跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(35.172.136.29) 您好!臺灣時間:2021/07/29 08:35
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:吳韋德
研究生(外文):Wei-De Wu
論文名稱:寬範圍脈波寬度調變之感測讀取電路
論文名稱(外文):Wide-Range Pulse-Width-Modulation Sensing Readout Circuit
指導教授:王瑞祿
指導教授(外文):Ruey-Lue Wang
學位類別:碩士
校院名稱:國立高雄師範大學
系所名稱:電子工程學系
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2015
畢業學年度:103
語文別:中文
論文頁數:95
中文關鍵詞:離子感測場效電晶體酸鹼值延伸式閘極離子感測場效電晶體溫度感測電路多路運算放大器補償電路
外文關鍵詞:ISFETpH-valueEGFETTemperature SensorMultiple Differential-input Operation AmplifierCompensation CircuitReadout Circuit
相關次數:
  • 被引用被引用:3
  • 點閱點閱:70
  • 評分評分:
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
  本論文主題為「寬範圍脈波寬度調變之感測讀取電路」,以此架構為基礎,演繹為多輸入感測讀取電路。設計之電路皆透過國家實驗研究院國家晶片系統設計中心(National Chip Implementation Center, National Applied Research Laboratories)提供之TSMC 0.35μm製程技術實現。
  原先實驗室團隊已證實,使用離子感測場效電晶體(Ion- Sensitive Field-Effect Transistor,ISFET)之延伸式閘極感測場效電晶體(Extended Gate Field Effect Transistor,EGFET)架構,在其鋁金屬電極上,自然形成的氧化鋁,應用於進行酸鹼值檢測,可得到良好的靈敏度與線性度,並提出了相關的讀取電路設計。本論文將提出使用上更具彈性的新感測讀取電路。
首先提出之電路為「寬範圍脈波寬度調變之感測讀取電路」,其可接受以類比電壓輸出的感測元件或電路做為輸入,也可將輸入端的電晶體以離子感測場效電晶體取代,做為離子濃度感測的讀取電路。電路架構是由電壓電流轉換器(V-I Converter)、充放電控制訊號電路(Charging & Discharging Module)、比較器電路(Comparator Module)、帶差參考電流源(Reference Source Module) 、輸出電路(Output Module)所組成。
整體電路透過ISFET感測待測溶液的離子濃度,依據溶液不同pH值,使ISFET的浮接閘極得到相對應的感測電壓Vsen,再將Vsen透過電壓電流轉換器(V-I Converter)轉換成電流Isen,而Isen經過充放電控制訊號電路(CDM)的處理,產生一個輸出脈波。兩個量測用的外部時脈SW與RESET控制整個量測程序,以這兩個時脈做為充放電控制訊號電路之輸入,產生MS1、MS2兩個訊號,用之控制電容充放電,依放電時間可推算出輸入電壓及待測溶液的pH值。輸出脈波的靈敏度可由SW訊號的充電週期來進行調整。電性量測結果顯示,本電路之線性度均可達99.99%以上。
接著提出之電路為「寬範圍脈波寬度調變之三路感測讀取電路」,此電路透過三輸入的運算放大器與寬範圍脈波寬度調變之感測讀取電路整合,藉由二輸入轉四輸出解碼器(2-to-4 line decoder)選擇讀出的感測值。量測結果顯示,輸出脈波寬度對應於三個輸入端電壓的特性關係之線性度均可達99.99%以上,而靈敏度約為0.523μs/mV。本電路亦將三個輸入電晶體透過內建延伸電極形成ISFET,驗證此寬範圍脈波寬度調變之三路感測讀取電路應用於離子感測之可行性,量測結果顯示,輸出脈波寬度對應於三個輸入端電壓的特性關係之線性度均可達99.93%以上。
最後提出之電路為「寬範圍脈波寬度調變之四路感測讀取電路」,結合電流補償電路及四輸入之運算放大器,藉由二輸入轉四輸出解碼器選擇讀出的感測值,並利用電流補償電路調整其電路輸出的起始值便於後續電路的處理,以及調整製程變異造成無法避免的各輸入間對應的輸出差異,使各個感測輸入的輸出值幾乎相同。模擬結果顯示,其輸入通道Channel A、Channel C、Channel D之輸出脈波頻率線性度均達99.995%以上,輸入控制訊號SW為1KHZ與2KHz時,其靈敏度分別為0.691μs/mV,0.355μs/mV,而通道Channel B的溫度感測器之輸出脈波與溫度關係的線性度為99.97%,靈敏度為1.42μs /°C。


The topic of the thesis is wide-range pulse-width-modulation sensing readout circuit. A multi-sensor readout circuit was designed by using this circuit architecture. The designed circuits are based on the TSMC 0.35μm processes, which are provided by national chip implementation center, national applied research laboratories.
