跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(35.172.136.29) 您好!臺灣時間:2021/07/29 08:59
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

: 
twitterline
研究生:林品澄
研究生(外文):Lin, Pin-Cheng
論文名稱:使用大氣電漿輔助化學氣相沉積系統製作氧化銦鎵鋅電阻式記憶體之特性研究
論文名稱(外文):The Investigation on the IGZO-Based Resistive Random Access Memory by AP-PECVD
指導教授:吳建宏吳建宏引用關係
指導教授(外文):Wu, Chien-hung
學位類別:碩士
校院名稱:中華大學
系所名稱:電機工程學系碩士班
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2015
畢業學年度:103
語文別:中文
論文頁數:81
中文關鍵詞:氧化銦鎵鋅氧化鋁電阻式記憶體
外文關鍵詞:Indium gallium zinc oxideAluminum oxideResistive random access memory
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:79
  • 評分評分:
  • 下載下載:3
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
記憶體一直以來都是3C產品中不可或缺的重要元件,其需求量日益增加,記憶體的種類主要分為揮發性記憶體和非揮發性記憶體兩種,其中以非揮發性記憶體較具發展潛力,最近幾年國內外學者紛紛投入非揮發性記憶體的研究工作。21世紀的今天,電子元件均朝體積小重量輕之趨勢發展,以往的記憶體不太能適用。非揮發性電阻式記憶體具備結構簡單、操作電壓低、操作時間快速、可多位元記憶、耐久性佳、記憶元件面積縮小、非破壞性讀取、和低成本等優點,而被廣泛地研究中。
本研究選用氧化銦鎵鋅(InGaZnO)作為電阻式記憶體的絕緣層,並且加入氧化鋁介面層,利用實驗方法探討電阻轉換特性。研究方法分為兩部份:第一部份是未加入氧化鋁介面層,以100 nm厚的氧化銦鎵鋅所組成的電阻式記憶體,並分別以未退火、400℃退火 及500℃退火等條件進行實驗;第二部份則是於氧化銦鎵鋅上加入10 nm厚的氧化鋁介面層,並分別進行退火實驗。最後再將兩組實驗交叉分析比較其優劣。
研究結果顯示所有元件都呈現了單極性電阻轉換特性,而加入氧化鋁介面層,退火400℃的元件擁有 > 100次的操作次數、能夠持續量測1千秒的耐久度、以及能夠以更低電壓(0.53 V)操作元件的優點,是極具潛力的電阻式記憶體元件。
Memory has always been an important indispensable element in 3C product, the demand of memory elements is increased day by day. Memory may be divided into two types: volatile memory and non-volatile memory. The non-volatile memory keeps more potential for development, and the researchers all over the world put lot of efforts in non-volatile memory study recently. In current century, electronic component used in the products are towards small size and light weight, it makes the conventional memory not applicable to be used. Because of simple structure, low operating voltage, fast operation time, multiple bit memory, durability, reduced element area, non-destructive reading, as well as low cost, non-volatile resistive random access memory (RRAM) is studied widely.
In this study, indium gallium zinc oxide (InGaZnO) is used as an insulating layer, and aluminum oxide is used as an interface layer of RRAM. The experimental method is conducted to investigate the resistance conversion characteristics. Two methods are used and measuring data are compared with cross-analysis: (1) Without aluminum oxide interface layer, the RRAM consist of 100 nm thick InGaZnO, three measurements are preformed: unannealing, 400℃ annealing, and 500℃ annealing. (2) With 10 nm thick aluminum oxide interface layer, the measurement is performed under annealing condition.
The results showed that all RRAM components appear unipolar resistance conversion characteristics. It tells us that RRAM with aluminum oxide interface layer and 400℃ annealing temperature is a great potential memory element due to the following measuring data: operating cycle > 100, durability of 1000 seconds, and lower operating voltage (0.53 V).
