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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:吳聲楷
研究生(外文):Wu, Sheng-Kai
論文名稱:使用微波退火之氧化鑭鋁/二氧化鋯/銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體特性研究
論文名稱(外文):Performance Investigation of LaAlO3/ZrO2/InGaZnO Thin Film Transistor Using Microwave Annealing
指導教授:吳建宏吳建宏引用關係
指導教授(外文):Wu, Chien-hung
學位類別:碩士
校院名稱:中華大學
系所名稱:電機工程學系碩士班
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2015
畢業學年度:103
語文別:中文
論文頁數:81
中文關鍵詞:微波退火二氧化鋯氧化鑭鋁高介電係數閘極介電層氧化銦鎵鋅通道薄膜電晶體
外文關鍵詞:InGaZnO Channel Thin Film TransistorHigh-κgate dielectricLanthanumAluminum oxide (LaAlO3)Zirconium oxide (ZrO2)Micorwave Annealing
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為了改善金氧半場效電晶體(MOSFET)元件的性能,元件的尺寸被要求越來越小,在未來的互補式金氧半(CMOS)技術中等效氧化層厚度(EOT)甚至被要求縮小到1.0 nm 以下。然而,當二氧化矽(SiO2)縮小到1.5 nm 以下時穿隧電流變得相當顯著,導致有很大的閘極漏電流發生。高介電常數介電層可用來減少這個漏電流發生,因為較厚的介電層可以減少電子或電洞穿越閘極介電層的可能,使得穿隧電流可以被減少。另外在閘極方面,國際半導體技術藍圖(ITRS)中認為使用金屬閘極是一個可以防止多晶矽閘極高片電阻和空乏效應發生的技術之一。
在本研究中選用兩種高介電係數的材料氧化鑭鋁(LaAlO3)、二氧化鋯(ZrO2)作為閘極介電層,搭配高摻雜n+矽基板作為閘極,在透明導電氧化物(TCO)熱處理製程選用微波退火;並使用具有較佳光穿透性和導電性,以及較高的化學穩定性,製備成本亦相對低廉的氧化銦鎵鋅(IGZO)透明導電氧化物來進行對通道層微波退火處理。
本研究實驗在調整微波退火能量改善元件特性,並且盡可能朝向利用微波退火能量取代傳統高溫爐管且不失效能以達到減低成本的目標,藉由調整微波退火能量來瞭解其對元件的影響。氧化銦鎵鋅的光穿透率平均大於百分之八十五。在薄膜電晶體特性方面,兩種元件都表現出不錯的操作性;氧化銦鎵鋅薄膜電晶體最大汲極飽和電流Ids則是約70 μA(Vgs = 2 V),電流開關比可達到將近107。
由實驗結果顯示,本研究所使用之氧化鑭鋁與二氧化鋯閘極介電層搭配透明導電氧化物通道之氧化銦鎵鋅薄膜電晶體使用微波退火處理結果有不錯的表現,這在塑料基板上具有極佳的發展潛力。

In order to improve the performance of MOSFET transistors, the size of divice is requested to shrink and equivalent oxide thickness (EOT) is even requested to reduce to 1.0 nm below in future CMOS technology. However , when the SiO2 scale down to 1.5 nm below, the tunneling current becomes quite significant, resulting in large gate leakage current. High-k dielectric layer can be used to reduce the leakage current, because the thick dielectric layer can reduce the electrons or holes through the gate dielectric layer and make the tunneling current can be reduced. Moreover, in aspect of the gate electrode, according to ITRS, metal gate is promising to prevent gate from high sheet resistance and the depletion effect. To overcome these problems, a possible method is to use a high-k material as a gate insulating layer, a high fluidity transparent conductive oxide film (TCO), as a channel layer, and the transparent conductive oxide film by using a microwave anneal (MWA) treatment.
In this study, high doped n+ silicon substrate and Zirconium dioxide (ZrO2) / LanthanumAluminum oxide (LaAlO3) were employed as the gate electrode and gate dielectric, The heat treatment process of transparent conductive oxide films used Micorwave annealing. Because with of good property conductivity and transparency, the relatively low production cost Indium Gallium Zinc oxide (IGZO) were employed as the channel layer, and microwave annealingtreatment.
This study was fabricated the microwave annealing of the TCO layer to analyzethe leakage current characteristics. And use the microwave annealing to achieve heat treatment conditions without causing thermal damage. In the microwave thermal annealing of very short time in order to achieve goals of using the plastic substrate without decreasing performance. By adjusting the microwave annealing can learn about characteristics of high-k/IGZO TFT.
IGZO both had transmittance of greater than 85% in visible wavelength. The two kinds of TFT devices have shown good operability. The driving current Idsof IGZO TFT got maximum about70 μA (Vgs = 2 V), and Ion/Ioff ratio can up to 107.
In summary, our results demonstrated that LaAlO3 / ZrO2 dielectric with TCO channels IGZO TFTs have good performance by utilizing Microwave Annealing. The TFTs have excellent potential on plastic substrates.