The former team in the laboratory has proved that using native alumina on the aluminum metal electrode of an extended-gate ion-sensitive field effect transistor (ISFET) to detect pH value can obtain great sensitivity and linearity. They have also proposed several related readout circuit. In this thesis, new designs for the readout circuit are presented in order to make the circuit more flexible.
Firstly, a wide-range pulse-width-modulation sensing readout circuit is presented. An analog output voltage coming from sensing element or circuit can be used as an input to the readout circuit. The transistor at the input can be replaced by an ion-sensitive field-effect transistor (ISFET) and the circuit will work as a readout circuit for the sensing of ion concentration. The circuit consists of a voltage-to-current (V-I) converter, a charging and discharging module (CDM), a comparator module, a reference source module, and an output module.
The whole circuit was used to measure the ion concentration of analyzed solution by an ISFET. Depending on pH value of the solution, the floating gate of the ISFET has a corresponding sensed voltage, Vsen, and then is converted into a current Isen by the V-I converter. The Isen is used to generate a single pulse through the CDM. With two signals RESET and SW, the control signal generator produces two control signals MS1 and MS2 to control transmission-gate switches of charging and discharging the capacitor Cp. We can get the pH value by evaluating the discharging time. The pulse width linearly depends on the half a period of the control signal SW, during which time the Cp is charged. The measurement result shows a linearity of at least 99.99%.
Secondly, a wide-range pulse-width-modulation sensing readout circuit with three inputs is presented. The circuit integrates one three-input operational amplifier with the previously mentioned single-input wide-range pulse-width-modulation sensing readout circuit. The output value related to some input is read out by the selection through a 2-to-4 Line decoder. The characteristics of output pulse widths related to three input voltages are measured. The measurement results show linearity of at least 99.99% and sensitivities of about 0.523μs/mV. In this circuit, the three input transistors can work as ISFETs by on-chip extended electrodes in order that the feasibility of using the three-input readout circuit to sensing ion concentrations can be verified. The measurement results show linearity of at least 99.93%.
Finally, a wide-range pulse-width-modulation sensing readout circuit with four inputs is presented. The circuit integrates one four-input operational amplifier and one current-offset sub-circuit with the previously mentioned single-input wide-range pulse-width-modulation sensing readout circuit. The output pulse width related to the sensed value is selectively read out by a 2-to-4 line decode. By using the current-offset circuit, the readout value can be altered to facilitate the post processing of the following circuit and the readout values related to the different input channels with the same input value can be adjusted to nearly the same value when the process-variation induces the discrepancy between these output data. The measurement results indicates that the sensitivities of the output pulse frequencies related to the analog input voltages of the channel A and C and D by control signal SW 1KHz and 2KHz are about 0.691μs/mV and 0.355μs/mV with the linearity of at least 99.995% . The sensitivities of output pulse frequency related to the output voltage of the temperature sensor at the channel B is 1.42μs /°C with the linearity of at least 99.97%.

