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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:鐘偉智
研究生(外文):Chung, Wei-Chih
論文名稱:利用濕式蝕刻和奈米壓印形成金屬網有機垂直電晶體
論文名稱(外文):Vertical Organic Transistor with Metallic Grid Fabricated by Nanoimprint Lithography and wet etching
指導教授:孟心飛
指導教授(外文):Meng, Hsin-Fei
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:物理研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2014
畢業學年度:102
語文別:中文
論文頁數:42
中文關鍵詞:濕式蝕刻
外文關鍵詞:wet etching
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長久以來,我們的奈米網狀結構之基極受限於製程方式,人因時常影響我們分析不同製程條件下元件
的電性。以往的研究顯示過大的電子傳輸通道會產生較大的漏電,導致開關比大幅降低,而過大的電子傳
輸通道往往來自於製程中聚苯乙烯球所造成的聚集。
為了開發具有高穩定度與可大面積化的奈米網狀結構,奈米壓印是相當有潛力的技術。本研究與台灣
大學王倫教授實驗室合作,一同開發規則金屬網基極。為了進一步降低成本,使奈米壓印的商業價值獲得
提升,研究中將原子層沉積法與奈米壓印結合。最後,雖解決了濕式蝕刻對鋁造成的影響,卻仍然無法得
到應有的特性圖,實在令人遺憾。但此結果或許可應用於其他領域。

For a long time , our nano-grid base electrode is limited by the fabrication, and therefore human factors often
affect our analysis of different process conditions. Previous research has demonstrated that large vertical
electron-transport channels will cause large leakage current, resulting a lower on/off current ratio, and large
vertical electron-transport channels are often resulting from the accumulation of polystyrene spheres in
fabrication.
In order to develop the nano-grid base electrode with high stability over a large area, nanoimprint
lithography is a very promising technology. This work is cooperating with Prof. L. A. Wang’s lab, National
Taiwan University, to develop base electrode with nano-grid array. In order to further reduce costs, further
enhancing the commercial value, we combine the tomic layer deposition and nanoimprint lithography.Finally,
although we successfully solve the Al that be affected by wet etching. But we still can't get the better result. It's so
deplorable. But the result maybe can be used in the other domain.

摘要 I
ABSTRACT II
誌謝 III
圖目錄 IV
一.緒論 1
1.1 研究背景 1
1.2 研究動機 2
二.材料簡介 4
2.1 有機絕緣體材料 6
2.2 共軛高分子材料 7
三.元件原理 8
3.1金屬與半導體界面 8
3.2 金屬與半導體界面間的注入原理 10
3.3 場效電晶體與空間電荷限制電晶體 12
3.4空間電荷限制電晶體的電流(SCLC) 14
3.5真空管原理 16
四.實驗製程 17
4.1 ITO基板的圖騰製程 17
4.2 隨機分布的奈米網狀結構之SCLT製程 19
4.3 規則孔洞的奈米網狀結構之SCLT製程 21
五.問題與討論 28
5.1 找尋產生濕式蝕刻不均勻的原因與改善. 29
5.2改善蝕刻方式 33
5.3 元件特性和測試 37

六.結論與展望 42
6.1 結論. 42
6.2展望. 42

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