隨著當今的電子科技發展演進，各項消費性電子產品輕薄短小且功能強大的設計需求為導向，晶圓奈米級製程中在內部電晶體結構技術的金屬層上採用強化的高介電值/金屬閘與低電阻/超低介電值銅導線等技術成為當今的發展主流。然而，晶圓奈米級製造技術的提升也相對的增加了晶圓於封裝製程中，切割製程的困難度，也就是說奈米級晶圓切割的方式在封裝製程中面臨了更大的挑戰。有鑑於此，我們針對先進奈米級製程晶圓，應用隱形雷射切割製程來作為提升晶圓切割品質的解決方案。
本研究為解決傳統晶圓切割製程中，面臨當晶圓切割道小於60um，而無法以傳統雷射搭配鑽石割刀切割方式完成之問題，進而探討以隱形雷射切割搭配晶圓擴張製程來解決此瓶頸，找出合適之隱形切割參數，以雷射功率、雷射脈衝頻率、移動速度及失焦距離等重要因子，應用田口方法配合雷射隱形切割機台特性進行實驗，獲得雷射隱形切割的適當參數。

第一章 緒論 1
第一節 研究背景與動機 1
第二節 研究目的 3
第三節 研究方法與文獻回顧 4
第四節 論文架構 7
第二章 雷射隱形切割 8
第一節 雷射發展歷程 14
第二節 雷射原理 16
第三章 田口方法 19
第一節 田口方法概論 19
第二節 田口方法原理 19
第三節 研究方法 20
第四章 實驗架構 27
第一節 實驗目的 27
第二節 實驗流程 27
第三節 實驗材料與設備 28
第四節 實驗參數設計 29
第五章 實驗結果與分析 34
第一節 前言 34
第二節 田口法實驗分析 34
第三節 訊號雜訊比分析 38
第四節 實證結果與分析 39
第六章 結論與未來研究方向 41
參考文獻 42