目 錄
中文摘要 ……………………………………………………………………………… i
英文摘要 ……………………………………………………………………………… ii
誌謝 ………………………………………………………………………………… iii
目錄 ………………………………………………………………………………… vi
表目錄 ……………………………………………………………………………… ix
圖目錄 ………………………………………………………………………………… x
第一章 緒論
1.1 概述 …………………………………………………………………………… 1
1.2 研究目的 ……………………………………………………………………… 3
第二章 簡介與文獻回顧
2.1 記憶體簡介 …………………………………………………………………… 12
  2.1.1 鐵電記憶體 …………………………………………………………… 13
  2.1.2 磁阻式記憶體 ………………………………………………………… 13
  2.1.3 相變化記憶體 ………………………………………………………… 14
  2.1.4 電阻式記憶體 ………………………………………………………… 15
2.2 電阻式記憶體的操作狀態與轉換特性 ……………………………………… 22
  2.2.1 操作電壓 ……………………………………………………………… 22
  2.2.2 限制電流 ……………………………………………………………… 22
  2.2.3 路徑形成 ……………………………………………………………… 23
  2.2.4 設置與重置 …………………………………………………………… 23
  2.2.5 單極性與雙極性 ……………………………………………………… 23
  2.2.6 無極性 ………………………………………………………………… 24
2.3 電阻式記憶體的轉換機制 …………………………………………………… 27
  2.3.1 缺陷級電荷誘捕和釋放 ……………………………………………… 27
  2.3.2 燈絲理論 ……………………………………………………………… 27
2.4 傳導機制 ……………………………………………………………………… 37
  2.4.1 離子傳導 ……………………………………………………………… 37
  2.4.2 歐姆傳導 ……………………………………………………………… 38
  2.4.3 空間電荷限制傳導 …………………………………………………… 39
  2.4.4 普爾-法蘭克發射 ……………………………………………………… 39
  2.4.5 蕭特基發射 …………………………………………………………… 40
  2.4.6 穿隧效應 ……………………………………………………………… 40
  2.4.7 福勒-諾德漢穿隧 ……………………………………………………… 41
第三章 實驗流程
3.1 材料選擇 ……………………………………………………………………… 44
  3.1.1 電極材料 ……………………………………………………………… 44
  3.1.2 氧化物材料 …………………………………………………………… 45
3.2 製程設備 ……………………………………………………………………… 47
  3.2.1 晶圓清洗 ……………………………………………………………… 47
  3.2.2 物理氣相沈積製程 …………………………………………………… 48
  3.2.3 退火製程 ……………………………………………………………… 49
3.3 試片製作流程 ………………………………………………………………… 52
  3.3.1 基材準備 ……………………………………………………………… 52
  3.3.2 下電極製作 …………………………………………………………… 53
  3.3.3 建立絕緣層 …………………………………………………………… 53
  3.3.4 高介電材料蒸鍍 ……………………………………………………… 54
  3.3.5 上電極覆蓋及背後電極包覆 ………………………………………… 54
  3.3.6 電性量測 ……………………………………………………………… 55
第四章 實驗結果與討論
4.1 電性量測分析 ………………………………………………………………… 56
  4.1.1 Al/IGZO/Al結構電阻式記憶體元件特性比較 ……………………… 56
  4.1.2 Al/IGZO/Al2O3/Al結構電阻式記憶體元件特性比較 ……………… 56
4.2 元件耐久度分析 ……………………………………………………………… 57
  4.2.1 Al/IGZO/Al結構電阻式記憶體元件耐久度測試 …………………… 57
  4.2.2 Al/IGZO/Al2O3/Al結構電阻式記憶體元件耐久度測試 …………… 57
4.3 掃描式電子顯微鏡分析 ……………………………………………………… 57
4.4 小結 …………………………………………………………………………… 58
第五章 結論及未來展望
