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研究生:鄭伊婷
論文名稱:鋁在p型砷化鎵(001)表面的介面電子結構以及蕭基能障之研究
論文名稱(外文):Interfacial electronic structure of aluminum on p-GaAs(001) : A Schottky-barrier-height study
指導教授:鄭秋平鄭秋平引用關係
學位類別:碩士
校院名稱:國立嘉義大學
系所名稱:電子物理學系光電暨固態電子研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
畢業學年度:103
語文別:中文
中文關鍵詞:蕭基能障砷化鎵(001)光電子能譜技術
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我們利用同步輻射光電子能譜探討Al/GaAs(001)介面間的電子結構變化。藉由光電子能譜可知此實驗純淨p-GaAs(001)表面混合了GaAs(001)-2×4和GaAs(001)-4×6兩種重構表面。初始Al沉積在p-GaAs(001)為三維島狀成長。當Al蒸鍍在純淨GaAs上,Al會轉移負電荷給GaAs(001)-2×4的頂層As-As dimer,以及和表層的Ga之間產生Ga-Al鍵結。從介面能階圖可知,Al/p-GaAs(001)能帶偏移幾乎可以忽略,可得Al/p-GaAs(001)的蕭基能障(Schottky barrier height, SBH)為0.55 eV。
摘 要 i
Abstract ii
致謝 iii
目錄 iv
表目錄 vi
圖目錄 vii
第一章 簡介 1
1-1研究動機 1
1-2金屬-半導體接觸 2
1-3砷化鎵(GaAs)介紹 5
第二章 實驗方法 8
2-1 實驗原理 8
2-1.1 光電子能譜技術(photoelectron spectroscopy) 8
2-1.2 非彈性平均自由徑 12
2-1.3 價帶能譜 14
2-1.4 核層能譜 16
2-2 實驗系統介紹 17
2-2.1 超高真空系統 17
2-2.2 半球形光電子能譜分析儀 20
2-2.3 蒸鍍槍 22
2-3 同步輻射光源介紹 24
2-3.1 同步加速器光源簡介 24
2-3.2 實驗使用的光源 : BL08A-LSGM 光束線 26
2-4 實驗準備 29
2-4.1 GaAs樣品準備 29
2-4.2 真空抽氣過程 30
2-4.3 蒸鍍材料 35
第三章 結果與討論 37
3-1 價帶能譜(valence-band spectra) 37
3-2核層能譜(Core-level spectra) 42
3-2.1 As 3d和Ga 3d核層能譜 42
3-2.2 Al 2p核層能譜 53
3-3能階圖(Band diagram) 55
第四章 結論 58
參考文獻 59
1.R. G. Dandrea and C. B. Duke, Interfacial atomic composition and Schottky barrier heights at the Al/GaAs(001) interface, J. Vac. Sci. Technol. B 11, (1993).
2.R. T. Tung, The physics and chemistry of the Schottky barrier height, Appl. Phys. Rev. 1, 011304 (2014).
3.S. M. Sze and Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, Wiley-Interscience, (2006).
4.E. H. Rhoderick and R. H. Willams, Metal-Semiconductor Contacts, Oxford University Press, New York, (1988).
5.M. P. Seah and W. A. Dench, Quantitative electron spectroscopy of surfaces: A standard data base for electron inelastic mean free paths in solids, Surf. Interface Anal. 1, 2 (1979).
6.Charles Kittel, introduction to solid state physics, New York: J. Wiley &; Sons, (1971).
7.B. D. Cullity, Elements of X-ray Diffraction, 2nd Ed., Addison-Wesley Publishing Company, Inc., 531, (1956).
8.Esther Belin-Ferré, Zoltan Dankhazi, Marie-Françoise Fontaine, Marie-Cécile de Weerd, and Jean Marie Dubois, Electronic Densities of States and Pseudo-gaps in Al-based Complex Intermetallics, Croatica Chemica Acta. 83, 55 (2010).
9.J. Ivanco, B. Winter, F. P. Netzer, and M. G. Ramseya, L. Gregoratti and M. Kiskinova, Oxygen as a surfactant for Al contact metallization of organic layers, Appl. Phys. Lett. 85, 585-587 (2004).
10.K. Horn, M. Alonso and R. Cimino, Non-equilibrium effects in photoemission from metal-semiconductor interfaces, Appl. Sur. Sci. 56-58, 271 (1992).
11.R. Cimino, A. Giarante, M. Alonso and K. Horn, Photoemission study on non-equilibrium effects in metals on GaAs(110), Appl. Sur. Sci. 56-58, 151-159 (1992).
12.Herbert B. Michaelson, The work function of the elements and its periodicity, J. Appl. Phys. 48, 4729 (1977).
13.T. Kumar, M. Kumar, G. Gupta, R. K. Pandey, S. Verma and D. Kanjilal, Role of surface composition in morphological evolution of GaAs nano-dots with low-energy ion irradiation, Nanoscale Res. Lett., (2012).
14.H. D. Lee, T. Feng, L. Yu, D. Mastrogiovanni, A. Wan, T. Gustafsson, and E. Garfunkel, Reduction of native oxides on GaAs during atomic layer growth of Al2O3, Appl. Phys. Lett. 94, 222108 (2009).
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