目錄
中文摘要 ………………………………………………………………………… i

英文摘要 ………………………………………………………………………… ii

致謝 ………………………………………………………………………… iv
目錄 ………………………………………………………………………… v

表目錄 ………………………………………………………………………… vii
圖目錄 ………………………………………………………………………… viii
第一章簡介
1.1 TFT-LCD發展…………………………………………………………… 1
1.2 透明導電薄膜材料的發展……………………………………………… 4
1.2.1 透明導電薄膜材料介紹……………………………………… 4
1.2.2 透明導電薄膜應用於薄膜電晶體的優點…………………… 8
1.2.3 透明導電薄膜材料的選擇…………………………………… 11
1.3 高介電係數材料的發展………………………………………………… 12
1.3.1 高介電係數材料介紹………………………………………… 12
1.3.2 高介電係數材料應用於薄膜電晶體的優點………………… 14
1.3.3 高介電係數材料的選擇……………………………………… 15
1.4 低溫微波退火原理……………………………………………………… 21
1.4.1 微波與物質相互作用………………………………………… 23
1.4.2 基本微波退火裝置系統……………………………………… 24
1.5 研究微波退火之動機…………………………………………………… 28
第二章文獻回顧
2.1 氧化銦鎵鋅薄膜電晶體………………………………………………… 29
2.2 低溫微波退火…………………………………………………………… 33
2.3 微波退火應用於高介電薄膜…………………………………………… 36
2.4 對非晶IGZO TFT使用微波退火含氮氣的影響……………………… 41

第三章製程技術與電晶體製作
3.1 電晶體製程技術………………………………………………………… 44
3.1.1 晶圓清洗……………………………………………………… 45
3.1.2 物理氣相沉積製程…………………………………………… 46
3.1.3 退火製程……………………………………………………… 50
3.1.4 微影製程……………………………………………………… 50
3.2 實驗流程………………………………………………………………… 51
3.2.1 雙層 High-k(LaAlO3/ZrO2) MOS電容製作………………… 51
3.2.2 雙層 High-k Bottom-Gate IGZO TFT製作…………………… 52
第四章結果與討論
4.2 掃描式電子顯微鏡分析………………………………………………… 61
4.3 霍爾效應量測…………………………………………………………… 62
4.4 X光光電子能譜薄膜分析……………………………………………… 64
4.5 MOS結構電容之漏電與電容特性……………………………………… 66
4.7 雙層LaAlO3/ZrO2閘極氧化層之氧化銦鎵鋅薄膜電晶體的電特性… 67
4.8 實驗結果與其他文獻之特性比較……………………………………… 74
第五章結論
5.1 結論……………………………………………………………………… 76
5.1 未來研究建議…………………………………………………………… 76
參考文獻











表目錄
第一章簡介
表1-1 常見金屬氧化物特性…………………………………………………… 6
表1-2 各種材料應用於TFT通道層的載子遷移率比較……………………… 8
表1-3 不同通道材料TFT應用的優缺點……………………………………… 10
表1-4 常用TCO材料的特性比較……………………………………………… 11
表1-5 常見High-k材料………………………………………………………… 16
第二章文獻回顧
表2-1 微波活化與其他高溫製程方式的比較………………………………… 34
第四章結果與討論
表4-1 LaAlO3/ZrO2/IGZO TFT的特性比較…………………………………… 74
表4-2 IGZO TFT的特性比較 ………………………………………………… 75




