5.1 結論 …………………………………………………………………………… 76
5.2 未來展望 ……………………………………………………………………… 76
參考文獻 ………………………………………………………………………… 77

表 目 錄
第一章 緒論
 表1-1 3Q14 NAND Flash品牌廠商營收排行 ………………………………… 4
 表1-2 前瞻記憶體技術指標比較 ……………………………………………… 9
 表1-3 下世代記憶體時代即將來臨 …………………………………………… 10
 表1-4 使用Crossbar Technology的電阻式記憶體對比NAND Flash ……… 8
第二章 簡介與文獻回顧
 表2-1 記憶體特性比較(揮發性記憶體) …………………………………… 20
 表2-2 記憶體特性比較(非揮發性性記憶體) ……………………………… 21
第三章 實驗流程
 表3-1 常用介電材料對金屬的功函數 ………………………………………… 46
 表3-2 常見的高介電材料 ……………………………………………………… 46
 表3-3 實驗條件規畫表 ………………………………………………………… 52
第四章 實驗結果與討論
 表4-1 IGZO-Based、IGZO/Al2O3電阻式記憶體元件量測數據表 ………… 75
 表4-2 IGZO-Based、IGZO/Al2O3電阻式記憶體元件可靠度分析表 ……… 75

圖 目 錄
第一章 緒論
 圖1-1 全球記憶體市場發展趨勢 ……………………………………………… 4
 圖1-2 NAND Flash年度市值變化及位元需求差異 ………………………… 5
 圖1-3 NAND Flash供應商年產量變化及總輸出位元百分比 ……………… 5
 圖1-4 NAND Flash年度需求取向變化 ……………………………………… 5
 圖1-5 各大廠商未來NAND Flash發展趨勢 ………………………………… 6
 圖1-6  NAND Flash面臨製程微縮時的瓶頸與發展 ………………………… 6
 圖1-7 三星電子快閃記憶體歷史流程圖 ……………………………………… 7
 圖1-8 Crossbar的電阻式記憶體堆疊技術 …………………………………… 7
 圖1-9 使用Crossbar Technology的電阻式記憶體對比NAND Flash ……… 8
第二章 簡介與文獻回顧
 圖2-1 陰極射線管電子束在磁場的作用下偏轉示意圖 ……………………… 16
 圖2-2 磁鼓儲存器 ……………………………………………………………… 16
 圖2-3 磁芯記憶體 ……………………………………………………………… 17
 圖2-4 鈣鈦礦鐵電結晶結構示意圖 …………………………………………… 17
 圖2-5 磁阻式記憶體隨機記憶體結構示意圖 ………………………………… 18
 圖2-6 相變化記憶體操作原理 ………………………………………………… 18
 圖2-7 相變化記憶體結構示意圖 ……………………………………………… 19
 圖2-8 電阻式記憶體結構示意圖 ……………………………………………… 19
 圖2-9 電阻式記憶體單極性開關變化示意圖 ………………………………… 25
 圖2-10 電阻式記憶體結構狀態示意圖 ……………………………………… 25
 圖2-11 電阻式記憶體阻態轉變特性示意圖 ………………………………… 26
 圖2-12 電阻式記憶體 “重置” 物理模型示意圖 ………………………… 26
 圖2-13 電阻開關轉換機制 …………………………………………………… 31
 圖2-14  Pt/Sb:STO蕭特基接觸示意圖 ……………………………………… 31
 圖2-15 燈絲路徑形成示意圖 ………………………………………………… 32
 圖2-16 電化學開關效應示意圖 ……………………………………………… 32
 圖2-17 電阻式記憶體I-V特性與金屬離子電化學效應過程對照示意圖 … 33
 圖2-18 (a) ~ (f) 銀樹枝狀燈絲形成圖 ……………………………………… 38
 圖2-19 焦耳熱效應導電燈絲熱溶解模擬圖 ………………………………… 35
 圖2-20 單晶SrTiO3參雜鉻金屬後以紅外線熱像儀觀察結果 ……………… 36
 圖2-21 普爾-法蘭克發射能帶示意圖 ………………………………………… 42
 圖2-22 蕭特基發射能帶示意圖 ……………………………………………… 42
 圖2-23 (a) 外加一偏壓造成能帶彎曲示意圖 ……………………………… 43
 圖2-23 (b) 偏壓增強時,造成能帶彎曲與載子穿越示意圖 ……………… 43
第三章 實驗流程
 圖3-1 熱阻絲蒸鍍系統示意圖 ………………………………………………… 50
 圖3-2 電子槍蒸鍍系統示意圖 ………………………………………………… 50
 圖3-3 大氣壓電漿輔助化學氣相沉積系統示意圖 …………………………… 51
 圖3-4 矽基材基板 ……………………………………………………………… 52
 圖3-5 鋁金屬下電極 …………………………………………………………… 53
