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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:林展安
研究生(外文):LIN CHAN-AN
論文名稱:使用指令位置命名記憶體配置之研究
論文名稱(外文):Study On Memory Allocation Using Instruction Address
指導教授:羅習五
指導教授(外文):LO,SHI-WU
口試委員:何建忠黃敬群陳鵬升
口試委員(外文):HO,CHIEN-CHUNGHUANG,CHING-CHUNCHEN,PENG-SHENG
口試日期:2017-07-18
學位類別:碩士
校院名稱:國立中正大學
系所名稱:資訊工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2018
畢業學年度:106
語文別:中文
論文頁數:25
中文關鍵詞:記憶體配置混合式主記憶體指令位置效能計數器
外文關鍵詞:Memory AllocationHybrid Main MemoryInstruction AddressPerformance Counter
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非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory)是一種次世代的記憶體,其特性在於該記憶體只需使用些微的電量或幾乎不耗電就能做到資料的儲存,因此我們可以利用這種記憶體來對傳統的記憶體架構作優化,這將會是在裝置節能上的一大突破。

本文探討的記憶體架構為混合式主記憶體(Hybrid Main Memory),即是一般的記憶體架構加入部分的非揮發性記憶體(主要探討PCM),由於非揮發性記憶體在待機上幾乎是不耗電的,因此經過使用這種記憶體優化後的記憶體架構能夠有效降低裝置的耗電量,若能有效運用此記憶體架構,我們便能夠延長手持裝置的續航時間,也能夠對伺服器,桌上型電腦等裝置達到節能的效果。

在實驗上本論文將探討混合式主記憶體的配置方式,根據混合式主記憶體其本身的特性與限制,認為有效使用該記憶體架構的關鍵在於對記憶體內資料使用方式的分析與分類,並於實驗中使用Linux內部的工具對程式做指令階層的分析,找出適用於此記憶體架構的資料擺放方式。

致謝--------------------------------------------1
摘要--------------------------------------------2
目錄--------------------------------------------3
圖目錄------------------------------------------5
表目錄------------------------------------------6
第一章 緒論------------------------------------7
第二章 背景知識與相關研究-----------------------9
2.1非揮發性記憶體Non-Volatile Memory (NVM)-------9
2.2主記憶體架構---------------------------------12
2.3 混合式主記憶體架構---------------------------13
2.4 相關研究------------------------------------14
第三章 實驗工具--------------------------------16
3.1 Performance Counter------------------------16
3.2 Perf---------------------------------------16
3.3 ltrace-------------------------------------17
3.4 Valgrind-----------------------------------17
第四章 實驗方法--------------------------------18
第五章 實驗結果--------------------------------21
第六章 結論與未來工作--------------------------24
參考文獻----------------------------------------25














[1] 葉權,揮發性記憶體與非揮發性記憶體之混合架構研究與探討,2016
,Page 10-11

[2] Non-Volatile Memory 非揮發性記憶體
https://en.wikipedia.org/wiki/Non-volatile_random-access_memory

[3] Magnetoresistive random-access memory磁阻式隨機存取記憶體
https://en.wikipedia.org/wiki/Magnetoresistive_random-access_memory

[4] Resistive random-access memory 可變電阻式記憶體
https://en.wikipedia.org/wiki/Resistive_random-access_memory

[5] 刘巍,基于空间局部性的PCM 和DRAM 混合内存页面调度算法

[6] M.Qureshi,V.Srinivasan,and J.Rivers. Scalable high performance main memory system using phase-change memory technology”, In ISCA‘
09
[7] Hoda Aghaei Khouzani, Chengmo Yang and Jingtong Hu ,“Improving Performance and Lifetime of DRAM-PCM Hybrid Main Memory through a Proactive”, Design Automation Conference (ASP-DAC), 2015

[8] Mogul et al. Operating system support for NVM+DRAM hybrid main memory. Proceeding HotOS'09 Proceedings of the 12th conference on Hot topics in operating systems, pp.14-14,2009

[9] Y.Li, et al. A Software Approach for Combating Asymmetries of Non-volatile Memories. In ISLPED, pp. 191–196, 2012.

[10] J.Coburn,et al. NV-Heaps: making persistent objectsfast and safe with next-generation, nonvolatilememories.

[11] R.Yang et al. Adaptive Block Level Managemant For Hybrid Main Memory. ICSICT, 2014 12th IEEE International Conference, pp.28-31,2014


[12] S. Lee et al.CLOCK-DWF: A Write-History-Aware Page Replacement Algorithm for Hybrid PCM and DRAM Memory Architectures

[13] H.Seok et al. Efficient page caching algorithm with prediction and migration for a hybrid main memory,”Appl. Comput. Rev., vol. 11, no. 4, pp. 38–48, 2011.


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