託，民國九十三年二月。
〔6〕廖國裕，「三百萬畫素自動對焦手機鏡頭設計」，國立虎尾科技大學，碩士論文，民國九十六年。
〔7〕牟益弘，「三百萬畫素二點七五倍光學變焦手機鏡頭設計」，國立中央大學碩士論文，民國九十七年。
〔8〕楊家宜，「整合衡量概念於TOC問題解決模式之研究」，中原大學，碩士論文，民國九十四年。
〔9〕呂進華，「三合透鏡之公差設計分析」，國立高雄第一科技大學，碩士論文，民國九十五年。
〔10〕邱錦勳，「CMOS影像感測模組自動對焦技術之研究」，國立台灣科技大學，碩士論文，民國九十四年。
〔11〕粘孝堉、李分明、曾倫崇，「六標準差觀念導入學校經營策略之研究」，品質月刊，第39卷，第12期，頁60-64，民國九十二年。
〔12〕楊宗然，「非球面鏡面由面偏心對小型化手機鏡頭成像特性分析及改善方法之研究」，逢甲大學，碩士論文，民國九十七年。
〔13〕魏慶全，「光學鏡頭與感測元件耦合技術配合測試圖樣設計之研究」，國立中興大學，碩士論文，民國九十三年。
〔14〕詹益昌，「利用六標準差與田口方法改善鏡片鍍膜品質」，逢甲大學，民國九十七年。
〔15〕林建基，「頂天立地的經營良方：六個希格瑪」，管理雜誌，326期，民國八十九年。
〔16〕顏子殷，「積體電路產品封裝後溫度循環試驗結果改善探討」，朝陽科技大學，民國九十四年。
〔17〕Gregory Hallock Smith, Practical Computer-Aided Lens Design, chap.12, Willmann-Bell, Inc.
〔18〕Breyfogle Ⅲ, F. W., coupello, J.M., and Meadows, B. 原著，賴榮仁譯，「六個希格瑪的管理」， 哈佛企管，民國九十年。
〔19〕Pande, P.S., NHeuman, R. P, &; Cavanagh, R.R., The Six Sigma Way: How GE, motorola, and other top companies are honing their performance, McGraw-Hill, New York, 2000.
〔20〕Robert O. Kuehl, Design of Experiments: Statistical Principles of Research Design and Analysis, 2nd edition, Pacific Grove, CA. , 2000.
〔21〕Charles R. Hicks, Fundamental Concepts in the Design of Experiments, 3rd edition, Saunders College Publishing, FL. , 1982.
〔22〕Douglas C. Montgomery, Design and Analysis of Experiments, 4th edition, John Wiley &; Sons, New York, 1997.
〔23〕Yi Xu, Simon Y. M. Chooi, Mei-Sheng Zhou, and Subhash Gupta, Optimization of Baking for FLARE Organic Low-k Dielectric Material, Proceedings of VMIC Conference, p.393, 2000.
〔24〕K. Leo Zhang, D. Wei, W. Catabay, Y. Wang, J. Dong, S. Yoshikawa, and Y. L. Ho, A Correlation of PECVD Oxide Film Charge to Transistor Leakage, Proceedings of VMIC Conference, p. 275, 2000.