 圖3-6 氧化銦鎵鋅絕緣層 ……………………………………………………… 53
 圖3-7 氧化鋁高介電層 ………………………………………………………… 54
 圖3-8 鋁上電極及背面電極 …………………………………………………… 54
 圖3-9 I-V電性量測示意圖 …………………………………………………… 55

第四章 實驗結果與討論
 圖4-1 (a) IGZO-Based RRAM未退火I-V曲線 ……………………………… 59
 圖4-1 (b) IGZO-Based RRAM未退火多次開關I-V曲線 …………………… 59
 圖4-2 (a) IGZO-Based RRAM退火400℃ I-V曲線 ………………………… 60
 圖4-2 (b) IGZO-Based RRAM退火400℃多次開關I-V曲線 ……………… 60
 圖4-3 (a) IGZO-Based RRAM退火500℃ I-V曲線 ………………………… 61
 圖4-3 (b) IGZO-Based RRAM退火500℃多次開關I-V曲線 ……………… 61
 圖4-4 (a) IGZO/Al2O3 RRAM退火400℃ I-V曲線 ………………………… 62
 圖4-4 (b) IGZO/Al2O3 RRAM退火400℃多次開關I-V曲線 ……………… 62
 圖4-5 (a) IGZO/Al2O3 RRAM退火500℃ I-V曲線 ………………………… 63
 圖4-5 (b) IGZO/Al2O3 RRAM退火500℃多次開關I-V曲線 ……………… 63
 圖4-6 (a) IGZO-Based RRAM正向偏壓未退火耐久度 ……………………… 64
 圖4-6 (b) IGZO-Based RRAM反向偏壓未退火耐久度 ……………………… 64
 圖4-6 (c) IGZO-Based RRAM正向偏壓未退火持續時間 …………………… 65
 圖4-6 (d) IGZO-Based RRAM反向偏壓未退火持續時間 …………………… 65
 圖4-7 (a) IGZO-Based RRAM正向偏壓退火400℃耐久度 ………………… 66
 圖4-7 (b) IGZO-Based RRAM反向偏壓退火400℃耐久度 ………………… 66
 圖4-7 (c) IGZO-Based RRAM正向偏壓退火400℃持續時間 ……………… 67
 圖4-7 (d) IGZO-Based RRAM反向偏壓退火400℃持續時間 ……………… 67
 圖4-8 (a) IGZO-Based RRAM正向偏壓退火500℃耐久度 ………………… 68
 圖4-8 (b) IGZO-Based RRAM反向偏壓退火500℃耐久度 ………………… 68
 圖4-8 (c) IGZO-Based RRAM正向偏壓退火400℃持續時間 ……………… 69
 圖4-8 (d) IGZO-Based RRAM反向偏壓退火400℃持續時間 ……………… 69
 圖4-9 (a) IGZO/Al2O3 RRAM正向偏壓退火400℃耐久度 ………………… 70
 圖4-9 (b) IGZO/Al2O3 RRAM反向偏壓退火400℃耐久度 ………………… 70
 圖4-9 (c) IGZO/Al2O3 RRAM正向偏壓退火400℃持續時間 ……………… 71
 圖4-9 (d) IGZO/Al2O3 RRAM反向偏壓退火400℃持續時間 ……………… 71
 圖4-10 (a) IGZO/Al2O3 RRAM正向偏壓退火500℃耐久度 ……………… 72
 圖4-10 (b) IGZO/Al2O3 RRAM反向偏壓退火500℃耐久度 ……………… 72
 圖4-10 (c) IGZO/Al2O3 RRAM正向偏壓退火500℃持續時間 …………… 73
 圖4-10 (d) IGZO/Al2O3 RRAM反向偏壓退火500℃持續時間 …………… 73
 圖4-11 (a) IGZO-Based RRAM掃描式電子顯微鏡拍攝結果 ……………… 74
 圖4-11 (b) IGZO/Al2O3 RRAM掃描式電子顯微鏡拍攝結果 ……………… 74
[1] 彭茂榮,全球記憶體市場發展趨勢,IEK產業服務情報網,2011。
[2] NAND Flash市場變化評估報告,集邦TrendForce,2012。
[3] 楊文德,2013年NAND Flash品牌供應商營收,集邦TrendForce,2014。
[4] 彭茂榮,前瞻記憶體產品技術發展趨勢,IEK產業服務情報網,2011。
[5] “Technology Roadmap for NAND Flash” TECHINSIGHTS.
[6] 9奈米超節能記憶體技術發表會,國家奈米元件實驗室,2010。
[7] P. Zhou, H. Shen, J. Li, L.Y. Chen, C. Gao, Y. Lin, and T.A. Tang, “Resistance switching study of stoichiometric ZrO2 films for non-volatile memory application,” Thin Solid Film, Vol. 518, pp. 5652-5655, 2010.
