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研究生:許欽順
研究生(外文):Chin-Shun Hsu
論文名稱:記憶體最終測試之研究與應用
論文名稱(外文):The Study and Application of Memory Final Testing
指導教授:李榮乾李榮乾引用關係
指導教授(外文):Jung-Chien Li
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣海洋大學
系所名稱:電機工程學系
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2013
畢業學年度:101
語文別:中文
論文頁數:61
中文關鍵詞:最終測試預燒製程統計程式
外文關鍵詞:Final testingBurn-inStatistics program.
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半導體測試的種類相當多,本論文以揮發性記憶體的最終測試為主要的研究對象。首先以記憶體工作原理為出發點,說明記憶體主要存取動作。而初步了解記憶體後,藉由愛德萬記憶體測試機,進行記憶體的直流參數(DC)、功能特性(Function)、交流特性(AC)的實例測試。除了藉實例說明記憶體最終測試的原理,更能進一步了解測試工程師是如何安排最終測試的測試程式,以驗證記憶體的各項參數是否符合設計者所訂定的規格。
接下來讓記憶體IC進入預燒(Burn-in)製程,當IC經過這一道老化製程的考驗後,隨即搭配愛德萬記憶體測試機,做一個記憶體IC的穩定度實驗。實驗後可明顯看出較健全的IC與較虛弱的IC經過預燒製程(Burn-in)後的改變。最後透過ATE(Automatic Test Equipment),讓記憶體IC進行同步測試,再依照其偵錯的測試項目將IC快速進行分類,達到測試自動化的目的,並開發一個ATE語言架構的統計程式,將IC自動測試後的各項資訊作紀錄,除了可以快速掌握產品測試良率,也可同時紀錄測試環境與IC資訊以供日後產品問題的追溯。

There are many types of semiconductor testing. The main object of this study focuses on the final testing for the volatile memory. We first introduced how the memory works and its access motion, and later perform in Advantest memory tester for DC parameters &; functional characteristics &; AC characteristics for the purpose of illustrating the principle for final testing of memory. Further, we are expected to understand how the testing engineers arrange the testing program to verify whether all parameters comply with specifications laid down by the designers.

Testing in Advantest Memory Testers will screen out weak IC affected by Burn-in, an aging process considered as stabilization test. ATE (Automatic Test Equipment) will proceed to simultaneously testing memory ICs and sorted them into designed bin category in accordance with their failure items (Bin Sorting).

This study aims to develop a statistics program based on ATE language to record down required information during testing, in anticipation of quick access to testing yield and traceability of testing environment and IC information.

中文摘要……………………………………………………………………………I
英文摘要…………………………………………………………………………….II
感謝……………………………………………………………………………….III
第一章 緒論……………………………………………………………………..…1
1.1 動機……………………………………………………………………..1
1.2 研究目的………………………………………………………………….1
第二章 記憶體工作原理…………………………………………………………2
2.1 靜態記憶體……………………………………………………………….2
2.1.1 SRAM讀出動作說明………………………………………………2
2.1.2 SRAM寫入動作說明………………………………………………3
2.2 動態記憶體……………………………………………………………….3
2.2.1 DRAM讀出動作說明……………………………………………….3
2.2.2 DRAM寫入動作說明………………………………………………4
2.3 SRAM與DRAM的比較…………………………………………………4
第三章 記憶體測試原理…………………………………………………………..5
3.1 記憶體測試概論………………………………………………………….5
3.2 記憶體測試機硬體架構………………………………………………….6
3.2.1 計算機群組…………………………………………………………..6
3.2.2 主要邏輯電路群組…………………………………………………..7
3.2.3 測試頭群組…………………………………………………………10
3.3 記憶體測試內容分類…………………………………………………...11
3.3.1 DC測試…………………………………………………………….11
3.3.1.1 靜態DC測試…………………………………………………..12
3.3.2 Function測試………………………………………………………21
3.3.2.1 Fault Types……………………………………………………..22
3.3.2.2 Test Pattern……………………………………………………..24
3.3.2.3 時序參數……………………………………………………….27
3.3.2.4 Main Program………………………………………………….29
3.3.3 AC測試…………………………………………………………….33
第四章 最終測試製程實驗………………………………………………………38
4.1 測試溫度的應用………………………………………………………...38
4.2 預燒製程搭配實驗……………………………………………………...44
第五章 測試統計程式……………………………………………………………53
5.1 整合統計程式…………………………………………………………...54
5.1.1 存檔前置作業………………………………………………………54
5.1.2 產品資訊……………………………………………………………54
5.1.3 個別DUT資訊……………………………………………………..55
5.1.4 測試良率資訊………………………………………………………56
5.1.5 各BIN別百分比……………………………………………………57
第六章 結論………………………………………………………………………60
參考文獻……………………………………………………………………………61

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[3]2000,Advantest T5585 Memory Test System Elementary Course Training School Textbook。
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[10]2000,施威銘,最新C語言學習實務,旗標出版股份有限公司,台灣。
[11]2010,林穎新,基於自動化測試設備導入快閃記憶體測試演算法的實現與驗證,碩士論文,逢甲大學。
[12]2010,鄭隆吉,NOR 型態快閃記憶體之新測試方法,碩士論文,逢甲大學。

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