圖目錄
第一章簡介
圖1-1 TFT-LCD架構…………………………………………………………… 2
圖1-2 主動陣列TFT等效電路………………………………………………… 2
圖1-3 TFT 主要分類圖示……………………………………………………… 3
圖1-4 金屬薄膜在1.8 nm厚度下的透光度…………………………………… 5
圖1-5 摩爾定律與今後預測…………………………………………………… 12
圖1-6 MOSFET閘極氧化層厚度趨勢………………………………………… 13
圖1-7 High-k材料與SiO2的漏電流密度與功耗比較………………………… 15
圖1-8 單層High-k(LaAlO3)的閘極介電層電容特性………………………… 17
圖1-9 單層LaAlO3作為閘極介電層之MOSFET的Id-Vd特性……………… 18
圖1-10 單層LaAlO3作為閘極介電層之MOSFET的Id-Vg特性……………… 18
圖1-11 單層High-k(ZrO2)的閘極介電層電容特性…………………………… 19
圖1-12 單層ZrO2作為閘極介電層之MOSFET的Id-Vd特性……………… 19
圖1-13 單層ZrO2作為閘極介電層之MOSFET的Id-Vg特性……………… 20
圖1-14 單層ZrO2作為閘極介電層之IGZO TFT的Id-Vg特性……………… 20
圖1-15 普通的加熱方式,加熱受到熱擴散和表面溫度所限制……………… 22
圖1-16 微波加熱方式,直接對全部產生轉動較均勻………………………… 22
圖1-17 微波加熱系統…………………………………………………………… 25
圖1-18 微波腔室的設置………………………………………………………… 25
圖1-19 微波退火機台…………………………………………………………… 26
圖1-20 微波產生器……………………………………………………………… 27
第二章文獻回顧
圖2-1 IGZO在氧濃度0%、2%、6%、9%的穿透率量測圖………………… 30
圖2-2 IGZO的能隙換算圖…………………………………………………… 31
圖2-3 IGZO-A與IGZO-B氧濃度分別為0%、2%的SEM圖……………… 32
圖2-4 XRD與TEM量測圖…………………………………………………… 33
圖2-5 利用傳統RTA與微波之後的SRP圖…………………………………… 35
圖2-6 31P、As和BF2分別摻雜在矽晶板上退火之後的Rs值…………… 37
圖2-7 將 31P摻雜在矽晶板上經由退火後的SIMS分析…………………… 37
圖2-8 將As摻雜在矽晶板上經由退火後的SIMS分析……………………… 38
圖2-9 將BF2摻雜在矽晶板上經由退火後的SIMS分析…………………… 38
圖2-10 TiN / HfO2 / Si Sub,經由不同PMA的C-V圖……………………… 39
圖2-11 TiN / HfO2 / Si sub,經由不同PMA的I-V圖………………………… 40
圖2-12 a-IGZO和a-IGZO:N TFT的Id-Vg曲線&載子遷移率……………… 41
圖2-13 a-IGZO:N元件的Id-Vg曲線&載子遷移率……………………………… 42
圖2-14 a-IGZO:N TFT的Id-Vg曲線&載子遷移率…………………………… 43
圖2-15 a-IGZO:N TFT GBS可靠度…………………………………………… 43
第三章製程技術與電晶體製作
圖3-1 熱阻蒸鍍示意圖………………………………………………………… 47
圖3-2 電子槍蒸鍍示意圖……………………………………………………… 48
圖3-3 大氣壓電漿輔助化學氣相沉積系統示意圖…………………………… 49
圖3-4 大氣壓電漿輔助化學氣相沉積系統設定示意圖……………………… 49
圖3-5 雙層LaAlO3/ZrO2 High-k之MOS電容結構…………………………… 51
圖3-6 n+矽晶圓進行RCA清洗………………………………………………… 52
圖3-7 使用雙電子槍蒸鍍系統鍍上LaAlO3及ZrO2………………………… 52
圖3-8 使用大氣壓電將輔助化學氣相沉積系統鍍上IGZO………………… 53
圖3-9 使用黃光微影製程定義出通道層區域………………………………… 54
圖3-10 使用鹽酸進行IGZO薄膜的蝕刻……………………………………… 54
圖3-11 使用黃光微影製程定義出源極及汲極………………………………… 55
圖3-12 使用熱阻絲蒸鍍系統鍍鋁電極………………………………………… 56
圖3-13 使用丙酮去除光阻……………………………………………………… 57
圖3-14 對元件使用微波退火製程……………………………………………… 57
第四章結果與討論
圖4-1I-V量測儀器KEITHLEY-2636A …………………………………………… 60
圖4-2 C-V量測儀器Agilent-E4980A………………………………………… 60
圖4-3 LaAIO3/ZrO2/IGZO TFT的SEM圖…………………………………… 61
圖4-4 IGZO薄膜不同微波功率與遷移率的關係圖………………………… 63
圖4-5 IGZO薄膜在不同微波功率、電阻值與遷移率的關係圖……………… 63
圖4-6 XPS分析O1s的光譜,對於不同微波退火溫度的a-IGZO薄膜……… 65
圖4-7 LaAlO3/ZrO2 High-k在不同雷射能量退火條件下氧化層的電容密度 66
圖4-8 LaAlO3/ZrO2/IGZO TFT無微波的Id-Vd量測圖……………………… 68
圖4-9 LaAlO3/ZrO2/IGZO TFT無微波的Id-Vg量測圖……………………… 68
圖4-10 LaAlO3/ZrO2/IGZO TFT微波0.5P_50s的Id-Vd量測圖……………… 69
圖4-11 LaAlO3/ZrO2/IGZO TFT微波0.5P_50s的Id-Vg量測圖……………… 69
圖4-12 LaAlO3/ZrO2/IGZO TFT微波0.5P_100s的Id-Vd量測圖…………… 70
圖4-13 LaAlO3/ZrO2/IGZO TFT微波0.5P_100s的Id-Vg量測圖…………… 70
圖4-14 LaAlO3/ZrO2/IGZO TFT微波0.7P_50s的Id-Vd量測圖……………… 71
圖4-15 LaAlO3/ZrO2/IGZO TFT微波0.7P_50s的Id-Vg量測圖……………… 71
圖4-16 LaAlO3/ZrO2/IGZO TFT在不同微波條件的Id-Vg量測圖…………… 72
圖4-17 LaAlO3/ZrO2/IGZO TFT在不同微波條件的Id-Vg…………………… 72
圖4-18 LaAlO3/ZrO2/IGZO TFT在不同微波條件的Id-Vg量測圖…………… 73

參考文獻
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