目錄
致謝 I
摘 要 III
Abstract VI
目錄 IX
表目錄 XII
圖目錄 XIII
第一章 緒論 1
1-1研究背景 1
1-2研就動機與目的 3
1-3論文內容提要 4
第二章 ISFET的原理與分析 5
2-1生物感測器 5
2-1.1生物感測器之定義 5
2-1.2生物感測器之組成 6
2-2 離子感測場效電晶體(ISFET)工作原理 11
2-2.1MOSFET架構與特性 11
2-2.2 ISFET架構與特性 16
2-2.3 EGFET架構 20
2-2.4吸附鍵結模型與電雙層模型 22
2-2.5電雙層(Electrical double layer) 26
2-3 參考電極(Reference Electrode) 27
2-4 ISFET元件實驗與結果 30
第三章 感測讀取電路之基本電路 34
3-1.帶差參考電路(Reference Source Module) 34
3-2運算放大器(OPA) 37
3-2.1電路架構 37
3-2.2模擬結果與討論 40
3-3多路運算放大器(MDI-OPA) 44
3-3.1多輸入運算放大器電路架構 44
3-3.2三輸入運算放大器模擬結果與討論 46
3-3.3四輸入運算放大器之結果與討論 48
第四章 寬範圍脈波寬度調變之感測讀取電路 51
4-1電路架構介紹及工作原理 52
4-1.1充放電控制訊號電路與比較器電路 55
4-2電路模擬與量測 58
4-3結果與討論 61
第五章 寬範圍脈波寬度調變之三路感測讀取電路 63
5-1電路架構介紹 65
5-2電路模擬與量測 67
5-3結果與討論 71
第六章 寬範圍脈波寬度調變之四路感測讀取電路 74
6-1電路架構介紹 74
6-1.1電流補償電路(Offset Module ) 76
6-1.2溫度感測器 77
6-2電路模擬 83
6-3結果與討論 86
第七章 結論 87
參考文獻 90


表目錄
表(2-1.2a)生物感測器分類 7
表(3-2a) 運算放大器性能比較 38
表(3-2b) Post-simulation P-Type OPA 特性 42
表(3-2c) Post-simulation N-Type OPA 特性 42
表(3-3a)輸入與輸出訊號控制表 46
表(3-3b) Post-simulation 三輸入OPA 特性 48
表(3-3c) Post-simulation 四輸入OPA 特性 50
表(4-2a)、表(4-2b)模擬與電性量測之靈敏度與線性度 59
表(4-3)寬範圍脈波寬度調變之感測讀取電路模擬與量測整理 62
表(5-1) Creatinine ranges and significance 65
表(5-1a)選擇測讀取電路channel動作表 67
表(5-2a)、表(5-2b)各輸入模擬與電性量測靈敏度與線性度 68
表(5-3a)三路感測讀取電路模擬與量測整理 73
表(6-1a)選擇測讀取電路channel動作表 76
表(6-2a)、表(6-2b)模擬之靈敏度與線性度 84
表(6-3a)四輸入感測讀取電路模擬與量測整理 86



圖目錄
圖(2-1.2a)生物感測系統 6
圖(2-2.1a) n-MOSFET透視圖 12
圖(2-2.1b) n-MOSFET結構圖 13
圖(2-2.1c)MOSFET的理想汲極特性。 14
圖(2-2.1d) MOSFET ID-VD特性圖 15
圖(2-2.2a) n-ISFET元件示意圖 16
圖(2-2.3a)延伸式離子感測場效電晶體之架構圖 20
圖(2-2.3b) EGFET量測系統示意圖 21
圖(2-2.3c)本論文使用之EGFET架構 22
圖(2-2.4a) Site-Binding Model示意圖 23
圖(2-2.4b) EIS架構之電荷密度與電位分佈 24
圖(2-2.5a) Helmholtz電雙層模型與電位分佈 26
圖(2-2.5b)Stern電雙層模型與電位分佈 27
圖(2-3a)銀-氯化銀參考電極(Ag/AgCl electrode)架構圖 29
圖(2-3b) (a)Ag/AgCl參考電極、(b) pseudo Ag/AgCl參考電極 30
圖(2-4a) 元件剖面圖與量測方法 31
圖(2-4b) (a)ISFET元件佈局圖、(b) ISFET元件晶片照相圖 32
圖(2-4c) pH値與相對應等效閘極電壓 33