[8] H. J. Wang, C. W. Zou, L. Zhou, C. X. Tian, and D. J. Fu, “Resistive switching characteristics of thin NiO film based flexible nonvolatile memory devices,” Microelectronic Engineering, Vol. 91, pp. 144-146, 2011.
[9] D. S. Jeong, H. Schroeder, and R. Waser, “Impedance spectroscopy of TiO2 thin films showing resistive Switching,” Applied Physics Letters, Vol. 89, pp. 082909-082909-3, 2006.
[10] B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, S. Choi, J. H. Oh, C. Rohde, H. J. Kim, C. S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg and S. Tiedke, “Resistive switching mechanism of TiO2 thin films grown by atomic-layer deposition,” Journal of Applied Physics, Vol. 98, pp. 033715-033715-10, 2005.
[11] S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D. S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J. S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, “Reproducible resistance switching in polycrystalline NiO films,” Applied Physics Letters, Vol. 85, pp. 5655-5657, 2004.
[12] D. S. Lee, H. J. Choi, H. J. Sim, D. H. Choi, H. S. Hwang, M. J. Lee, S. A. Seo, and I. K. Yoo, “Resistance switching of the nonstoichiometric zirconium oxide for nonvolatile memory applications,” IEEE Electron Device Letters, Vol. 26, pp. 719-721, 2005.
[13] R. Bez, and A. Pirovano, “Non-volatile memory technologies: emerging concepts and new materials,” Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 7, pp. 349-355, 2004.
[14] 彭茂榮,下世代記憶體時代即將來臨,IEK產業服務情報網,2012。
[15] H. Nazarian, V. President, “Crossbar Resistive Memory: The future technology for NAND flash,” Crossbar-RRAM-Technology, p. 080413, 2013.
[16] Crossbar, “Technology: Crossbar™ advantages,” Crossbar-RRAM-Technology, 2014.
[17] 陰極射線管,Wikipedia,2015。
(http://zh.wikipedia.org/wiki/陰極射線管)
[18] 磁鼓存儲器,Wikipedia,2015。
(http://zh.wikipedia.org/wiki/磁鼓存儲器)
[19] 磁芯記憶體,Wikipedia,2015。
(http://zh.wikipedia.org/wiki/磁芯記憶體)
[20] 積體電路,Wikipedia,2015。
(http://zh.wikipedia.org/wiki/積體電路)
[21] 彭茂榮,全球Universal Memory廠商發展動態與策略佈局剖析,IEK產業服務情報網,2010。
[22] Ramtron,非揮發性FRAM記憶技術原理及其應用初探,台灣半導體產業協會簡訊,2007

[23] Claude Chappert, Albert Fert and Frédéric Nguyen Van Dau, “The emergence of spin electronics in data storage,” Nature Materials, Vol. 6, pp. 813-823, 2007.
[24] A. Beck, J. G. Bednorz, C. Gerber, C. Rossel, and D. Widmer, “Reproducible switching effect in thin oxide films for memory applications,” Applied Physics Letters, Vol. 77, pp. 139-141, 2000.
[25] 簡昭欣、呂正傑、陳志遠、張茂男、許世祿、趙天生,先進記憶體簡介,國研科技創刊號,2004。
[26] S. Hudgens, and B. Johnson, “Overview of phase-change chalcogenide nonvolatile memory technology,” MRS Bulletin, Vol. 29, pp. 829-832, 2004.
[27] 鄭環宜,氧化物變阻式記憶體製備與特性研究,南台科技大學,電子工程研究所碩士論文,2010。
[28] Y. T. Li, S. B. Long, Q. Liu, H. B. Lu, S. Liu, and M. Liu, “An overview of resistive random access memory devices,” Chinese Science Bulletin, Vol. 56, pp. 3072-3078, 2011.
[29] A. Sawa, “Resistive switching in transition metal oxides,” Materials Today, Vol. 11, pp. 28-36, 2008.
[30] D. Ielmini, F. Nardi, and C. Cagli, “Universal reset characteristics of unipolar and bipolar metal-oxide RRAM,” IEEE Electron Device Letters, Vol. 58, pp. 3246-3253, 2011.
[31] W. Guan, S. Long, Q. Liu, M. Liu, and W. Wang, “Nonpolar nonvolatile resistive switching in Cu doped ZrO2,” IEEE Electron Device Letter, Vol. 29, pp. 434-436, 2008.