圖(3-1a) 帶差參考電路圖 35
圖(3-1b) M2隨溫度變化之電流模擬圖 37
圖(3-2.1a) Two-Stage OPA電路圖 39
圖(3-2.2a) P-Type OPA增益與輸入共模電壓關係圖 41
圖(3-2.2b) P-Type OPA增益與相位關係圖 41
圖(3-2.2c) N-Type OPA增益與輸入共模電壓關係圖 43
圖(3-2.2d) N-Type OPA增益與相位關係圖 43
圖(3-3.1a) multi-ISFET讀取電路圖[15] 45
圖(3-3.1b) 三輸入運算放大器電路圖 45
圖(3-3.2a) 三輸入OPA增益與輸入共模電壓關係圖 47
圖(3-3.2b) 輸入選擇ipa,OPA增益與 相位關係圖 47
圖(3-3.3a) 四輸入運算放大器電路圖 49
圖(3-3.3b) 四輸入OPA增益與輸入共模電壓關係圖 49
圖(3-3.3c) 輸入選擇ipa,OPA增益 與相位關係圖 50
圖(4-1a)寬範圍脈波寬度調變之感測讀取電路 53
圖(4-1b)感測讀取電路之模擬輸入和輸出波形圖 55
圖(4-1.1a)充放電控制電路 57
圖(4-2a)輸入電壓Vsen與輸出脈波模擬與量測比較圖 59
圖(4-2b) Vref為0.8V時,pH值與輸出脈波量測比較圖 60
圖(4-2c)晶片封裝於PCB板及實際量測圖 59
圖(4-2d)寬範圍脈波寬度調變之感測讀取電路晶片圖 60
圖(4-3a) pH值、電性結果與輸出脈波量測比對圖 62
圖(5-1a) 寬範圍脈波寬度調變之三路感測讀取電路圖 66
圖(5-2a) Ch.A,Ch.B,Ch.C輸入電壓Vsen與輸出脈波模擬圖 68
圖(5-2b) Ch.A,Ch.B,Ch.C輸入電壓Vsen與輸出脈波模擬圖 69
圖(5-2c) Ch.A,Ch.B,Ch.C輸入電壓Vsen與輸出脈波量測圖 69
圖(5-2d) Ch_A ,Ch_B,Ch_C之pH值與輸出脈波量測比較圖 70
圖(5-2e)晶片封裝於PCB板及實際量測圖 70
圖(5-2f)寬範圍脈波寬度調變之三路感測讀取電路晶片圖 71
圖(6-1a)寬範圍脈波寬度調變之四路感測讀取電路圖 75
圖(6-1.2a)溫度感測器之VPTAT電路 78
圖(6-1.2b)VG2對溫度模擬圖 80
圖(6-1.2c)VG5對溫度模擬圖 80
圖(6-1.2d)溫度感測器(修正) 82
圖(6-1.2e)本設計實際的溫度感測電路 83
圖(6-2a) Ch.A,Ch.B,Ch.C之輸入電壓Vsen與輸出脈波模擬圖 84
圖(6-2b) Ch.A,Ch.B,Ch.C之輸入電壓Vsen與輸出脈波模擬圖 85
圖(6-2c) Voffset為2.6V時溫度對輸出脈波模擬圖 85


參考文獻
[1] 行政院衛生署國民健康局,”2007年台灣地區高血壓、高血糖、高血脂之追蹤調查研究”Jan,2011.
[2] P. Bergveld, "Development of an ion-sensitive solid-state device for neurophysiological measurements," IEEE Trans. Bio-Med. Eng.(Short Commun.), vol. BME-17, pp. 70-71, Jan. 1970.
[3] S. Caras, J. Janata, “Field Effect Transistor Sensitive to Penicillin”, Analytical Chemistry 52, pp. 1935-1937, 1980.
[4] N. Jafiezic-Renault, A. Soldatkin, C. Martelet, P. Temple-Boyer, W. Sant, M.L. Pourciel, P. Montoriol, A. Montiel-Costes, “Tailoring enzymatic membranes for ENFETs for dialysis monitoring”, Trans. Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems Conference, 12th International Conference, Vol. 2, pp. 1188-1191, 2003.
[5] J. C. Dutta, M. Hazarika, “Modeling of Enzyme Biosensor based on pH¬sensitive Field Effect Transistor for detection of Glucose”, Devices, Circuits and Systems(ICDCS), International Conference, pp. 686-688, 2012.
[6] J. C. Dutta, S. Roy, “Biologically Inspired Circuit Model for Simulation of Acetylcholine Gated Ion Channels of the Postsynaptic Membrane at Synaptic Cleft”, Biomedical Engineering and Sciences(IECBES), IEEE EMBS Conference, pp. 17-19, 2010.
[7] J. V. D. Spiegel, I. Lauks, P. Chan and D. Babic, “ The Extended Gate Chemical Sensitive Field Effect Transistor as Multi-Species Microprobe”, Sensors and Actuators, Vol. 4, pp. 291-298, 1983.
[8] R. L. Wang, C. C. Fu, C. M. Yeh, C. Yu, C. Y. Yu, C. F. Lin, H. H. Tsai and Y. Z. Juang, “A Multisensor Readout Circuit with a Multiplexed Pulse-signal Output”, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Kyoto, Japan, 25-27 Sep. 2012,
[9] H. H. Liao, H. H. Tsai, Y. Z. Juang, R. L. Wang, C. C. Fu and C. Yu, “ISFET with Built-in Gold Electrode and Readout Circuit with Frequency-Adjustable Pulse Output,” 7th International Conference on Sensing Technology (ICST 2013), Wellington, New Zealand, pp. 461-464, 3-5 Dec. 2013.
[10] R. L. Wang, C. C. Fu, C. Yu, W. D. Wu, Y. T. Chuang, C. F. Lin, H. H. Liao, H. H. Tsai and Y. Z. Juang, “A Multi-sensor Readout Circuit Using a Multiple Differential-input Operation Amplifier with Pulse Output”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 53, No. 4S, Mar. 2014.
[11] 吳宗遠,”生物感測器,原理與應用之介紹”,化學-第七十一卷第三期253-264頁
[12] 陳冠宏,”可攜式微生物毒性感測器不同好氧桿菌對廢水毒性反應與判讀方法之比較”,私立中原大學醫學工程研究所碩士論文, Jun. 2002.
[13] "生物感測技術-講義" 國立清華大學數位學習系統
[14] 陳省宏, "電流與電位式量測釕氧化物與盤尼西林酵素修飾電極之研究," 國立雲林科技大學 電子碩士論文, Jul. 2006.
[15] 傅建程,具溫度感測之CMOS生物感測讀取電路,國立高雄師範大學電子工程學系,Jul.2013
[16] 游錡,CMOS溫度感測電路及其應用於感測讀取電路的溫度補償,國立高雄師範大學電子工程學系,Jul.2014
[17] 陳治誠, “生化感測器技術簡介” 科儀新知, 第15卷, 第2期, pp.71-81.
[18] G. A. Saurbery, "Use a quartz vibrator from weight thin films on a microbalance," Z. Physik., Vol. 155, pp. 206-210, 1959.
[19] 李坤易, “高感度葡萄糖生物感測器之研究”, 國立雲林科技大學化學工程學系碩士論文, Jun. 2006.
[20] 施敏, “半導體元件物理與製作技術”, 國立交通大學出版社, Sep. 2006.
[21] 武世香, 虞惇, 王貴華, “化學量傳感器”, 傳感器技術, 第3期, pp. 55-60, 1990.
[22] L. T. Yin, J. C. Chou, W. Y. Chung, T. P. Sun, and S. K. Hsiung, "Separate structure extended gate H^+-ion sensitive field effect transistor on a glass substrate," Sens. Actuators B, Chem., vol. 71, no. 1/2, pp. 106–111,Nov. 2000.
[23] G. A. Saurbery, “Use a Quartz Vibrator from Weight Thin Films on a Microbalance”, Z. Physik., Vol. 155, pp. 206-210, 1959.