[32] R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, and K. Szot, “Redox-based resistive switching memories–nanoionic mechanisms, Prospects, and Challenges,” Advanced Materials, Vol. 21, pp. 2632-2663, 2009.
[33] Rainer Waser and Masakazu Aono, “Nanoionics-based resistive switching memories,” Nature Materials, Vol. 6, pp. 833-840, 2007.
[34] D. J. Seong, M. Jo, D. Lee, and H. Hwang, “HPHA effect on reversible resistive switching of Pt/Nb-Doped SrTiO3 schottky junction for nonvolatile memory Application,” Electrochemical and Solid-State Letters, Vol. 10, p. H168, 2007.
[35] 林俊宏,不同電極於HfO2薄膜上之電阻轉換現象,國立中央大學,化學工程與材料工程學系碩士論文,2010。
[36] R. Waser, “Electrochemical and thermochemical memories,” Electron Devices Meeting, IEDM, pp. 1-4, 2008.
[37] K. Terabe, T. Hasegawa, T. Nakayama, and M. Aono, “Quantized conductance atomicswitch,” Letters to Nature, Vol. 433, pp. 47-50, 2005.
[38] Y. Hirose and H. Hirose, “Polarity-dependent memory switching and behavior of Agdendrite in Ag-photodoped amorphous AS2S3 films,” Journal of Applied Physics, Vol. 47, pp. 2767-2272, 1976.
[39] 施敏,伍國鈺著,張鼎,劉柏村譯,半導體元件物理學,交大出版社,pp. 274-278,2008。
[40] 李俊諺,稀土族氧化物薄膜應用於金氧半元件的電性分析,銘傳大學,電子工程研究所碩士論文,2009。
[41] 鍾憲騰,二氧化鋯崁入鎳奈米晶體在電阻式記憶體之應用,中華大學,電機工程學系碩士研究論文,2012。
[42] Q. Zuo, S. Long, Q. Liu, S. Zhang, Q. Wang, Y. Li, Y. Wang, and M. Liu, “Self-rectifying effect in gold nanocrystal-embedded zirconium oxide resistive memory,” Journal of Applied Physics, Vol. 106, pp. 073724-073724-5, 2009.

[43] Ming Tsong Wang, Shao You Deng, Tsung Hong Wang, Bonds Yi-Yi Cheng and Joseph Ya-min Lee, “The ohmic conduction mechanism in high-dielectric-constant ZrO2 Thin Films,” Journal of The Electrochemical Society, Vol. 152, pp. 542-544, 2005.
[44] 洪士哲,氧化鎳應用於電阻式記體特性之研究,國立成功大學,材料科學及工程學系碩士論文,2008。
[45] S. M. Sze and K. K. Ng, “Physics of semiconductor device,” 3th edition, A John Wiley & Sons Press, New York, 2007.
[46] D. A. Neamen著,楊賜麟譯,半導體物理與元件,滄海書局,2005。
[47] 游宗憲,Metal-phthalocyanines有機薄膜電傳輸性質及發光元件光電特性之研究,國立成功大學,電機工程研究所碩士論文,2004。
[48] S. Y. Wang, C. H. Tsai, D. Y. Lee, C. Y. Lin, C. C. Lin, and T. Y. Tseng, “Improved resistive switching properties of Ti/ZrO2/Pt memory devices for RRAM application,” Microelectronic Engineering, Vol. 88, pp. 1628-1632, 2011.
[49] 林清偉,有機非揮發性記憶體之量測與分析,國立中央大學,電機工程研究所碩士論文,2008。
[50] X. S. Wang, “Simulation study of scaling design, performance characterization, statistical variability and reliability of decananometer MOSFETs,” Department of Electronics and Electrical Engineering, University of Glasgow, 2010.
[51] J. Robertson, “High dielectric constant oxides,” The European Physical Journal Applied Physics, Vol. 28, pp. 265-291, 2004.
[52] 億達薄膜,物理氣相沈積 - 熱蒸鍍技術,ETAFILM。
(http://www.etafilm.com.tw)
[53] 掃描式電子顯微鏡,Wikipedia,2015。
(http://zh.wikipedia.org/wiki/掃描式電子顯微鏡)
連結至畢業學校之論文網頁點我開啟連結
註: 此連結為研究生畢業學校所提供,不一定有電子全文可供下載,若連結有誤,請點選上方之〝勘誤回報〞功能,我們會盡快修正,謝謝!
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top