[24] D. E. Yates, S. Levine, and T. W. Healy, "Site-binding model of the electrical double layer at the oxide/water interface," J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1, vol. 70, pp. 1807–1818, Jan. 1974.
[25] R. E. G. Van Hall, J. C.T. Eijkel, P. Bergveld, "A Novel Description of ISFET Sensitivity with the Buffer Capacity and Double-Layer Capacitance as Key Parameters," Sensors and Actuators B, Vol. 24-25, PP.201-205, 1995.
[26] C.D. Fung, P.W. Cheung and W. H. Ko, "A generalized theory of an electrolyte-insulator-semiconductor field-effect transistor," IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED-33, NO.1, PP. 8-18, 1986.
[27] 黎振策, “氮化鈦感測膜應用在延伸式閘極離子感測場效電晶體”, 中原大學電子工程學系碩士論文, Jun. 2001.
[28] 蔡振章編譯, “界面電化學(電化學原理‧電化學實驗)” , 興國發行, pp. 1-8, 1982.
[29] C. H. Hamann, A. Hamnett, and W. Vielstich, “Electrochemistry”, Wiley-Vch: New York, 1998.
[30] 田福助,電化學理論與應用,中華民國77年8月5日二版發行
[31] J. L. Chiang, S. S. Jan, J. C. Chou, Y. C. Chen, "Study on the temperature effect, hysteresis and drift of pH-ISFET devices based on amorphous tungsten oxide," Sensors and Actuators B: Chemical, vol. 76, pp. 624-628, 2001.
[32] R. L. Wang, C. C. Fu, C. Yu, Y. F. Hao, J. L. Shi, C. F. Lin, H. H. Liao, H. H. Tsai and Y. Z. Juang, “CMOS Temperature Sensor Using a Resistively Degenerated Common-source Amplifier Biased by an Adjustable Proportional-to-absolute-temperature Voltage”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 53, No. 4S, Feb. 2014
[33] R. L. Wang, C. C. Fu, C. Yu, Y. F. Hao, J. L. Shi, C. F. Lin, H. H. Liao, H. H. Tsai and Y. Z. Juang, “CMOS Temperature Sensor Using a PTAT-voltage Biasing Common-source Amplifier with a Source-degeneration Polycrystalline Silicon Resistor”, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), Fukuoka, Japan, pp.300-301, 24-27 Sep. 2013.
[34] 陳耀鵬, “以管線式為架構設計高速類比數位轉換器”, 朝陽科技大學資訊工程系碩士論文, Jan. 2005.
[35] D. Johns and K. Martin, “Analog Integrated Circuit Design”, ISBN 0-471-14448-7, Wiley, 1997.
[36] 葉瓊敏, "具溫度感測之生醫多路感測晶片設計," 國立高雄師範大學 電子碩士論文, Jul. 2011.
[37] M. L. Sheu, W. H. Hsu, and L. J, Tsao, “A Capacitance-Ratio-Modulated Current Front-End Circuit With Pulsewidth Modulation Output for a Capacitive Sensor Interface,” IEEE TRAN. Instrumentation Meas. Vol.61, pp.447-455, 2012.
[38] P. Bruschi, N. Nizza, and M. Piotto, “A current-mode, dual slope, integrated capacitance-to-pulse duration converter,” IEEE J. Solid-State Circuits Vol.42, vol.1884-1891 (2007).
[39] R.L Wang, W.D. Wu, C Yu, P.H. Chiu, J.L. Shi, Y.F. Hao, H.H. Liao, H.H. Tsai and Y.Z. Juang, “CMOS Pulse-Width-Modulation Readout Circuit for ISFET-Based Sensors,” 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), pp.278-279, September 8-11, 2014, Tsukuba, Japan.
[40] R.L. Wang, W.D. Wu, C. Yu, P.H. Chiu, J.L. Shi, Y.F. Hao, H.H Liao, H.H. Tsai and Y.Z. Juang, “CMOS pulse-width-modulation readout circuit with a wide modulation range for ISFET-based Sensors,” Japanese Journal of Applied Physics, vol.54, No.4, pp.04DL02-1 ~ 04DL02-6, 2015
[41] C. Y. Chen, H. Li. Shieh, T. P. Sun, "Portable Urea Biosensor Based on The Extended Base Bipolar Junction Transistor," IEEE Sensor, pp.789-792, Nov. 2010.
[42] W. Juffali, P. Georgiou and C. Toumazou, "ISFET based Urea:Creatinine translinear sensor," IEEE Electronics Letters, vol. 46, issue 11, pp. 746-748, 2010.
[43] C. W. Lin, and S. F. Lin, "A Highly Linear CMOS Temperature Sensor," the 8th International Conference on ECTI-CON, pp.74-77, 2011.
[44] R. L. Wang, C. W. Yu, C. Yu, T. H. Liu, C. M. Yen, C. F. Lin, H. H. Tsai, Y. Z. Juang, "A temperature sensor using a BJT-MOSFET pair," Electron. Lett., 48 (9), pp.503-504, 2012.
[45] Y. Z. Jung, R. L. Wang, H. H. Tsai, H. H. Liao, Y. F. Hao, J. L. Shi, W. D. Wu, C. Yu, “A High-linearity CMOS Temperature Sensor Using a PTAT-voltage Driving Common-source Amplifier with a Source Resistor,” The 29th European Conference on Solid-State Transducers (EUROSENSORS 2015), September 6-9, 2015, Freiburg, Germany.

連結至畢業學校之論文網頁點我開啟連結
註: 此連結為研究生畢業學校所提供,不一定有電子全文可供下載,若連結有誤,請點選上方之〝勘誤回報〞功能,我們會盡快修正,謝謝!
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
1. 李新民、周俊良(2007)。南部地區學前特殊教育人員自我效能與工作表現之相關研究。特殊教育學報,25,31-55。
2. 李新民、陳密桃(2007)。實用智能、目標導向、自我效能對工作表現之影響探析:以幼兒教師為例。教育學刊,28,63-99。
3. 許淑婷、許純碩、王盈文(2008)。教師教學態度與學生學習成效之關係探討。立德學報,5(2),62-77
4. [11] 吳宗遠,”生物感測器,原理與應用之介紹”,化學-第七十一卷第三期253-264頁
5. 梁茂森(1998)。國中生學習自我效能量表之編製。教育學刊,14,155-192。
6. 潘義祥(2007)。國民小學健康與體育學習領域教師自我效能與教學承諾關係之研究。臺灣運動心理學報,10,37-55。
7. 孫志麟(2003)。教師自我效能的概念與測量。國立臺灣師範大學教育心理與學系教育心理學報,34(2),139-156。台北市。
8. 蘇錦麗(2005)。「大學校院學生學習成果評估」相關內涵分析。評鑑雙月刊,21,58-62。國立政治大學教育研究所碩士論文。
9. 顏銘志(1996)。國民小學教師教學信念、教師效能與教學行為之相關研究。國立屏東師範學院國民教育研究所碩士論文。
10. 陳淑惠,翁儷禎,蘇逸人,吳和懋、楊品鳳(2003)。 中文網路成癮量表之編製與心理計量特性研究。中華心理學刊,45(3),279-294。
11. 王智弘(2008)。網路成癮的成因分析與輔導策略。輔導季刊, 44(1),1-12。
12. 鄭新輝(2010)。國民中小學整合性績效管理系統之建構:整合學校、校長與教師評鑑之概念模式。教育學誌,24,73-112。已出版,南投縣。
13. 孫志麟(1991a)。自我效能的基本概念及其在教育上的應用。教育研究雙月刊,22,47-54。
14. [17] 陳治誠, “生化感測器技術簡介” 科儀新知, 第15卷, 第2期, pp.71-81.
15. 楊瑩(2011)。以學生學習成效為評量重點的歐盟高等教育品質保證政策。評鑑雙月刊,30。http://epaper.heeact.edu.tw/archive/2011/03/01/4164.aspx
 
無相關點閱論文